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mos-fet 文章 最新資訊

手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現(xiàn)在；一臺臺電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當個開關...
  • 關鍵字： FET  

MOSFET分析：選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

  • 前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。...
  • 關鍵字： mos  

MOSEFT分析：理解功率MOSFET的開關損耗

  • 本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知...
  • 關鍵字： mos/開關損耗  

CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應管

  • 　　CISSOID，在高溫半導體方案的領導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關)的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器. 　　
  • 關鍵字： CISSOID  P-FET  

開關電源設計之MOS管反峰及RCD吸收回路

  • 對于一位開關電源工程師來說，在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
  • 關鍵字： 吸收  回路  RCD  管反峰  設計  MOS  開關電源  

如何對反向轉換器的FET關斷電壓進行緩沖

  • 　　圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
  • 關鍵字： 進行  緩沖  電壓  關斷  轉換器  FET  如何  

MOS-FET開關電路

  • MOS-FET雖然與JFET結構不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
  • 關鍵字： MOS-FET  開關電路    

J-FET開關電路工作原理

  • 1、簡單開關控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時，VGS=0，J-FET導通，傳輸信號至VO；當VC比V1足夠負，VD導通而J-FET截止，VO=0。2、改進的J-FET開關電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
  • 關鍵字： J-FET  開關電路  工作原理    

采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅動電路

  • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導通時的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
  • 關鍵字： 驅動  電路  脈沖  發(fā)光二極管  C-MOS  與非門  采用  

與萬用表結合使用的FET VP、VOO檢驗器

  • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級，但一個等級內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時，
  • 關鍵字： VOO  檢驗  VP  FET  結合  使用  萬用表  

采用C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路

  • 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進一步的充實。用2級TTL構成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代，因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當，容易停振或
  • 關鍵字： C-MOS  轉換器  石英晶體  振蕩電路    

使用FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路

  • 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
  • 關鍵字： FET  輸入  OP放大器  模擬定時電路    

可設定10~100秒的長時間C-MOS定時電路

  • 電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
  • 關鍵字： 電路  定時  C-MOS  時間  設定  

可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運算電路

  • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
  • 關鍵字： VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運算電路    

使用結型FET的簡易電壓控制放大器

  • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
  • 關鍵字： FET  結型  電壓控制  放大器    
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