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mosfet-driver 文章 最新資訊

東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。  新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
  • 關鍵字： 東芝  SiC MOSFET  

Nexperia發(fā)布具備市場領先效率的晶圓級12和30V MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關
  • 關鍵字： Nexperia  晶圓級  MOSFET  

單片驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術如何改善電源系統(tǒng)設計

  • 本文介紹最新的驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。引言隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。在該領域，推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率
  • 關鍵字： ADI  MOSFET  電源系統(tǒng)設計  

Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進一步，Nexperia成功地將該封裝技術運用到MOSFET產品組合中，成為行業(yè)競爭的領跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設備和可聽戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學習(ML)技術，這為產品設計帶來了若干挑戰(zhàn)。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  

豪威集團發(fā)布業(yè)內最低內阻雙N溝道MOSFET

  • 電源管理系統(tǒng)要實現(xiàn)高能源轉換效率、完善可靠的故障保護，離不開高性能的開關器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業(yè)內最低內阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。  WNMD2196A 超低Rss(ON)，專為手機鋰電池保護設計近幾年，手機快充技術飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時，高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開關的作用，其本身對功率的損耗也必須足夠低才能
  • 關鍵字： 豪威集團  MOSFET  

分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究

  • 米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應，硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當的柵極電壓是設計所有柵極驅動電路的關鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術，設計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關斷電壓僅需確保器件保持安全關斷即可。英飛凌鼓勵設計人員在0V下關斷分立式MOSFET，從而簡化柵極驅動電路。為此，本文介紹了
  • 關鍵字： 英飛凌   MOSFET  

具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H

  • 過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。引言過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。經過不斷研究和持續(xù)優(yōu)化，現(xiàn)在，全新推出的CoolSiC? MO
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

  • 隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
  • 關鍵字： 富昌電子  SiC  MOSFET  

東芝推出五款新型MOSFET柵極驅動IC，助力移動電子設備小型化

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅動IC產品中新增五款適用于可穿戴設備等移動電子設備的產品。該系列的新產品配備了過電壓鎖定功能，能根據輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
  • 關鍵字： MOSFET  柵極驅動  

當SiC MOSFET遇上2L-SRC

  • 導讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰(zhàn)。應用痛點氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉速高達10萬轉以上，輸出頻率可達2000Hz，調制頻率50kHz以上是常見的設計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會造成空壓機線包發(fā)熱和電機軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  2L-SRC  

SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因

  • _____開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時還能夠降低系統(tǒng)成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關器件的一個重要區(qū)別是它
  • 關鍵字： Tektronix  SiC  MOSFET  

耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

  • 在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進的 STPOWER STripFET F7制造技術和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
  • 關鍵字： 意法半導體  功率  MOSFET  耐用性  

常見MOSFET失效模式的分析與解決方法

  • 提高功率密度已經成為電源變換器的發(fā)展趨勢。為達到這個目標，需要提高開關頻率，從而降低功率損耗、系 統(tǒng)整體尺寸以及重量。對于當今的開關電源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開關(ZVS) 或零電流開關(ZCS) 拓撲允許采用高頻開關技術，可以 大限度地降低開關損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開 關下，能夠改善效率，能夠降低應用的尺寸，還能夠降 低功率開關的應力，因此可以改善系統(tǒng)的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用，包括高端服務
  • 關鍵字： MOSFET  

意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效

  • 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類領先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
  • 關鍵字： 意法半導體  MDmesh  MOSFET  

瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實現(xiàn)最佳效率

  • 2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開幕，作為全球領先的功率半導體供應商，瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產品重磅回歸PCIM Europe展會，全方位展示行業(yè)領先的技術、產品應用和解決方案，和諸多業(yè)內伙伴共話智能制造行業(yè)在全球范圍內的可持續(xù)發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展，是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領域最具影響力的博
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  瑞能半導體  PCIM Europe  
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