惠普宣布與海力士合作開發(fā)新型內(nèi)存

• 　　據(jù)國外媒體報道，惠普周二宣布與韓國海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)達(dá)成合作協(xié)議，共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術(shù)電阻式內(nèi)存并將其推向市場。 　　據(jù)一份聲明顯示，兩家公司將合作開發(fā)新型材料和技術(shù)，實現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會采用由惠普實驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲技術(shù)能耗更低，速度更快，而且能在斷電時存儲數(shù)據(jù)?；萜战衲甏杭痉Q表示，憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。 　　ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
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