mosfet 文章最新資訊

理想二極管和熱插拔控制器實(shí)現(xiàn)電源冗余并隔離故障

用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA 網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng)，例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
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Vishay新款-40V和-30V MOSFET擴(kuò)充Gen III P溝道產(chǎn)品

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
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復(fù)蘇乏力元件供應(yīng)商日子難過

　　雖然所有領(lǐng)先指標(biāo)都顯示2013年下半年將恢復(fù)季節(jié)性增長，但包括半導(dǎo)體在內(nèi)的電子元件產(chǎn)業(yè)目前訂單情況遜于當(dāng)前市場復(fù)蘇階段的預(yù)期水平。據(jù)IHS公司的元件價(jià)格走勢追蹤服務(wù)，這種需求缺口可能限制今年電子元件市場的增長幅度。　　2013年商品類芯片的總體前景仍然堅(jiān)挺，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體營業(yè)收入增長4.8%，盡管該市場的各個領(lǐng)域不會同樣強(qiáng)勁。　　在假日季節(jié)之前的這個時期，MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動沒有呈現(xiàn)出通常的水平。這個階段通常出現(xiàn)交貨期延長和價(jià)格上漲現(xiàn)象，而目前尚未看到這些情況。同時，消費(fèi)電子、汽
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為您的電源選擇正確的工作頻率——電源設(shè)計(jì)小貼士

歡迎來到電源設(shè)計(jì)小貼士！隨著現(xiàn)在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào)，我們創(chuàng)建了該專欄，就各種電源管理...
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飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本

飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
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安森美推出兩款新的MOSFET器件

安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
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Vishay大幅擴(kuò)充E系列650V N溝道功率MOSFET家族

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴(kuò)大為6A～105A。
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功率MOSFET基礎(chǔ)知識

什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信...
關(guān)鍵字：功率 MOSFET 基礎(chǔ)知識

用IGBT代替MOSFET的可行性分析

一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、...
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AOS發(fā)布150V MOSFET旗艦產(chǎn)品

日前，集設(shè)計(jì)，研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬國半導(dǎo)體(AOS, 納斯達(dá)克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。
關(guān)鍵字： AOS AON6250 MOSFET

飛兆四路MOSFET解決方案提高了效率

高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問題。同樣，熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器，也會降低相機(jī)的圖片質(zhì)量。調(diào)節(jié)熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數(shù)量，占用電路板空間，讓這些設(shè)計(jì)變得更復(fù)雜。
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淺談三極管和MOS管作開關(guān)用時的區(qū)別

我們在做電路設(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別。工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管...
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MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動投影儀RGB LED的應(yīng)用

本應(yīng)用筆記提供了一個低功耗投影儀RGBLED驅(qū)動器的參考設(shè)計(jì)?；趩涡酒琈AX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動器，能夠?yàn)?..
關(guān)鍵字： MOSFET 降壓轉(zhuǎn)換器 RGB LED

Vishay Siliconix 擴(kuò)展ThunderFET?的電壓范圍

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。
關(guān)鍵字： Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP

針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器

針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器,引言對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?200 W)，并且常常會把電
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 柵極驅(qū)動器

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]