iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達到14億美元，比第1季度的12億美元增長18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉(zhuǎn)向NAND閃存，該公司的NAND市場份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個百分點。 iSuppli內(nèi)存/存儲系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現(xiàn)強勁主要是按容量計算增長11%，出貨量增加歸功于擴大蘋果iPhone和iPod等消
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消費電子 三星 NAND 閃存 消費電子
摘要：主要介紹內(nèi)核兼容8051的MSC1210單片機結構特點，其高性能ADC、片內(nèi)存儲器以及Flash編程應用等功能。
關鍵詞：MSC1210 ADC PGA Flash
實際應用系統(tǒng)往往需要進行高精度的測量，同時還必須進行實時快速控制，提高其開發(fā)效率。為此人們常采用高精度A/D芯片加帶ISP開發(fā)功能的單片機系統(tǒng)來實現(xiàn)。德州儀器（TI）的MSC1210單片機解決了上述問題。它集成了一個增強型8051內(nèi)核、高達33 MHz
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MSC1210 ADC PGA Flash MCU和嵌入式微處理器
致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿足手機和消費產(chǎn)品中存儲豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
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PISMO NOR NAND 閃存
在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠商均密切關注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業(yè)界預測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升。 業(yè)界預測DRAM內(nèi)存合同價在8月還將上升，同時受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價格，力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報價。 在三星向外界透露
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三星 NAND 閃存
NAND Flash供需出現(xiàn)進一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故，導致市場產(chǎn)生供給量減少之預期亦是主因。然而合約價部份，由于廠商仍存在過度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電，生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線全部停止運轉(zhuǎn)。雖然4日恢復運轉(zhuǎn)，但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄。現(xiàn)階段Samsung與市場上仍有一定庫存量，9月份實際供給
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三星 NAND 閃存
據(jù)閃存技術的最大支持者之一稱，閃存將“接管”整個世界。 本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會”上說，一方面，NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤失去了用武之地，現(xiàn)在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構成了威脅。 他說，NAND下一個大市場將是視頻，明年，市場上將會出現(xiàn)配置了更多閃存的相機和拍照手機。明年，市場上還將出現(xiàn)更多的閃存筆記本電腦。 在未來的5-7年內(nèi)，NAND還將開始取代DRAM。由于技
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NAND 閃存
2007年NAND Flash價格走勢戲劇化，但對下游廠商而言，可謂是幾家歡樂幾家愁，一線快閃記憶卡大廠樂得NAND Flash價格止跌反彈，終止長達1年的慘淡經(jīng)營時期；然對于產(chǎn)業(yè)中的二、三線記憶卡廠而言，這波NAND Flash價格大漲的行情，反而不是什么好消息。因為小廠的拿貨能力有限，當上游NAND Flash大廠供給一夕大減，連一線大廠都不見得拿得到足夠的貨源時，等于是宣判小廠正式出局！ 業(yè)界表示，這波NAND Flash價格上漲除了是蘋果(Ap
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NAND 閃存 消費電子
集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷售排名，南韓三星(Samsung)第二季市占率達43.9%，穩(wěn)居全球龍頭寶座，日本東芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大廠合計市占率達85.5%，市場集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暫緩產(chǎn)能擴充計劃，加上大廠們新制程技術轉(zhuǎn)換仍處調(diào)整期，因此整體NAND Flash位產(chǎn)出量僅維持與第一季相當水平，不過受惠于產(chǎn)品價格止跌大幅彈升1成以上水平，帶動NANDFlash制造廠銷售
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三星 NAND 閃存
NOR 和NAND 是閃存(Flash Memory)的兩大主要類型，強調(diào)可靠性的NOR 主要用途在于應用程序和操作系統(tǒng)儲存(Code Storage)，成本較低的NAND 則主要使用于數(shù)據(jù)儲存(Data Storage)方面，近來由于手機、數(shù)字相機、數(shù)字音樂播放機、可攜式媒體播放機(PMP)、機頂盒(STB)等終端產(chǎn)品的需求旺盛，帶動兩者銷售量持續(xù)成長，尤其NAND 在蘋果計算機推出的數(shù)字音樂播放機iPod 熱賣
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NAND 內(nèi)存
閃存的合約價格在7月下半月繼續(xù)上漲，不過目前漲勢已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預計第三季度價格將輕微上漲，同時出貨量也大幅提升了。同時，NAND目前價格也呈現(xiàn)上升趨勢，這主要得益于閃存應用范圍的不斷拓展。 DRAM報價一片漲聲 根據(jù)內(nèi)存交易機構DRAMeXchange（集邦電子）的數(shù)據(jù)，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上，不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
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NAND DRAM 閃存
集邦科技表示，手機及MP3/PMP播放器是今年耗用NAND Flash產(chǎn)能最多的前兩大終端裝置，合計使用的NAND Flash將占市場需求端的一半以上，達52.1%，將是左右NAND Flash市場供需的關鍵。集邦科技指出，手機將是今年NAND Flash最大應用市場，所占比重達27.3%，MP3/PMP播放器次之，約占24.8%；其中MP3/PMP播放器市場，iPod全球市占率超過一半以上，Apple因而是影響市場供需的關鍵廠商。至于手機市場方面，由于NAND&n
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NAND 閃存 消費電子
NAND型快閃存儲器(Flash)終端需求快速擴散，從過去由數(shù)碼相機(DSC)獨霸應用端型態(tài)，近期已轉(zhuǎn)變成MP3播放器、手機、DSC金三角撐起一片天局面，3者合計占NAND Flash應用達80%，隨身碟應用則緊追在后；值得注意的是，自2007年第3季起，由于插卡式手機快速普及，使得手機占NAND Flash應用比重已正式超過MP3播放器。 目前NAND Flash應用主要包括DSC、MP3播放器、手機、隨身碟和其它應用，其中，DSC、MP3播放器、手機等3項領域共占
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NAND 閃存 消費電子
根據(jù)內(nèi)存市場研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所發(fā)表的最新報告，七月上旬NAND Flash合約價出爐；SLC市場供給吃緊、合約價大漲，平均漲幅約15%~30%。而根據(jù)集邦的研究數(shù)據(jù)來觀察，整體NAND Flash需求將在本季超過供給，下半年NAND Flash產(chǎn)出將供不應求。 在MLC部分，集邦表示，因供貨商持續(xù)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往8Gb以上的產(chǎn)品，另外加上iPhone題材所帶來的預期心理，4Gb產(chǎn)出日益降低而大漲30%，高容量MLC也順勢漲了
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NAND 內(nèi)存 存儲器
集邦科技最新報告指出，伴隨需求持穩(wěn)放大，加上DRAM、FLASH產(chǎn)能供給調(diào)整趨于平衡，NAND FLASH浮現(xiàn)供給缺口跡象，七月上旬NANDFLASH合約報價，SLC大漲15％至30％之多％。集邦認為，依照當前掌握數(shù)據(jù)觀察，整體NAND Flash需求將在第三季超過供給，下半年NAND Flash將供不應求，第三季、第四季供給缺口各約0.3％、1.5％。 模塊廠勁永指出，F(xiàn)lash第二季初仍持續(xù)下跌，因上游國際大廠SLC及MLC制程轉(zhuǎn)換影響，五月份下旬價格才開始緩步
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NAND 閃存
NAND flash方面，由于iPhone內(nèi)部使用的NAND flash顆粒是以三星（Samsung）的產(chǎn)品為主，所以三星的NAND flash營收也將因iPhone的熱賣而直接受益。集邦科技預估iPhone今年下半年出貨量至少約在400萬支左右，而2008年iPhone的出貨量將占全球手機市場的1%左右，到達1200萬支。倘若iPhone今年下半年4GB和8GB的出貨比重相同，則iPhone耗用NAND flash的數(shù)量為192mn (1Gb的顆粒為單位
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iPhone NAND 閃存
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