oip 3d fabric 文章 進入oip 3d fabric技術(shù)社區(qū)
東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成
- 東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示,將沖刺NAND Flash產(chǎn)量,目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。 關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash,成毛康雄指出,將強化3D Flash的生產(chǎn),目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。 東芝為全球第2大NAND Flash廠商,市占率僅次于三星電子。 日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(
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2016年下半3D NAND供應商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢

- DIGITIMES Research觀察,2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業(yè)者,然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash,三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變,不過,三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進,短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢。 三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
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3D NAND成半導體業(yè)不景氣救世主
- 韓媒NEWSIS報導,韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產(chǎn)的技術(shù),在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu),3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。 3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高,讀寫速度快,耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?;谏鲜鰞?yōu)點,對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關(guān)服務(wù),3D NAND成為具有潛力,有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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醫(yī)療新巨頭誕生:6000萬美元的大合并!

- 去年10月,全球3D打印醫(yī)療應用領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)3D Medical,與頂級醫(yī)學圖像處理技術(shù)開商Mach7合并。如今,這樁交易已經(jīng)宣布完成,合并后的新公司被稱為Mach7 Technologies,并將在澳大利亞證交所上市,交易代碼M7T。 據(jù)悉,3D Medical原本就以向醫(yī)生提供針對不同病人的3D打印各種定制器官和骨骼模型而知名;而Mach7的主要業(yè)務(wù)則是醫(yī)學影像技術(shù)。在這筆總額高達6000萬美元的合并交易完成之后,新公司將會把總部設(shè)在澳洲的墨爾本。 據(jù)了解,3D Medical和Ma
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投資10nm/3D NAND 晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

- 國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報告指出,3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資,將驅(qū)動2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升,預估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長3.7%,達372億美元;而2017年則可望再成長13%,達421億美元。 SEMI指出,2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升,下半年則將開始加速,為2017年儲備動能。2017年相關(guān)支出可望回復兩位數(shù)成
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2016年迎3D NAND技術(shù)拐點,誰輸在起跑線?
- 為了進一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益,2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn),但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限,加快向3D技術(shù)導入已迫在眉睫,2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點。 1、積極導入48層3D技術(shù)量產(chǎn),提高成本競爭力 與2D工藝相比,3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb,與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
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3D NAND技術(shù)謹慎樂觀 中國存儲產(chǎn)能有望釋放
- 全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%,2016年將下降10.6%,有望在2017年與2018年迎來復蘇。但是,預測隨著中國公司攜本地產(chǎn)品進入DRAM市場,DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預計在2015年下降11.6%,并在2016年進一步下降6.7%。 DRAM市場2016年供過于求 近期,我們對于DRAM市場的預測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑,而在
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Stratasys與Creaform在中國大陸與香港地區(qū)強強聯(lián)手,共同開拓3D市場
- 3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導者 Stratasys Ltd.(納斯達克代碼:SSYS)上海分公司與便攜式 3D 測量解決方案和工程服務(wù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)航者Creaform形創(chuàng)中國,今天聯(lián)合宣布將兩公司的戰(zhàn)略合作拓展至中國大陸與香港地區(qū)。 Stratasys與形創(chuàng)的此次合作,將為市場提供更加整合的3D解決方案,讓用戶得以同時利用前沿的3D掃描技術(shù)與3D打印技術(shù),完成從輸入端的產(chǎn)品掃描到輸出端的產(chǎn)品成型,確保工作流程一氣呵成。此次合作將以教
- 關(guān)鍵字: Stratasys 3D 打印
Imagination 宣布與 NetSpeed 合作開發(fā)新的 Fabric 架構(gòu)技術(shù)
- Imagination 宣布,將與片上網(wǎng)絡(luò) (on-chip network) 技術(shù)和工具 供應商NetSpeed Systems合作,為最先進的SoC (系統(tǒng)單芯片) 設(shè)計提供下一代的 Fabric 架構(gòu)解決方案?! 杉夜緦?nbsp;Imagination IP 平臺部署以及 Imagination 客戶的 SoC 設(shè)計開發(fā)非一致性&
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Imagination 宣布與 NetSpeed 合作開發(fā)新的 Fabric 架構(gòu)技術(shù)
- Imagination Technologies 宣布,將與片上網(wǎng)絡(luò) (on-chip network) 技術(shù)和工具 供應商NetSpeed Systems合作,為最先進的SoC (系統(tǒng)單芯片) 設(shè)計提供下一代的 Fabric 架構(gòu)解決方案?! 杉夜緦?nbsp;Imagination IP 平臺部署以及 Imagination 客戶的
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oip 3d fabric介紹
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