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臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET

　　臺積電在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。　　臺積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術(shù)對晶片設計人員帶來了極大挑戰(zhàn)。臺積電的發(fā)展藍圖大致與競爭對手Globalfoundries 類似，都希望能在明年啟動20nm制程，2014開始14nm FinFET制程。　　臺積電的目標提前在
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎?

　　日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對有關(guān)問題進行了解讀。　　XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業(yè)界領先的非平面結(jié)構(gòu)，它真正為移動系統(tǒng)級芯片(SoC)設計做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統(tǒng)級的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點的二維平面晶體管相比，該技術(shù)可望實現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。　　Noonen表示：“201
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inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電

臺積電最近表示，其首個 FinFET 制程將會搭配16nm節(jié)點，而且可能會在2015年下半年量產(chǎn)。不過，臺積電也會在20nm后段制程中使用 FinFET ，因此，該公司的 FinFET 時程表可能還會有變數(shù)。
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基于SOI和體硅的FinFET對比研究

隨著半導體產(chǎn)業(yè)向22納米技術(shù)節(jié)點外觀的發(fā)展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結(jié)構(gòu)的過渡。相對于平面晶體管，F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應。當平面晶體管的柵極在溝道之上，F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道，從雙向提供靜電控制。
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英特爾Finfet晶體管架構(gòu)未到瓜熟蒂落時

　　自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時間內(nèi)(至少到下一個節(jié)點制程時)仍將采用傳統(tǒng)基于平面型晶體管結(jié)構(gòu)的技術(shù)。他們給出的理由是，Intel手上只有少數(shù)幾套芯片產(chǎn)品，因此Intel方面要實現(xiàn)到Finfet的晶體管架構(gòu)升遷時，在芯片設計與制造方面需要作出的改動相對較小，而芯片代工商則情況完全不同。
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finfet介紹

FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術(shù)上的突破，未來芯片設計人員可望能夠?qū)⒊売嬎銠C設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細 ]