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顛覆性的HBM4
- 一位業(yè)內(nèi)人士表示,「『半導(dǎo)體游戲規(guī)則』可能在 10 年內(nèi)改變,區(qū)別存儲(chǔ)半導(dǎo)體和邏輯半導(dǎo)體可能變得毫無(wú)意義」。HBM4,魅力為何如此?技術(shù)的突破2023 年,在 AI 技術(shù)應(yīng)用的推動(dòng)下,數(shù)據(jù)呈現(xiàn)出爆炸式的增長(zhǎng),大幅度推升了算力需求。據(jù)悉,在 AI 大模型領(lǐng)域,未來(lái) AI 服務(wù)器的主要需求將從訓(xùn)練側(cè)向推理側(cè)傾斜。而根據(jù) IDC 的預(yù)測(cè),到 2026 年,AIGC 的算力 62.2% 將作用于模型推理。同時(shí),預(yù)計(jì)到 2025 年,智能算力需求將達(dá)到當(dāng)前的 100 倍。據(jù)悉,自 2015 年以來(lái),從 HBM1 到
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存儲(chǔ)器大廠:HBM4,2025年供貨!
- 人工智能浪潮之下,HBM從幕后走向臺(tái)前,市場(chǎng)需求持續(xù)看漲。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè),2023年HBM需求量將年增58%,2024年有望再成長(zhǎng)約30%。與傳統(tǒng)DRAM相比,HBM具備高帶寬、高容量、低延時(shí)與低功耗等優(yōu)勢(shì),可以加快AI數(shù)據(jù)處理速度,更適用于ChatGPT等高性能計(jì)算場(chǎng)景,因而備受青睞,存儲(chǔ)大廠也在積極推動(dòng)HBM技術(shù)迭代。存儲(chǔ)大廠持續(xù)發(fā)力,三星將推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM產(chǎn)品問(wèn)世至今,HBM技術(shù)已經(jīng)更新迭代出多款產(chǎn)品,分別有HBM、HBM2、HBM2E、HB
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三星正在開發(fā)HBM4,目標(biāo)2025年供貨
- 三星電子日前表示,計(jì)劃開始提供HBM3E樣品,正在開發(fā)HBM4,目標(biāo)2025年供貨。據(jù)韓媒,三星電子副總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)部DRAM開發(fā)主管Sangjun Hwang日前表示,計(jì)劃開始提供HBM3E樣品,正在開發(fā)HBM4,目標(biāo)2025年供貨。他透露,三星電子還準(zhǔn)備針對(duì)高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的NCF(非導(dǎo)電粘合膜)組裝技術(shù)和HCB(混合鍵合)技術(shù),以應(yīng)用于該產(chǎn)品。此外,三星還計(jì)劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務(wù),公司今年年初為此成立了AVP(高級(jí)封裝)業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì),以加強(qiáng)尖端封裝技術(shù)并最大限度地發(fā)揮業(yè)務(wù)部門之間的協(xié)同作用。
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HBM4將迎來(lái)大突破?
- AI大勢(shì)下,高帶寬內(nèi)存 (HBM) 從幕后走向臺(tái)前,備受存儲(chǔ)市場(chǎng)關(guān)注。近期,媒體報(bào)道下一代HBM將迎來(lái)重大變化,HBM4內(nèi)存堆棧將采用2048位內(nèi)存接口 。自2015年以來(lái),所有HBM堆棧都采用1024位接口。接口寬度從每堆棧1024位增加到每堆棧2048位,足以可見HBM4具備的變革意義。另?yè)?jù)韓媒報(bào)道,三星為了掌握快速成長(zhǎng)的HBM市場(chǎng),將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù),預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)HBM4。盡管HBM4將有大突破,但它不會(huì)很快到來(lái)。當(dāng)前HBM市場(chǎng)以HBM2e為主,未來(lái)HBM3將挑起大梁。全球市場(chǎng)研究機(jī)
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傳三星預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)新一代HBM4
- 據(jù)韓媒報(bào)道,三星為了掌握快速成長(zhǎng)的HBM市場(chǎng),將大幅革新新一代產(chǎn)品制程技術(shù),預(yù)計(jì)2026年量產(chǎn)新一代HBM產(chǎn)品,HBM4。從2013年第一代HBM到即將推出的第五代HBM3E,I/O接口數(shù)為每顆芯片1024個(gè),擁有超過(guò)2000個(gè)以上I/O接口的HBM尚未問(wèn)世。以HBM不同世代需求比重而言,據(jù)TrendForce集邦咨詢表示,2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3,需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量,2024年市場(chǎng)需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3,而2024年將直接超越HBM2
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