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fab-lite 文章 最新資訊

【E課堂】不了解半導體FAB廠?看完這篇就懂了

  •   影響工廠成本的主要因素有哪些?  答:Direct Material 直接材料,例如:蕊片 Indirect Material間接材料,例如氣體… Labor人力 Fixed Manufacturing機器折舊,維修,研究費用……等 Production Support其它相關單位所花費的費用  在FAB內,間接物料指哪些?  答:Gas 氣體 Chemical 酸,堿化學液&nbs
  • 關鍵字: FAB  

力爭Fab主動權 中國瘋狂建廠的背后

  •   當下的華夏大地,正被一股天翻地覆的英雄氣概所籠罩。半導體集成電路正成為僅次于互聯(lián)網機器人的熱詞。沒有幾個人能說得清,有多少條8吋、12吋生產線在運籌帷幄之中,又有多少大佬背著錢袋在這個“金礦”邊上徘徊。中國歷來的傳統(tǒng)是,黨指向哪里我們就沖向哪里。今天國家確定的目標,就是今后我們?yōu)橹畩^斗的戰(zhàn)場。最近我們的行業(yè)領軍人士已經開始注意到潛在的風險,我們在去“傳統(tǒng)產能”的同時,會不會帶來新的“高科技產能過剩”風險?這是我們每個行業(yè)從業(yè)者要認
  • 關鍵字: Fab  GlobalFoundries  

X-Fab將收購已進入破產程序法國專業(yè)晶圓代工廠Altis

  •   模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團于9月30日宣布,將收購日前已進入破產程序的法國專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor,借此將可讓Altis Semiconductor免于進入破產程序。實際收購價格方面,X-Fab未進一步對外透露。   根據外媒報導,Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房,制程包含從8吋(200mm)晶圓產線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出,借由收購Altis Semiconductor將有助增
  • 關鍵字: X-Fab  晶圓  

X-Fab將收購法國Altis資產

  •   模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團于9月30日宣布,將收購日前已進入破產程序的法國專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor,借此將可讓Altis Semiconductor免于進入破產程序。實際收購價格方面,X-Fab未進一步對外透露。   根據EETimes等外媒報導,Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房,制程包含從8吋(200mm)晶圓產線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出,借由收購Altis Semicondu
  • 關鍵字: X-Fab  Altis  

Molex 推出新款薄型 Lite-Trap SMT 線對板連接器系統(tǒng)

  •   Molex 公司推出新型 Lite-Trapä SMT (表面貼裝技術) 線對板連接器系統(tǒng),具有小巧的外觀尺寸,滿足纖薄型 LED 照明模塊的應用要求。該按鈕式連接器的高度僅為 4.20mm,與可拆卸電線式的連接器相比,是當今市場上外形最小巧的連接器之一并可實現(xiàn)最低的電線插入力。   Molex 產品經理 J.B. Jin 評論說:“Molex 致力于創(chuàng)新,通過設計出可以在電路板上降低組件高度的連接器系統(tǒng),良好滿足 LED 照明制造商的要求,從而實現(xiàn)更薄的設計,并減輕陰影或與光
  • 關鍵字: Molex  Lite-Trap  連接器  

全球fab設備支出2013年將持平 2014年會有24%的增長

  •   全球Fab前道設備支出額預計在2013年將持平,大約在317億美元,2014年會有24%的增長,至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設備預報》。該預報還指出,2013年全球fab廠設備支出增長點在于技術節(jié)點的更新,同時FAB廠建方面的支出會增加6.7%且主要集中在中國。該預報參考了2013年超過180家機構的設備支出。
  • 關鍵字: Fab  電子制造  

全球fab設備支出2013年將持平 2014年會有24%的增長

  •   全球Fab前道設備支出額預計在2013年將持平,大約在317億美元,2014年會有24%的增長,至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設備預報》。該預報還指出,2013年全球fab廠設備支出增長點在于技術節(jié)點的更新,同時FAB廠建方面的支出會增加6.7%且主要集中在中國。該預報參考了2013年超過180家機構的設備支出。
  • 關鍵字: Fab  設備  

X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018,世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上,大幅減少了印刷電路板的組件數量,也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
  • 關鍵字: X-FAB  XT018  MOS  

X-FAB持續(xù)擴張MEMS晶圓代工業(yè)務

  •   X-FAB Silicon Foundries 宣布,已經增加在總部位于德國的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股,從25.5%提高到51%,成為后者的最大股東,并將MFI重新命名為X-FAB伊策霍微機電系統(tǒng)晶圓廠(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。   上述動向反映了X-FAB對MEMS制造服務與技術的重視。伊策霍(Itzehoe)廠補強了X-FAB 微機電系統(tǒng)晶圓廠最近在艾爾福特宣布的MEMS功能與資源,增添微感測器、致動器、微光學結構與
  • 關鍵字: X-FAB   微感測器  MEMS  

X-FAB收購MFI大部分股份

  •   X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份,從25.5%提高到51%,成為其大股東,同時將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。   此舉表明X-FAB注重于MEMS生產服務與技術。Itzehoe工廠補充了最近公布的埃爾福特X-FAB MEMS晶圓廠的MEMS的生產能力及資源,添加了微感應器、制動器、微光學結構與密封晶片級封裝工藝的相關技術。   X-FAB MEMS Found
  • 關鍵字: X-FAB  微感應器  MEMS  

X-FAB收購MFI大部分股份

  • X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份,從25.5%提高到51%,成為其大股東,同時將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。
  • 關鍵字: X-FAB  MEMS  MFI  

Enea的Polyhedra Lite內存關系數據庫系統(tǒng)免費軟件現(xiàn)已面世

  •   瑞典斯德哥爾摩,2012年10月11日–為3G和4G基礎架構設備提供操作系統(tǒng)方案的全球領先供應商Enea?(NASDAQ OMX Nordic:ENEA),今日宣布推出內存數據庫系統(tǒng)Polyhedra的免費版本Polyhedra Lite。   Polyhedra產品特別針對嵌入系統(tǒng)的開發(fā)者而設計,對該領域而言,容錯系統(tǒng)等功能非常重要。然而,對許多用戶而言,高有效性并非頭等大事,他們只是想要一個迅速而靈活的關系數據庫系統(tǒng),用于個人或公司內部用途。   相較于Polyhedra 的32位模式完整版,
  • 關鍵字: Enea  內存  Polyhedra Lite  

Enea的Polyhedra Lite內存關系數據庫系統(tǒng)免費軟件現(xiàn)已面世

  •   為3G和4G基礎架構設備提供操作系統(tǒng)方案的全球領先供應商Enea®(NASDAQ OMX Nordic:ENEA),今日宣布推出內存數據庫系統(tǒng)Polyhedra的免費版本Polyhedra Lite。   Polyhedra產品特別針對嵌入系統(tǒng)的開發(fā)者而設計,對該領域而言,容錯系統(tǒng)等功能非常重要。然而,對許多用戶而言,高有效性并非頭等大事,他們只是想要一個迅速而靈活的關系數據庫系統(tǒng),用于個人或公司內部用途。   相較于Polyhedra 的32位模式完整版,Polyhedra Lite是一
  • 關鍵字: Enea  Polyhedra Lite  

X-FAB投入超過5000萬美金在MEMS的運營上

  • 德國艾爾芙特 – X-FAB Silicon Foundries,日前宣布為了MEMS的營運將在未來的三年投資5000萬美金以上在無塵室、新設備、研發(fā)與人員,這些投資也反映X-FAB意義深遠地聚焦在MEMS以因應預期中MEMS的成長。
  • 關鍵字: X-FAB  MEMS  

XFAB 0.18um高壓工藝提供嵌入式閃存

  • X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數,32層,其中包含數字、模擬、高壓元件、并閃存,而閃存只要額外2層光罩。對高階片上混合信號系統(tǒng)芯片(SoCs),此方案具有極高的性價比,其中的45V高壓元件與嵌入式內存,EEPROM、非揮發(fā)性隨機內存(NVRAM) 、嵌入式閃存(eFlash),更適用于高速微處理器、數字電源、和車用電子。
  • 關鍵字: X-FAB  嵌入式閃存  
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