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英飛凌推出全新40V P溝道OptiMOS P2芯片
- 2011年9月9日，德國紐必堡訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標桿，從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領域的領導地位。
- 關鍵字： 英飛凌 汽車電源 OptiMOS P2
英飛凌推出OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
- 英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產品陣容。該系列器件經過優(yōu)化，適合應用于計算機服務器電源的電壓調節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關。這種全新的MOSFET還被集成進滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。 通過大幅降低三個關鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
- 關鍵字： 英飛凌 OptiMOS MOSFET DrMOS
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機驅動。憑借同類器件中最低的優(yōu)質化系數(shù)(FOM)，OptiMOS 200V和250V技術可使系統(tǒng)設計的導通損耗降低一半。 對于應用二極管整流的48V開關電源而言，工程師們現(xiàn)在有了全新的選擇，從而使得整體效率大于95%。這比當前典型的效率水平高出兩個百分點，從功率損耗的角度看，也就是發(fā)熱量降
- 關鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS
高效能電源需求催生MOSFET變革創(chuàng)新 英飛凌專家詳解提升能效秘笈
- 環(huán)境污染、溫室效應、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經使全球有識之士認識到節(jié)能減排提高能效是未來科學技術活動一項長期的任務。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開關電源高級市場經理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個時髦詞匯，更是一個全球挑戰(zhàn)！”如何應對這項挑戰(zhàn)？各個半導體紛紛從半導體器件入手，幫助系統(tǒng)公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來動作頻頻，近日，英飛凌公司高調發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
- 關鍵字： 英飛凌 半導體 OptiMOS MOSFET 導通電阻 CanPAK封裝 DirectFET封裝 電源管理
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