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格羅方德半導體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺

  • 　　格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡市場提供了一個最佳解決方案。 　　雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(FD-SOI)工
  • 關鍵字： 格羅方德  FD-SOI  

GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝

  • 　　GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續(xù)改進平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。 　　
  • 關鍵字： GlobalFoundries  FD-SOI  

只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

  • 　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體業(yè)者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術;不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產(chǎn)能服務客戶，有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術。 　　例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點采用
  • 關鍵字： FinFET  FD-SOI  

FD-SOI制程技術已到引爆點？

  • 　　身為記者，我有時候會需要經(jīng)過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機事實(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關宣傳稿，然后才能把許多線索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)就是一個例子。 　　我從美國旅行到中國接著又到歐洲，在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術的過程中，發(fā)現(xiàn)FD-SOI從一個不容易了解的名詞，逐漸變得越來越“有形”。關于這個技術，我在最近這幾個星期所收集到的隨機
  • 關鍵字： 晶圓  FD-SOI  

CAN FD 總線技術分析

  • 　　最近越來越多工程師關注CAN FD，同時也會向虹科反饋CAN FD的產(chǎn)品應用信息。編者覺得對于CAN FD的發(fā)布，對于中國的工程師或者是中國對CAN技術的應用將會迎來新的契機。試想，國外累計了20多年的CAN技術呈現(xiàn)出來的新技術-CAN FD，在它誕生沒多久就可以見證和陪伴它的“成長”，對于技術工程師來說是多么美妙的事情。 　　剛好上個月參加CiA在天津的CAN FD技術發(fā)布會，期間編者有幸擔當CiA 主席的Holger的現(xiàn)場翻譯，也是收獲良多。當?shù)谝淮谓佑|CAN FD，現(xiàn)場
  • 關鍵字： CAN  FD  

羅德與施瓦茨公司示波器引領CAN-FD高速接口協(xié)議分析

  • 　　CAN-FD總線協(xié)議選件發(fā)布，支持高達15Mbps數(shù)據(jù)速率的總線控制局域網(wǎng)性能。優(yōu)勢在于現(xiàn)代汽車電子領域的管理解決方案。R&S RTx-K9選件使得R&S RTE和R&S RTO用戶能夠分析總線接口和協(xié)議觸發(fā)?；谟布獯a分析能夠使用示波器快速的找到錯誤，加速CAN FD接口協(xié)議測試的認證和調(diào)試過程。 　　客戶可以直接觸發(fā)報文起始，報文結(jié)束和數(shù)據(jù)值，并且可以采用高性能的搜索功能找出相關的事件。解碼后的報文結(jié)果可以以不同顏色表示的報文內(nèi)容顯示或者以表格形式顯示。在解碼總線配置時
  • 關鍵字： 羅德與施瓦茨  CAN-FD  

意法半導體(ST)發(fā)布2013年企業(yè)可持續(xù)發(fā)展報告

  • 　　橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體公布了2013年可持續(xù)發(fā)展報告(Sustainability Report)。意法半導體連續(xù)17年公布可持續(xù)發(fā)展報告。報告內(nèi)容全面地介紹意法半導體在2013年實施的可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略、政策和業(yè)績，并例證了可持續(xù)發(fā)展計劃如何在企業(yè)經(jīng)營中發(fā)揮重要作用，為所有的利益相關者創(chuàng)造價值。 　　意法半導體公司總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti表示：“意法半導體在很早之前就認識到了可持續(xù)發(fā)展的重要性，20年來，可持續(xù)發(fā)展已成為意法半導體核心戰(zhàn)略的
  • 關鍵字： 意法半導體  FD-SOI  可持續(xù)發(fā)展  

需要更快的速度：CAN FD

  • 　　CAN FD 到底是什么意思?全雙工?頻域?還是消防局?都不是，實際上它是 CAN 領域的最新技術，F(xiàn)D 代表 Flexible Data-rate(靈活數(shù)據(jù)速率)，幾年前由博世公司的一篇白皮書引入該領域，目前已經(jīng)過標準化，成了 ISO11898-1 的更新版本?！　】刂朴蚓W(wǎng)絡 (CAN) 是一個常見的通信協(xié)議及總線，主要用于對微處理器需要通信的分布式應用進行互連。眾所周知，該技術植根于汽車領域。經(jīng)過多年的發(fā)展壯大，它目前可用于工業(yè)控制、現(xiàn)場總線、大型家用電器、航空航天甚至咖啡機等眾多應用。這種協(xié)議層
  • 關鍵字： CAN FD  TI  ISO11898-2  

Teledyne LeCroy發(fā)布CAN FD串行觸發(fā)和解碼方案，擴展汽車總線測試領導地位

  • 　　Teledyne LeCroy 今天發(fā)布業(yè)界首個CAN FD觸發(fā)和解碼解決方案，進一步豐富了已有的汽車電子測試工具(CAN, LIN, FlexRay, SENT, MOST 和 BroadR Reach)。CAN FD觸發(fā)和解碼功能可以幫助設計者洞察被測系統(tǒng)，將物理層信號和協(xié)議層數(shù)據(jù)同時顯示在一個界面上。CAN FD觸發(fā)功能可以隔離Frame ID、特定數(shù)據(jù)包、remote frames 以及 error frames。解碼功能運用不同顏色的背景疊層，清晰標識出數(shù)據(jù)不同的幀結(jié)構(gòu)，允許用戶快速識別出諸
  • 關鍵字： 力科  CAN FD  Frame ID  

不懈追尋科技引領智能生活理念

  • 電子技術的變革，讓人們的生活不斷智能化，智能化手機，電視，家居，汽車甚至機器人和人體輔助設備等。意法半導體追尋的理念就是科技引領智能生活，意法半導體執(zhí)行副總裁兼數(shù)字融合事業(yè)部總經(jīng)理GIAN LUCA BERTINO，論述ST在智能電視和智能化家居方面的企業(yè)戰(zhàn)略及技術演進。
  • 關鍵字： ST  機頂盒  多媒體處理器  FD-SOI  

FD-SOI: 下一代NovaThor平臺的助力器

  • 隨著智能手機功能最近不斷升級演化，消費者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現(xiàn)已成為高端手機的標配。同時，消費者還期望手機纖薄輕盈，電池續(xù)航能力至少
  • 關鍵字： 助力  平臺  NovaThor  下一代  FD-SOI:  

下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

  • 　　在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 　　根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
  • 關鍵字： ST  FD-SOI  10nm  

ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI

  • 　　12月13日，意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。在實現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導體28納米技術的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應用市場的需求。 　　FD-SOI技術平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗證的設計平臺和設
  • 關鍵字： ST  晶圓  FD-SOI  

意法宣布晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術

  • 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術，這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。
  • 關鍵字： 意法  納米  FD-SOI  

意法委托GLOBALFOUNDRIES代工FD-SOI芯片

  • 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布，引領全球半導體技術升級的半導體代工廠商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能，同時又不能犧牲電池壽命。在設
  • 關鍵字： 意法  芯片  FD-SOI  
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