熟女俱乐部五十路二区av,又爽又黄禁片视频1000免费,国产卡一卡二卡三无线乱码新区,中文无码一区二区不卡αv,中文在线中文a

首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> lora?器件

lora?器件 文章 最新資訊

新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信號(hào)和各種調(diào)制信號(hào)的設(shè)計(jì)

  • 1 引言
    為了精確地輸出正弦波、調(diào)幅波、調(diào)頻波、PSK及ASK等信號(hào)，并依據(jù)直接數(shù)字頻率合成(Direct Digital FrequencySvnthesizer，簡(jiǎn)稱DDFS)技術(shù)及各種調(diào)制信號(hào)相關(guān)原理，設(shè)計(jì)了一種采用新型DDS器件產(chǎn)生正弦波信
  • 關(guān)鍵字： DDS  器件  調(diào)制信號(hào)  正弦波信號(hào)    

賽靈思演示ships Zynq-7000器件

  • 　　近日在AETC(歐洲的ARM技術(shù)會(huì)議)，賽靈思公司宣布，該公司現(xiàn)已開始發(fā)售其Zynq-7000 EPP(擴(kuò)展式處理平臺(tái))設(shè)備，并運(yùn)行一個(gè)基于Linux的應(yīng)用程序的設(shè)備，提供了第一個(gè)公開演示。 　　Zynq-7020 EPP最初的樣品目前正在出貨為早期試用計(jì)劃的參與者，跟蹤生產(chǎn)合格的零件使其走向正規(guī)，在2012年下半年開始出貨。 　　“自從我們?cè)?010年4月首次推出的可擴(kuò)展處理平臺(tái)程序以來(lái)，我們很高興的看到早期客戶充分利用他們所完成并運(yùn)用他們的系統(tǒng)對(duì)這些設(shè)備”Lawrenc
  • 關(guān)鍵字： 賽靈思  器件  ships Zynq-7000  

多個(gè)AD9779TxDAC器件的同步

  • 簡(jiǎn)介

    　　AD9779 TxDAC的DAC輸出采樣速率最高可達(dá)1 GSPS.在某些應(yīng)用中，例如需要波束導(dǎo)引的應(yīng)用，用戶可以同步多個(gè)AD9779.因此，當(dāng)AD9779以接近最高速度工作時(shí)，TxDAC時(shí)序特性變得至關(guān)重要。

    　　本應(yīng)用筆記不
  • 關(guān)鍵字： TxDAC  9779  AD  器件    

2011年未來(lái)電子技術(shù)發(fā)展與專業(yè)人才培養(yǎng)高峰論壇

  • 　　作為一年一度大學(xué)生人才培養(yǎng)與創(chuàng)業(yè)指導(dǎo)的重要活動(dòng)，“2011年未來(lái)電子技術(shù)發(fā)展與專業(yè)人才培養(yǎng)高峰論壇”秉承前一屆的成功經(jīng)驗(yàn)，于2011年12月9日在北京會(huì)議中心如期舉行。 　　本次論壇是由中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦，由賽迪顧問股份有限公司承辦，日本村田制作所贊助。以“成長(zhǎng)于信息時(shí)代 奮斗于電子夢(mèng)想”為主題，圍繞“電子技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)展望”、“下一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域解析”與“大學(xué)生學(xué)習(xí)與
  • 關(guān)鍵字： 村田制作所  器件  

功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用

  • 1. 引言
    　　
    在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為
  • 關(guān)鍵字： UPS  應(yīng)用  電源  間斷  器件  IGBT  功率  

PLD器件的應(yīng)用

  • 10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文件的結(jié)構(gòu)二、ABEL的基本語(yǔ)法10.4.3 應(yīng)用舉例10.4 PLD器件的應(yīng)用10.4.1 可編程器件的開發(fā)系統(tǒng)10.4.2 ABEL硬件描述語(yǔ)言一、ABEL源文
  • 關(guān)鍵字： PLD  器件    

半導(dǎo)體制程簡(jiǎn)史

  • 當(dāng)線寬遠(yuǎn)高于10微米時(shí)，純凈度還不像今天的器件生產(chǎn)中那樣至關(guān)緊要。旦隨著器件變得越來(lái)越集成， 超凈間也變得越來(lái)越干凈。今天，工廠內(nèi)是加壓過(guò)濾空氣，來(lái)去除哪怕那些可能留在芯片上并形成缺陷的最小的粒子。半導(dǎo)體制造車間里的工人被要求著超凈服來(lái)保護(hù)器件不被人類污染。
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  器件  芯片  

基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)研究

  • 中心議題： 大功率直流電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 大功率直流電源的控制方案 電源的數(shù)據(jù)傳輸拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
    本文基于IGBT器件，利用DC/DC電源并聯(lián)技術(shù)設(shè)計(jì)大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
  • 關(guān)鍵字： 電源  技術(shù)  研究  DC/DC  大功率  IGBT  器件  基于  

IGBT及其子器件的四種失效模式比較

  • 摘要：本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字： 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

  • IGBT及其子器件的四種失效模式介紹,本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字： 模式  介紹  失效  器件  及其  IGBT  

嵌入式半導(dǎo)體器件混合信號(hào)測(cè)試策略

  • 嵌入式半導(dǎo)體器件混合信號(hào)測(cè)試策略, 混合信號(hào)技術(shù)給當(dāng)今的半導(dǎo)體制造商們帶來(lái)了很多新挑戰(zhàn),以前一些對(duì)數(shù)字電路只有很小影響的缺陷如今在嵌入式器件中卻可能大大改變模擬電路的功能,導(dǎo)致器件無(wú)法使用。為確保這些新型半導(dǎo)體器件達(dá)到“無(wú)缺陷rdquo
  • 關(guān)鍵字： 測(cè)試  策略  信號(hào)  混合  半導(dǎo)體  器件  嵌入式  

基于51單片機(jī)和可編程邏輯器件實(shí)現(xiàn)LED顯示屏的硬件設(shè)計(jì)

  • 0 引言LED顯示屏主要由電流驅(qū)動(dòng)電路及LED點(diǎn)陣陣列、控制系統(tǒng)和PC端管理軟件三部分構(gòu)成（圖1）。控制系統(tǒng)負(fù)責(zé)接收、轉(zhuǎn)換和處理各種外部信號(hào)，并實(shí)現(xiàn)掃描控制，然后驅(qū)動(dòng)LED點(diǎn)陣顯示需要的文字或圖案?？刂葡到y(tǒng)作為L(zhǎng)ED顯
  • 關(guān)鍵字： LED  顯示屏  硬件  設(shè)計(jì)  實(shí)現(xiàn)  器件  單片機(jī)  可編程  邏輯  

高效能保護(hù)器件-TVS的特性及應(yīng)用

  • 瞬態(tài)電壓抑制器（Transient Voltage Suppressor）簡(jiǎn)稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件，有的文獻(xiàn)上也為TVP、AJTVS、SAJTVS等。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以10-12秒量級(jí)的速度，將其兩極
  • 關(guān)鍵字： 特性  應(yīng)用  -TVS  器件  保護(hù)  高效  

PC機(jī)電源內(nèi)部器件分析

  • 要看電源是由什么組成的，最好的方法是我們打開電源的外殼，看看電源的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。1.二極管二極管組成，是將四個(gè)二極管封裝在一起。而后一種的方式就被稱為全橋。全橋和二極管所能承受的最低耐壓程度和最大電流是有限
  • 關(guān)鍵字： 分析  器件  內(nèi)部  電源  PC  

為5V 1-Wire®從器件提供過(guò)壓保護(hù)

  • 摘要：如果應(yīng)用中是在完成系統(tǒng)部署后寫入EPROM器件，此時(shí)需要對(duì)5V器件提供過(guò)壓保護(hù)。本文介紹如何在同一總線上使用1-Wire EPROM和5V 1-Wire器件，以及如何保護(hù)5V器件不受編程脈沖的沖擊。引言大多數(shù)1-Wire器件工作在
  • 關(guān)鍵字： Wire  reg  器件  過(guò)壓保護(hù)    
共450條 21/30 |‹ « 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 » ›|

lora?器件介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條lora?器件!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)lora?器件的理解，并與今后在此搜索lora?器件的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473