nand-flash 文章 最新資訊
三維NAND內(nèi)存技術(shù)將讓固態(tài)存儲看到希望
- IBM的技術(shù)專家Geoff Burr曾說過,如果數(shù)據(jù)中心的占地空間象足球場那么大,而且還要配備自己的發(fā)電廠的話,那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而,如果首席信息官們現(xiàn)在不定好計劃將他們的數(shù)據(jù)中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺的話,那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。 這并非危言聳聽,過去的解決方案現(xiàn)在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現(xiàn)象,這就是最好的證明。以前,如果需要更多的性能或容量,企業(yè)只需在數(shù)據(jù)中心添加更多的傳統(tǒng)硬盤就可以了,而且那樣做也很方便。現(xiàn)在,Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
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Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲器在E5中的應(yīng)用
- 1. E5的特點及體系結(jié)構(gòu)
E5是位于美國硅谷的公司Triscend 推出的一款全新的CPU,它是基于8051的內(nèi)核,但將微處理器的內(nèi)核,ASCI及可重構(gòu)邏輯陣列集成與一體,構(gòu)成一款CSOC(可配置系統(tǒng))芯片。Triscend E5的主要特點 - 關(guān)鍵字: E5 應(yīng)用 存儲器 數(shù)據(jù) Memory 作為 Flash Triscend E5 閃存 映射
FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)今日宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估??蛻?/li>
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FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估。客戶對制造過程中無灰化光刻膠剝離法、實現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
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DRAMeXchange:2009年NAND flash產(chǎn)能預(yù)計將減小59%
- 據(jù)EE Times網(wǎng)站報道,市場研究公司DRAMeXchange的分析顯示,全球NAND flash產(chǎn)能繼2008年減少近28%之后,2009年將再降59%。 2009年NAND flash位增長幅度將較2008大64%,而2007年位增長率高達133%。如果需求在下半年恢復(fù)且供應(yīng)商控制其產(chǎn)出增長,那供應(yīng)過剩的局面可能得到改善,NAN
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嵌入式操作系統(tǒng)自更新機制的設(shè)計與應(yīng)用
- 引言隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展和廣泛應(yīng)用,必不可少的維護工作變得日益繁重。如移動電話在用戶使用過程中,部...
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2008年存儲市場忽上忽下,令人難忘
- 2008年對于全球存儲產(chǎn)業(yè)來說是一個重要階段,發(fā)生了幾件改變市場的大事: ? 一種高清DVD格式落敗,而另一種格式則成為產(chǎn)業(yè)標準。 ? 固態(tài)存儲作為硬盤的替代品,地位繼續(xù)上升 ? 年末經(jīng)濟滑坡破壞了整體科技產(chǎn)業(yè)的前景 HD-DVD之死 一年以前,緊接著2008年1月的國際消費電子展會(CES),華納兄弟作出了令業(yè)內(nèi)震驚的聲明,表示將放棄原來以HD DVD高清DVD格式發(fā)行其內(nèi)容的計劃,轉(zhuǎn)而完全采用藍光標準。 HD DVD陣營為此遭到當頭一棒,領(lǐng)頭者東芝也不再支持該格
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解密16G MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細節(jié)
- 2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市場上閃亮登場。通過整合I...
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 技術(shù)細節(jié) 位密度 多晶硅
受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價格回穩(wěn)
- 12月25日消息,據(jù)臺灣媒體報道,NAND Flash12月下旬合約價出爐,終止先前下跌趨勢,至少都以平盤以上開出,主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上,隨價格回穩(wěn)走揚,將有助創(chuàng)見、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫存跌價損失壓力。 業(yè)者指出,這次NAND Flash價格止跌回穩(wěn),主要是反應(yīng)日本東芝與韓國海力士減產(chǎn)效益,隨晶片廠對力保價格不跌有了堅定共識,也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢已逐步確立。 根據(jù)集邦科技昨日最新報價,NAND Flash12月下旬合約價都以平盤以上開出,其中以16Gb主流規(guī)格
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