nand flash 文章最新資訊

C8051F的超大容量Flash存儲器擴展

　　摘要：NAND結構Flash數據存儲器件是超大容量數據存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤、MP3和數碼相機的數據存儲。本文對該類型Flash的基本操作進行研究并對實際應用系統(tǒng)給予驗證，揭示了NAND結構Flash的操作規(guī)律。關鍵詞：NAND Flash 數據存儲 C8051F 引言　　大容量數據存儲是單片機應用系統(tǒng)的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結構Fla
關鍵字： NAND Flash 數據存儲 C8051F MCU和嵌入式微處理器

TMS320C6713的FLASH引導裝載系統(tǒng)設計

前言 DSP系統(tǒng)的引導裝載是指在系統(tǒng)加電時，由DSP將一段存儲在外部非易失性存儲器中的代碼移植到內部高速存儲器單元并執(zhí)行的過程。這種方式即可利用外部存儲單元擴展DSP本身有限的ROM資源，又能充分發(fā)揮DSP內部資源的高速效能。因此，引導裝載系統(tǒng)的性能直接關系到整個DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度，是DSP系統(tǒng)設計中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中，外部非易失性存儲器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫存儲器，而且單位存儲比特的價格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此，本文介紹了TMS320
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 TMS320C6713 FLASH 中間件軟件庫

NAND閃存合同價格自六月以來首次下跌

九月，NAND閃存芯片合約價格自六月以來首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內存制造商經歷庫存增加壓力。　　根據內存市場研究機構DRAMeXchange最新調查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價格則相對穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價格有所回升。　　據臺灣內存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業(yè)內，使得激烈價格上升。需求被昂貴的價格壓抑，反映在現貨市場價格疲弱。　　雖然許多內存庫存商8月期間已經減少其采購，最新的報價仍然加
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND 閃存嵌入式

三星等涉嫌操控NAND閃存價格被起訴

據國外媒體報道，三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價格而遇到集體訴訟。　　據悉，被起訴的24家廠商包括雷克沙（Lexa）、日立美國公司、日立公司、日立電子設備美國公司、Hynix美國公司、Hynix半導體、美光（Micron）科技、美光半導體產品部公司、三菱公司、三菱電子美國公司；　　Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國公司、SanDisk、三星半導體、三星電子、意法半導體、東芝、東芝美國公司、東芝美國電子部件公司、
關鍵字：消費電子三星 NAND 閃存消費電子

51內核8位單片機MAX7651的開發(fā)環(huán)境

　　摘要：介紹一種基于四時鐘周期、高速8051內核的混合信號8位單片機MAX7651。探討在開發(fā)基于MAX7651的應用系統(tǒng)時所面臨的問題，并推薦相應的解決方案。關鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期　　在全球8位單片機領域，英特爾（Intel）生產的MCS-51系列是毋庸質疑的領導者。借助英特爾廣泛的授權行為，基于8051內核的8位單片機兼容產品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
關鍵字： MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期 MCU和嵌入式微處理器

基于NOR FLASH存儲器的嵌入式文件系統(tǒng)的設計

本文中，我們將以嵌入式操作系統(tǒng)WINCE為背景，來討論嵌入式手持移動終端中文件系統(tǒng)的實現。
關鍵字： FLASH NOR 存儲器嵌入式文件系統(tǒng)

AVR單片機的RC5和RC6算法比較與改進

　　摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機功能強大，在無線數據傳輸應用方面很有優(yōu)勢。本文基于Atmega128高速嵌入式單片機，實現RC5和RC6加密及解密算法，并對算法進行匯編語言的優(yōu)化及改進。根據實驗結果。對兩種算法的優(yōu)熱點進行比較和分析。關鍵詞：Atmega128 RC5 RC6 分組密碼混合密鑰 Flash 引言　　在無線局域網中，傳輸的介質主要是無線電波和紅外線，任何具有接收能力的竅聽者都有可能攔截無線信道中的數據，掌握
關鍵字： Atmega128 RC5 RC6 分組密碼混合密鑰 Flash MCU和嵌入式微處理器

基于FPGA的NAND FLASH控制器

1 引言在便攜式電子產品如U盤、MP3播放器、數碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜，對時序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA NAND FLASH 嵌入式

三星產能轉向NAND閃存公司市場份額猛增

iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達到14億美元，比第1季度的12億美元增長18.9%。三星在2007年上半年將部分產能從DRAM轉向NAND閃存，該公司的NAND市場份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個百分點。 iSuppli內存/存儲系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現強勁主要是按容量計算增長11%，出貨量增加歸功于擴大蘋果iPhone和iPod等消
關鍵字：消費電子三星 NAND 閃存消費電子

一種新型單片機MSC1210及其應用

　　摘要：主要介紹內核兼容8051的MSC1210單片機結構特點，其高性能ADC、片內存儲器以及Flash編程應用等功能。關鍵詞：MSC1210 ADC PGA Flash 實際應用系統(tǒng)往往需要進行高精度的測量，同時還必須進行實時快速控制，提高其開發(fā)效率。為此人們常采用高精度A/D芯片加帶ISP開發(fā)功能的單片機系統(tǒng)來實現。德州儀器（TI）的MSC1210單片機解決了上述問題。它集成了一個增強型8051內核、高達33 MHz
關鍵字： MSC1210 ADC PGA Flash MCU和嵌入式微處理器

PISMO顧問委員會發(fā)布新2.0多媒體標準

致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿足手機和消費產品中存儲豐富媒體內容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
關鍵字： PISMO NOR NAND 閃存

三星調高閃存價格帶動內存價格上升

　在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產后，各廠商均密切關注該事件對NAND閃存價格造成的影響。業(yè)界預測DRAM內存合同價在8月還將上升。　　業(yè)界預測DRAM內存合同價在8月還將上升，同時受三星電子上周一因某工廠停產的影響，NAND閃存的價格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現貨市場的價格，力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調高了eTT DRAM內存的報價。　　在三星向外界透露
關鍵字：三星 NAND 閃存

三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊

　NAND Flash供需出現進一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故，導致市場產生供給量減少之預期亦是主因。然而合約價部份，由于廠商仍存在過度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應止于小幅上揚。　　Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電，生產NAND Flash等之6條生產線全部停止運轉。雖然4日恢復運轉，但原本部份制造中的產品將廢棄?，F階段Samsung與市場上仍有一定庫存量，9月份實際供給
關鍵字：三星 NAND 閃存

NAND閃存迎來大發(fā)展新芯片工藝是轉折點

據閃存技術的最大支持者之一稱，閃存將“接管”整個世界。　　本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會”上說，一方面，NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經使1英寸硬盤失去了用武之地，現在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構成了威脅。　　他說，NAND下一個大市場將是視頻，明年，市場上將會出現配置了更多閃存的相機和拍照手機。明年，市場上還將出現更多的閃存筆記本電腦。　　在未來的5-7年內，NAND還將開始取代DRAM。由于技
關鍵字： NAND 閃存

NAND缺貨潮空襲存儲卡小廠幾乎倒一半

2007年NAND Flash價格走勢戲劇化，但對下游廠商而言，可謂是幾家歡樂幾家愁，一線快閃記憶卡大廠樂得NAND Flash價格止跌反彈，終止長達1年的慘淡經營時期；然對于產業(yè)中的二、三線記憶卡廠而言，這波NAND Flash價格大漲的行情，反而不是什么好消息。因為小廠的拿貨能力有限，當上游NAND Flash大廠供給一夕大減，連一線大廠都不見得拿得到足夠的貨源時，等于是宣判小廠正式出局！　　業(yè)界表示，這波NAND Flash價格上漲除了是蘋果(Ap
關鍵字： NAND 閃存消費電子

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數 [ 查看詳細 ]