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打破索尼壟斷！晶合集成1.8億像素相機(jī)全畫幅CMOS成功試產(chǎn)：業(yè)內(nèi)首顆

8月19日消息，今日，晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫幅（2.77英寸）CMOS圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CIS），為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。據(jù)了解，晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺(tái)，與思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個(gè)芯片尺寸上，所能覆蓋一個(gè)常規(guī)光罩的極限。同時(shí)確保在納米級(jí)的制造工藝中，拼接后的芯片依然保證電學(xué)性能和光學(xué)性能的連貫一致。晶合集成表示，首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產(chǎn)，既標(biāo)志著光刻拼接技術(shù)在
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業(yè)內(nèi)首顆！國(guó)產(chǎn) 1.8 億像素相機(jī)全畫幅 CMOS 圖像傳感器成功試產(chǎn)

8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆 1.8 億像素全畫幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 圖像傳感器），為高端單反相機(jī)應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇?！?產(chǎn)品圖，圖源晶合集成，下同據(jù)介紹，為滿足 8K 高清化的產(chǎn)業(yè)要求，高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺(tái)，攜手思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個(gè)芯片尺寸上，所能覆蓋一個(gè)常規(guī)光罩的極限，同時(shí)確保在納米級(jí)的制造工藝中，拼接后的芯片依
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RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？

在采樣速率和可用帶寬方面，當(dāng)今的射頻模數(shù)轉(zhuǎn)換器(RF ADC)已有長(zhǎng)足的發(fā)展，其中還納入了大量數(shù)字處理功能，電源方面的復(fù)雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長(zhǎng)情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò)。早期ADC采樣速度很慢，大約在數(shù)十MHz內(nèi)，而數(shù)字內(nèi)容很少，幾乎不存在。電路的數(shù)字部分主要涉及如何將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節(jié)點(diǎn)幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
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Guerrilla RF宣布收購(gòu)Gallium GaN技術(shù)

近期，Guerrilla RF宣布收購(gòu)了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購(gòu)，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開發(fā)的新內(nèi)核以及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。公司將為無線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用開發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷商Telcom International的一位員工表示，公司計(jì)劃向韓國(guó)市場(chǎng)供應(yīng)Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管

為特定CMOS工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設(shè)計(jì)的高級(jí)SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對(duì)NMOS晶體管進(jìn)
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純化合物半導(dǎo)體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)

6月14日，純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術(shù)測(cè)試版NP12-0B平臺(tái)。目前，NP12-0B鑒定測(cè)試已經(jīng)完成，最終建模/PDK生成預(yù)計(jì)將于2024年8月完成，并計(jì)劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導(dǎo)體介紹，該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù)，該技術(shù)結(jié)合了多項(xiàng)改進(jìn)，以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性，并增加芯片級(jí)防潮性。NP12-0
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CMOS反相器開關(guān)功耗的仿真

當(dāng)CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時(shí)，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動(dòng)態(tài)，當(dāng)反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時(shí)發(fā)生。靜態(tài)，由穩(wěn)態(tài)運(yùn)行期間流動(dòng)的泄漏電流引起。我們不再進(jìn)一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動(dòng)態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開關(guān)功率——當(dāng)輸出電壓變化時(shí)，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實(shí)現(xiàn)圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
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CMOS反相器的功耗

本文解釋了CMOS反相器電路中的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術(shù)史上的一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數(shù)字系統(tǒng)的電氣特性。CMOS的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時(shí)才需要電流——簡(jiǎn)單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來說，低功耗是一個(gè)理想的功能，當(dāng)你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個(gè)小空間中時(shí)，這尤其有益。正如計(jì)算機(jī)CPU愛好者提醒我們的那樣，充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒有CMOS反相
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Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash CMOS圖像傳感器系列

Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產(chǎn)品專門適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應(yīng)用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應(yīng)用和高速/高分辨率檢測(cè)量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應(yīng)用，其角度響應(yīng)在30°角度下為四倍以上，在
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TTL與CMOS，很基礎(chǔ)但很多人不知道

問題引入在工作中，會(huì)遇到OC門與OD門的稱謂。而感性的認(rèn)識(shí)一般為：OD門是采用MOS管搭建的電路，壓（電壓）控元器件。OC門是采用晶體管搭建的電路，流（電流）控元器件。而OD門的功率損耗一般是小于OC門，為什么？電平TTL電平：輸出電平：高電平Uoh >=2.4v 低電平Uol <= 0.4v輸入電平：高電平Uih >= 2.0v 低電平 Uil <= 0.8vCMOS電平：輸出電平：高電平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND輸入電平：高電平Uih >= 0.7*VCC U
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CMOS傳感器+高級(jí)色彩算法，快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲色彩

用機(jī)器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異，實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè)，大大提高了檢測(cè)效率，同時(shí)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測(cè)結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運(yùn)動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機(jī)具備某些特征。那么，相機(jī)廠商該如何應(yīng)對(duì)這些需求提出的挑戰(zhàn)呢？Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級(jí)色彩算法完美結(jié)合，并具備：色彩校正矩陣，用于實(shí)現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)；高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對(duì)比度；靈活多變的自定義觸發(fā)設(shè)置，準(zhǔn)確觸發(fā)
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為何在RF設(shè)計(jì)中理解波反射非常重要？

在低頻下工作的普通電路與針對(duì)RF頻率設(shè)計(jì)的電路之間的關(guān)鍵區(qū)別在于它們的電氣尺寸。RF設(shè)計(jì)可采用多種波長(zhǎng)的尺寸，導(dǎo)致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設(shè)計(jì)和分析提供了一些基礎(chǔ)的核心原理特性?；靖拍詈托g(shù)語假設(shè)以任意負(fù)載端接傳輸線路（例如同軸電纜或微帶線），并定義波量a和b，如圖1所示。圖1.以單端口負(fù)載端接匹配信號(hào)源的傳輸線路。這些波量是入射到該負(fù)載并從該負(fù)載反射的電壓波的復(fù)振幅。我們現(xiàn)在可以使用這些量來定義電壓反射系數(shù)Γ，它描述了反射波的復(fù)振幅與入射波復(fù)振幅的比值：反射系數(shù)也可以
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羅德與施瓦茨與索尼半導(dǎo)體以色列（Sony）合作，達(dá)成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗(yàn)證的行業(yè)里程碑

羅德與施瓦茨與索尼半導(dǎo)體以色列（Sony）合作，達(dá)成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能驗(yàn)證的行業(yè)首次里程碑。他們還成功驗(yàn)證了基于PCT的測(cè)試用例。兩項(xiàng)工作都有助于NTN NB-IoT技術(shù)的市場(chǎng)就緒。在2024年巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)上，羅德與施瓦茨將在其展臺(tái)上展示與Sony的Altair NTN Release 17 IoT設(shè)備一起進(jìn)行NTN NB-IoT測(cè)試的實(shí)時(shí)演示。與Sony的合作中，羅德與施瓦茨成功驗(yàn)證了Sony的Altair設(shè)備的NTN NB-IoT功能。使用羅德與施瓦
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CMOS傳感器+高級(jí)色彩算法，快準(zhǔn)穩(wěn)捕獲一致色彩

用機(jī)器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異，實(shí)現(xiàn)在線檢測(cè)，大大提高了檢測(cè)效率，同時(shí)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行全檢，檢測(cè)結(jié)果更為客觀、更準(zhǔn)確。問：無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運(yùn)動(dòng)鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準(zhǔn)確的色彩和豐富的細(xì)節(jié)都要求相機(jī)具備某些特征。那么，相機(jī)廠商該如何應(yīng)對(duì)這些需求提出的挑戰(zhàn)呢？答：Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級(jí)色彩算法完美結(jié)合，并具備：? 色彩校正矩陣，用于實(shí)現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)? 高質(zhì)量圖像，卓越的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍，能夠較大限度提升圖像對(duì)比度?
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