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nor閃存
nor閃存 文章 進(jìn)入nor閃存技術(shù)社區(qū)
ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多電平單元NOR閃存
- ST推出了一個(gè)采用65nm制造工藝的PR系列NOR閃存產(chǎn)品。基于第四代多電平單元(MLC)技術(shù)，65nm PR系列閃存的軟硬件兼容現(xiàn)有的90nm PR系列NOR閃存，為客戶(hù)升級(jí)現(xiàn)有系統(tǒng)提供了一條捷徑，同時(shí)還提高了存儲(chǔ)密度和產(chǎn)品性能。 為滿(mǎn)足移動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)高分辨相機(jī)、多媒體內(nèi)容和快速聯(lián)網(wǎng)的需求，新的65nm PR系列閃存的突發(fā)讀取速度達(dá)到133MHz，編程速度達(dá)到1.0-MB/s，支持深關(guān)斷睡眠模式，采用1.8V電源電壓。這個(gè)先進(jìn)的NOR閃存系列產(chǎn)品與LPSDRAM、L
- 關(guān)鍵字： 65nm NOR閃存 ST 單片機(jī) 多電平單元 裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 嵌入式系統(tǒng)
nor閃存介紹
flash閃存是非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)稱(chēng)為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。任何flash器件的寫(xiě)入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫(xiě)入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫(xiě)為0。
由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個(gè)寫(xiě)入/擦除操作的時(shí)間為5s，與此相反，擦除NAND器件是 [ 查看詳細(xì) ]
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