rf-cmos 文章最新資訊

AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

　　傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿(mǎn)足印刷、掃描和成像外圍設(shè)備的廣泛要求。　　AMIS宣布首個(gè)2400dpi CMOS圖像傳感器現(xiàn)已投放市場(chǎng)。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時(shí)還可降低掃描儀、支票閱讀機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、打印機(jī)和其它基于成像的外圍設(shè)備在操作時(shí)的功耗和噪音。　　新的傳感器以AMI&nb
關(guān)鍵字： 2400dpi AMIS CMOS 圖像傳感器消費(fèi)電子消費(fèi)電子

飛思卡爾使EDGE RF 子系統(tǒng)尺寸減半

緊湊型解決方案支持 DigRF 接口，縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間通過(guò)擴(kuò)大其支持Enhanced Data Rates for GSM Evolution (EDGE) 手機(jī)設(shè)計(jì)的RF產(chǎn)品，飛思卡爾半導(dǎo)體揭開(kāi)了公司第一款RF CMOS 90 納米收發(fā)器的神秘面紗。新RFX275-30是一個(gè)收發(fā)器子系統(tǒng)，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低發(fā)送和接收電流、高接收器靈敏度，并且結(jié)構(gòu)非常緊湊。通過(guò)簡(jiǎn)化編程，新
關(guān)鍵字： EDGE RF 尺寸減半單片機(jī) 飛思卡爾嵌入式系統(tǒng) 子系統(tǒng)

RF & IF Design

Click Here to Download
關(guān)鍵字： IF RF 模擬IC 電源

32段CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器AY0438及其與單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

點(diǎn)擊此處進(jìn)入下載頁(yè)面
關(guān)鍵字： CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器液晶顯示 LCD

CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計(jì)

本設(shè)計(jì)中的并行式多頻段LNA為單個(gè)LNA，但能同時(shí)工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號(hào)。
關(guān)鍵字： CMOS 多頻低噪聲放大器設(shè)計(jì)

超低功耗電子電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則

本文將對(duì)超低功耗電路設(shè)計(jì)原則進(jìn)行分析，并就怎樣設(shè)計(jì)成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結(jié) ...
關(guān)鍵字： CMOS TTL 單片機(jī)

MCU 中輸入/輸出口的使用

本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
關(guān)鍵字：掩膜 CMOS 電阻

基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計(jì)

引言隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過(guò)去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件，然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來(lái)代替一般的變?nèi)荻O管，MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
關(guān)鍵字： CMOS RF專(zhuān)題電源技術(shù) 模擬技術(shù) 射頻振蕩器

集成多路模擬開(kāi)關(guān)的應(yīng)用技巧

集成多路模擬開(kāi)關(guān)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)多路開(kāi)關(guān)）是自動(dòng)數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件，其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對(duì)系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。關(guān)于多路開(kāi)關(guān)的應(yīng)用技術(shù)，些文獻(xiàn)上介紹有兩點(diǎn)不足：一是對(duì)器件自身介紹較多，而對(duì)器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開(kāi)關(guān)的種類(lèi)，注意多路開(kāi)關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)，保證各電路單元有合適的工作狀態(tài)，才能充分發(fā)揮多路開(kāi)關(guān)的性能，甚至彌補(bǔ)某性能指標(biāo)的欠缺，收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 放大器模擬技術(shù) 模擬開(kāi)關(guān)

手機(jī)多頻帶切換力推RF MEMS 開(kāi)關(guān)發(fā)展

手機(jī)的發(fā)展要求在以低插入損耗進(jìn)行多頻帶和多模頻帶切換的同時(shí)仍保持優(yōu)良的線性特性，這推動(dòng)了RF MEMS開(kāi)關(guān)的應(yīng)用和發(fā)展。隨著新的復(fù)雜波形如WiMAX添加到混合信號(hào)上，多頻帶的切換問(wèn)題變得更加突出。目前在全球大規(guī)模興建的3G網(wǎng)絡(luò)可提供包括數(shù)據(jù)和點(diǎn)播視頻在內(nèi)的多種業(yè)務(wù)，網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展對(duì)手機(jī)設(shè)計(jì)師提出了新的挑戰(zhàn)。無(wú)線技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)使得手機(jī)可以使用7種不同的無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)(頻帶)，包括DCS、PCS、GSM、EGSM、CDMA、WCDMA、GPS 和 Wi-Fi(見(jiàn)表1)。每種標(biāo)準(zhǔn)自身均具有獨(dú)特的特性和限制，并因此產(chǎn)生了自
關(guān)鍵字： 0609_A MEMS RF RF專(zhuān)題消費(fèi)電子雜志_專(zhuān)題消費(fèi)電子

ADI推出兩款新型高集成度RF收發(fā)器

ADI公司用于WiMAX終端的高集成度RF收發(fā)器推動(dòng)寬帶無(wú)線接入的部署 ——兩款新型直接變頻收發(fā)器提供高集成度和優(yōu)異的RF性能使低成本W(wǎng)iMAX終端具有擴(kuò)展的覆蓋范圍和改進(jìn)的服務(wù)質(zhì)量。美國(guó)模擬器件公司10月10～12日在美國(guó)波士頓WiMAX世界峰會(huì)上展示了兩款用于全球微波接入互通（WiMAX）終端的射頻（RF）收發(fā)器，它們將有助于降低成本，推動(dòng)寬帶無(wú)線接入的大規(guī)模部署?；贗EE 802.16標(biāo)準(zhǔn)，WiMAX終端提供無(wú)線寬帶連接，是諸如DSL和
關(guān)鍵字： ADI RF 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 收發(fā)器通訊網(wǎng)絡(luò) 無(wú)線

ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC

——全新高性能ADF7021可滿(mǎn)足AMR、無(wú)線家庭自動(dòng)化和多種無(wú)線連接應(yīng)用要求，提供比同類(lèi)產(chǎn)品提高7dB靈敏度，最低發(fā)射器功耗電流和最少外部元件。美國(guó)模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市（Norwood, Mass.）發(fā)布推出ADF7021窄帶收發(fā)器集成電路（IC）擴(kuò)展了其業(yè)界領(lǐng)先的射頻（RF）IC產(chǎn)品種類(lèi)。ADF7021適合于工作在80 MHz～650 MHz和862 MHz～940 MHz多個(gè)頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
關(guān)鍵字： ADI CMOS IC 單片機(jī) 電源技術(shù) 工業(yè)控制接收器靈敏度模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 收發(fā)器亞吉赫茲窄帶工業(yè)控制

帶RF輸出的全數(shù)字調(diào)制器設(shè)計(jì)

目前的無(wú)線電結(jié)合了模擬和數(shù)字構(gòu)造模塊。RF功能還是適合模擬電路實(shí)現(xiàn)，而基帶功能更適合于DSP的實(shí)現(xiàn)。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 調(diào)制器數(shù)字輸出 RF

集成CMOS對(duì)稱(chēng)式收/發(fā)開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)

本文分析了影響對(duì)稱(chēng)式射頻收/發(fā)開(kāi)關(guān)性能的因素，包括柵寬、導(dǎo)通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC　0.35m　CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)。
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 開(kāi)關(guān) 對(duì)稱(chēng) CMOS 集成