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臺(tái)積電擬攜ARM V8進(jìn)軍16nm FinFET

  • 　　臺(tái)積電在本周二(10月16日)的年度大會(huì)中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺(tái)積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測(cè)試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測(cè)試晶片。 　　臺(tái)積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術(shù)對(duì)晶片設(shè)計(jì)人員帶來了極大挑戰(zhàn)。臺(tái)積電的發(fā)展藍(lán)圖大致與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Globalfoundries 類似，都希望能在明年啟動(dòng)20nm制程，2014開始14nm FinFET制程。 　　臺(tái)積電的目標(biāo)提前在
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm準(zhǔn)備好了嗎?

  •  　　日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷售和市場(chǎng)營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對(duì)有關(guān)問題進(jìn)行了解讀。 　　XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu)，它真正為移動(dòng)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)設(shè)計(jì)做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統(tǒng)級(jí)的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點(diǎn)的二維平面晶體管相比，該技術(shù)可望實(shí)現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。 　　Noonen表示：“201
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inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺(tái)積電

  • 臺(tái)積電最近表示，其首個(gè) FinFET 制程將會(huì)搭配16nm節(jié)點(diǎn)，而且可能會(huì)在2015年下半年量產(chǎn)。不過，臺(tái)積電也會(huì)在20nm后段制程中使用 FinFET ，因此，該公司的 FinFET 時(shí)程表可能還會(huì)有變數(shù)。
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基于SOI和體硅的FinFET對(duì)比研究

  • 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向22納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)外觀的發(fā)展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結(jié)構(gòu)的過渡。相對(duì)于平面晶體管，F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應(yīng)。當(dāng)平面晶體管的柵極在溝道之上，F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道，從雙向提供靜電控制。
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英特爾Finfet晶體管架構(gòu)未到瓜熟蒂落時(shí)

  • 　　自從Intel正式對(duì)外公布22nm制程節(jié)點(diǎn)將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺(tái)積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場(chǎng)在未來一段時(shí)間內(nèi)(至少到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)制程時(shí))仍將采用傳統(tǒng)基于平面型晶體管結(jié)構(gòu)的技術(shù)。他們給出的理由是，Intel手上只有少數(shù)幾套芯片產(chǎn)品，因此Intel方面要實(shí)現(xiàn)到Finfet的晶體管架構(gòu)升遷時(shí)，在芯片設(shè)計(jì)與制造方面需要作出的改動(dòng)相對(duì)較小，而芯片代工商則情況 完全不同。
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