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mosfet-driver 文章 最新資訊

功率半導體充當節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐

  • 　　過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅動相關電機進行所需的工作。如今，新型功率半導體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
  • 關鍵字： 功率半導體  MOSFET  IGBT  

Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術的最新器件，使用了自矯正的工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術實現(xiàn)了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  SiA433EDJ  

理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

  • 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在
  • 關鍵字： MOSFET  RDS  ON  溫度系數(shù)    

Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET

  • 　　日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。 　　在種類繁多的便攜式設備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  Si8461DB  Si8465DB  

安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET

  • 　　全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應用中的同步降壓轉換器提供更高的開關性能。 　　新系列的MOSFET利用安森美半導體獲市場驗證的溝槽技術，提供優(yōu)異的導通阻抗[RDS(on)]及更高的開關性能，用于個人計算機(PC)、服務器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源
  • 關鍵字： 安森美  MOSFET  溝槽  同步降壓轉換器  

理解功率MOSFET的開關損耗

  • 本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導作用并更加深入理解MOSFET。

  • 關鍵字： MOSFET  開關損耗    

無須降壓電容的低零件成本LED Driver

  • 　　特點－ 　　工作電壓范圍：5V~450V 　　支持四種調(diào)光方式：開關調(diào)光、脈沖信號(PWM)調(diào)光、DC調(diào)光（0~5V）、熱平衡調(diào)光。 　　多重保護功能：LED開路保護、LED短路保護、過電流保護、過溫度保護 　　支持隔離或非
  • 關鍵字： 綠達  LED Driver  

MOSFET管并聯(lián)應用時電流分配不均問題探究

  • 1 引言
    MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性，可自動調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題，關于此問題，
  • 關鍵字： 不均  問題  探究  分配  電流  管并聯(lián)  應用  MOSFET  

采用射頻功率MOSFET設計功率放大器

  • 1. 引言
    　本文設計的50MHz/250W 功率放大器采用美國APT公司生產(chǎn)的推挽式射頻功率MOSFET管ARF448A/B進行設計。APT公司在其生產(chǎn)的射頻功率MOSFET的內(nèi)部結構和封裝形式上都進行了優(yōu)化設計，使之更適用于射頻功率放大器
  • 關鍵字： MOSFET  射頻功率  功率放大器    

即將普及的碳化硅器件

  • 　　隨綠色經(jīng)濟的興起，節(jié)能降耗已成潮流。在現(xiàn)代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 　　據(jù)統(tǒng)計，60%至70%的電能是在低能耗系統(tǒng)中使用的，而其中絕大多數(shù)是消耗于電力變換和電力驅動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 　　在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
  • 關鍵字： 豐田  SiC  碳化硅  MOSFET  200910  

MOSFET市場快速發(fā)展，本土企業(yè)見起色

  • 　　全球節(jié)能環(huán)保意識高漲使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的主流趨勢。相應地，電源|穩(wěn)壓器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應用到整機電子產(chǎn)品中。在功率器件產(chǎn)品中，MOSFET的市場需求增長最快。據(jù)分析機構數(shù)據(jù)顯示，盡管受全球金融危機影響， 2008年，中國MOSFET市場需求量為198.2億個，仍比2007年增長了11.9%。 　　在應用方面，目前消費電子已成為MOSFET最大的應用市場，這主要得益于MOSFET在便攜式產(chǎn)品、LCD TV等消費電子產(chǎn)品中的廣泛應用。其次，是計算機、工業(yè)控制
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  穩(wěn)壓器  

探討采用綠色塑料封裝的功率MOSFET性能

  • 引言歐盟部長理事會已經(jīng)執(zhí)行RoHS指令(在電子電氣設備中限制使用某些有毒有害物質(zhì)指令)以及WEEE指...
  • 關鍵字： MOSFET  綠色  塑料封裝  

IR推出適用于汽車柵極驅動應用的器件AUIRS2016S

  • 　　全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2016S 器件，適用于汽車柵極驅動應用，包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應用，以及螺線管驅動器。 　　AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側驅動器，具有內(nèi)部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅動器配備一個250mA高脈沖電流緩沖級。相關溝道能夠在高側配置中驅動一個N溝道功率MOSFET，可在高于地電壓達150V的條
  • 關鍵字： IR  MOSFET  驅動器  AUIRS2016S  

飛兆推出RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務器、刀片式服務器和路由器的設計人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開關或ORing FET，為服務器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續(xù)導通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  FDMS7650  

Fairchild推出新一代超級結MOSFET-SupreMOS

  • 　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應用的設計人員帶來SupreMOS?新一代600V超級結MOSFET系列產(chǎn)品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS?系列器件兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷，相比飛兆半導體的600V SuperFET&trade
  • 關鍵字： Fairchild  MOSFET  SupreMOS  SuperFET  
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