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智能手機(jī)市場(chǎng)進(jìn)一步推動(dòng)MEMS傳感器銷(xiāo)售

- iSuppli公司最近預(yù)測(cè),盡管總體手機(jī)市場(chǎng)預(yù)計(jì)下滑,但今年智能手機(jī)出貨量將比2008年增長(zhǎng)11%。這樣的預(yù)測(cè)對(duì)于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)傳感器制造商來(lái)說(shuō)是求之不得的好消息。慣性傳感器已經(jīng)快速成為這些平臺(tái)中的標(biāo)準(zhǔn)配置。蘋(píng)果iPhone和Research in Motion (RIM)的Blackberry Storm等暢銷(xiāo)機(jī)型,以及三星的Omnia、HTC的Diamond和諾基亞的N95及N96,都采用了這種傳感器。 這些手機(jī)的共同之處是都采用具有觸摸靈敏度的大顯示屏,通過(guò)運(yùn)動(dòng)傳感器可以確定畫(huà)
- 關(guān)鍵字: 智能手機(jī) MEMS 陀螺儀
Point 35 Microstructures將氧化物釋放添加到MEMS制造系列
- 全球微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)產(chǎn)業(yè)蝕刻和沉積設(shè)備供應(yīng)商Point 35 Microstructures公司,今日在上海宣布推出汽相氧化物釋放蝕刻模塊,進(jìn)一步擴(kuò)展其微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS) 單晶圓制造memsstar?產(chǎn)品系列。這項(xiàng)新增的技術(shù)將確保MEMS器件設(shè)計(jì)師得到更多的生產(chǎn)選擇,同時(shí)帶來(lái)了寬泛的制造工藝窗口和各種工藝控制等等好處,從而使良率得到了最大的提升。 SVR-vHF氧化物釋放模塊結(jié)合現(xiàn)有的memsstar? SVR-Xe 犧牲性汽相釋放(SVR)模塊,利用無(wú)水氫氟蒸汽(aH
- 關(guān)鍵字: Point 35 Microstructures,SVR,MEMS
內(nèi)插和數(shù)字上變頻技術(shù)(07-100)

- 在軟件無(wú)線(xiàn)電和測(cè)試儀器中,設(shè)計(jì)人員采用多種數(shù)字信號(hào)處理(DSP)技術(shù)來(lái)改善系統(tǒng)性能。內(nèi)插法是一種DSP技術(shù),可以用內(nèi)插法提高數(shù)字信號(hào)采樣率。在采用零差式上變頻的收發(fā)器中,內(nèi)插法可以改善模擬性能。此外,在外差(用中頻)上變頻中,需要使能帶數(shù)字載波的混頻基帶信號(hào)。此稱(chēng)之為數(shù)字上變頻。因此,內(nèi)插法在現(xiàn)代通信系統(tǒng)中有一定的實(shí)用性。
- 關(guān)鍵字: 變頻 DSP RF
晶圓代工廠(chǎng)發(fā)展MEMS的唯一要訣:找到強(qiáng)大的設(shè)計(jì)伙伴
- 1位伊朗人30多年前獨(dú)自來(lái)到美國(guó)柏克萊大學(xué)念書(shū),自畢業(yè)后為了一圓其大學(xué)時(shí)期對(duì)于MEMS的夢(mèng)想,前前后后共創(chuàng)立了多達(dá)6家的MEMS設(shè)計(jì)公司,而第6家公司InvenSense在其正式開(kāi)張前,就已花了1年多時(shí)間在家埋頭苦干,開(kāi)創(chuàng)出1套前無(wú)古人的MEMS設(shè)計(jì)公司營(yíng)運(yùn)模式,如今看來(lái)他對(duì)了,至今InvenSense成為任天堂Wii下世代Wii Motion Plus游戲搖桿的唯一陀螺儀供應(yīng)商,而讓所有MEMS業(yè)界為之瞠目結(jié)舌的是,
- 關(guān)鍵字: MEMS IC 晶圓 CMOS
3G通信系統(tǒng)的直接調(diào)制無(wú)線(xiàn)電硬件結(jié)構(gòu)(05-100)

- 基站收發(fā)器系統(tǒng)(BTS)的關(guān)鍵性能部件(天線(xiàn)、無(wú)線(xiàn)電收發(fā)器,信號(hào)處理子系統(tǒng),以及支持、控制硬件和軟件)影響B(tài)TS的成本。BTS配置的一個(gè)實(shí)例示于圖1。BTS采用主分支模塊和分集分支模塊。在2G系統(tǒng)中,分集接吸器系統(tǒng)是通用的,而3G規(guī)范也定義了發(fā)射器分集的選項(xiàng)。如圖1所示,發(fā)送接收模塊(TRM)包含雙工發(fā)送和接收部分。對(duì)于廣域蜂窩站,接收器一般通過(guò)雙工器模塊(DM)和塔頂部件(TTA)連接到天線(xiàn)。TTA由低噪聲放大器(LNA)組成,LNA對(duì)于補(bǔ)償天線(xiàn)到TRM之間纜線(xiàn)損耗是必須的。TTA可以用旁路開(kāi)關(guān)(用
- 關(guān)鍵字: 3G RF
SEMI發(fā)布五項(xiàng)新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)――包含光伏硅材料檢測(cè)方法
- SEMI日前發(fā)布了五項(xiàng)新技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),涉及半導(dǎo)體、MEMS以及光伏制造產(chǎn)業(yè),由設(shè)備及材料供應(yīng)商、SEMI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目小組等的技術(shù)專(zhuān)家共同制定而成。 此次新標(biāo)準(zhǔn)包含了對(duì)于光伏硅原料的檢測(cè)方法。SEMI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)總監(jiān)James Amano,表示,“隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,SEMI已就光伏產(chǎn)業(yè)創(chuàng)建了一套標(biāo)準(zhǔn)體系。相信新標(biāo)準(zhǔn)的建立對(duì)于設(shè)
- 關(guān)鍵字: 光伏硅 半導(dǎo)體 MEMS 光伏
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