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power-soi 文章 最新資訊

Vishay幫助客戶進一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進性

  • Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹 賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Stri
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IBM公司介紹新款多功能處理器Wire-Speed Power

  • 　　在近日舉辦的國際固態(tài)電路研討會ISSCC上，IBM公司介紹了一種定位介于服務器處理器和網(wǎng)絡(luò)用處理器之間的新型處理器，他們將這種處理器命名為 Wire-Speed Power處理器，這種處理器據(jù)IBM公司稱是面向新的系統(tǒng)級產(chǎn)品市場推出的，其應用領(lǐng)域包括網(wǎng)絡(luò)邊緣設(shè)備，服務器智能化I/O以及分布式運算等。 　　IBM公司負責wire-speed架構(gòu)設(shè)計的首席設(shè)計師Charlie Johnson表示：“我認為這款產(chǎn)品是IBM有史以來開發(fā)的最復雜的產(chǎn)品。”IBM方面展示的有關(guān)介紹文件稱
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ADI助力Northern Power Systems的風輪機設(shè)計

  • 隨著傳統(tǒng)燃料生產(chǎn)和消耗所導致的環(huán)境和經(jīng)濟問題與日俱增，清潔的可再生能源市場應運而生。作為一種彌補石油、...
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XP Power推出低功率絕緣隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器JHM系列

  • 　　XP Power 正式宣布推出超緊湊低功率絕緣隔離DC/DC 轉(zhuǎn)換器JHM系列。該系列可選3W和6W的插件式安裝，封裝符合工業(yè)DIP-24引腳標準，并且符合國際醫(yī)療設(shè)備需要滿足的UL / IEC 60601-1 和 CSA-C22.2 No 601.1安規(guī)認證。該產(chǎn)品提供3000VAC輸入至輸出絕緣一分鐘，可滿足BF和CF應用所需要的次級絕緣要求，5000VAC絕緣可達10毫秒，可滿足心臟手術(shù)設(shè)備應用。任何病人需要接觸到的醫(yī)療器械都需要提供危險電壓的絕緣保護并且到達到低漏電流的標準。JHM系列漏電流僅
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ARM發(fā)布45納米SOI測試結(jié)果，最高節(jié)能40%

  • 　　ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結(jié)果。結(jié)果表明，相較于采用傳統(tǒng)的體效應工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實施之間進行直接的比較。此次發(fā)布的結(jié)果證實了在為高性能消費設(shè)備和移動應用設(shè)計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統(tǒng)體效應工藝的可行技術(shù)。 　
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ARM制成45nm SOI測試芯片 功耗降低40%

  • 　　據(jù)ARM的研究人員的報道，公司制成的45nm SOI測試芯片和普通相同尺寸工藝相比，功耗可減少40%。該結(jié)果在近期的IEEE SOI Conference上發(fā)表。
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GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數(shù)

  • 　　在最近召開的GSA會議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達到兩位數(shù)水平，預計年底良率有望達到50%左右。GlobalFoundries同時會在這個會議上展示其最新的制造設(shè)備。 　　據(jù)稱目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應已達到70-80%左右的水平，而且已經(jīng)進入正式量產(chǎn)階段，在32nm制程方面他們顯然又領(lǐng)先了一大步。不過按AMD原來的計劃，32nm SOI制程將在2
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“PAC 2009 China”金秋十月北京登場

  • 　　由Power.org 主辦的 Power Architecture Conference(PAC2009)盛會將再次回到中國，大會將于10月14日在北京·柏悅酒店召開。會議將聚焦多用途的Power架構(gòu)技術(shù)平臺以及它繁茂而充滿生機的生態(tài)系統(tǒng)。 本次大會將亮相基于Power 架構(gòu)的最新產(chǎn)品和解決方案以及來自Power.org的倡議，會議組織方還邀請了業(yè)界頂尖的專家做主題演講并展開討論和交流。 　　當今世界日新月異，根據(jù)需求不斷創(chuàng)新已經(jīng)成為時代發(fā)展的必然。Power Architecture
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Soitec第一季度銷售額環(huán)比增長22.3%

  • 　　法國SOI技術(shù)公司Soitec公布2009-2010財年第一季度銷售額為4390萬歐元(約合6190萬美元)，環(huán)比增長22.3%，同比減少27.2%。 　　6月，Soitec在收到了主要客戶的急單之后，大幅上調(diào)了第一財季的預期，預測第一季度銷售額環(huán)比增長20%。 　　第一季度，Soitec稱晶圓銷售收入為4110萬歐元(約合5790萬美元)，環(huán)比增長30.8%。其中300mm晶圓占了84%的份額，環(huán)比增長35%。
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NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品

  • 　　恩智浦半導體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴苛應用條件下
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Global Foundries挖角為新廠Fab2鋪路

  • 　　Global Foundries再度展開挖角，繼建置布局營銷業(yè)務、設(shè)計服務團隊之后，這次延攬建廠、廠務人才并將目標鎖定半導體設(shè)備商，Global Foundries預計2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫中，這次延攬的Norm Armour原屬設(shè)備龍頭應用材料(Applied Materials)服務事業(yè)群高層，而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠營運干部，兩人都熟稔晶圓廠設(shè)備系統(tǒng)與IBM技術(shù)平臺。 　　Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是為了積極籌備位于紐
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Global Foundries志在英特爾　臺廠不是主要對手

  • 　　Global Foundries制造系統(tǒng)與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專攻28納米制程已以下制程技術(shù)，未來將持續(xù)延攬來自各界半導體好手加入壯大軍容，同時他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數(shù)轉(zhuǎn)進40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領(lǐng)域臺積電雖是對手之一，但真正的目標(Bench Mark)其實對準英特爾(Intel)。 　　競爭對手臺積電45/40
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英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊

  • 　　新聞事件： 　　韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 　　事件影響： 　　將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應用等前景好的市場 　　LS預計于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊 　　韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。 　　合
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新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

  • 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應。
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新型節(jié)能照明電源的控制技術(shù)(07-100)

  • 　　用于建筑照明方面的電力管理解決辦法，如電感熒光燈，電子熒光燈，緊湊型熒光燈(CFL)，鹵素燈控制集成電路以及高壓氣體放電燈(H1D)技術(shù)等, 用于范圍寬廣的居民區(qū)、商業(yè)和汽車中，減少了它們所需要的電力,在節(jié)能方面向前邁進了巨大的一步。其控制集成電路中的自適應控制技術(shù)和高電壓半導體結(jié)隔離技術(shù)是其中的一部分,獲得了廣泛應用。
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