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力爭Fab主動權(quán) 中國瘋狂建廠的背后

  • 　　當(dāng)下的華夏大地，正被一股天翻地覆的英雄氣概所籠罩。半導(dǎo)體集成電路正成為僅次于互聯(lián)網(wǎng)機器人的熱詞。沒有幾個人能說得清，有多少條8吋、12吋生產(chǎn)線在運籌帷幄之中，又有多少大佬背著錢袋在這個“金礦”邊上徘徊。中國歷來的傳統(tǒng)是，黨指向哪里我們就沖向哪里。今天國家確定的目標(biāo)，就是今后我們?yōu)橹畩^斗的戰(zhàn)場。最近我們的行業(yè)領(lǐng)軍人士已經(jīng)開始注意到潛在的風(fēng)險，我們在去“傳統(tǒng)產(chǎn)能”的同時，會不會帶來新的“高科技產(chǎn)能過剩”風(fēng)險?這是我們每個行業(yè)從業(yè)者要認(rèn)
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X-Fab將收購已進入破產(chǎn)程序法國專業(yè)晶圓代工廠Altis

  • 　　模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團于9月30日宣布，將收購日前已進入破產(chǎn)程序的法國專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進入破產(chǎn)程序。實際收購價格方面，X-Fab未進一步對外透露。 　　根據(jù)外媒報導(dǎo)，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semiconductor將有助增
  • 關(guān)鍵字： X-Fab  晶圓  

X-Fab將收購法國Altis資產(chǎn)

  • 　　模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團于9月30日宣布，將收購日前已進入破產(chǎn)程序的法國專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進入破產(chǎn)程序。實際收購價格方面，X-Fab未進一步對外透露。 　　根據(jù)EETimes等外媒報導(dǎo)，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semicondu
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Molex 推出新款薄型 Lite-Trap SMT 線對板連接器系統(tǒng)

  • 　　Molex 公司推出新型 Lite-Trapä SMT (表面貼裝技術(shù)) 線對板連接器系統(tǒng)，具有小巧的外觀尺寸，滿足纖薄型 LED 照明模塊的應(yīng)用要求。該按鈕式連接器的高度僅為 4.20mm，與可拆卸電線式的連接器相比，是當(dāng)今市場上外形最小巧的連接器之一并可實現(xiàn)最低的電線插入力。 　　Molex 產(chǎn)品經(jīng)理 J.B. Jin 評論說：“Molex 致力于創(chuàng)新，通過設(shè)計出可以在電路板上降低組件高度的連接器系統(tǒng)，良好滿足 LED 照明制造商的要求，從而實現(xiàn)更薄的設(shè)計，并減輕陰影或與光
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全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會有24%的增長

  • 　　全球Fab前道設(shè)備支出額預(yù)計在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會有24%的增長，至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設(shè)備預(yù)報》。該預(yù)報還指出，2013年全球fab廠設(shè)備支出增長點在于技術(shù)節(jié)點的更新，同時FAB廠建方面的支出會增加6.7%且主要集中在中國。該預(yù)報參考了2013年超過180家機構(gòu)的設(shè)備支出。
  • 關(guān)鍵字： Fab  電子制造  

全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會有24%的增長

  • 　　全球Fab前道設(shè)備支出額預(yù)計在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會有24%的增長，至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設(shè)備預(yù)報》。該預(yù)報還指出，2013年全球fab廠設(shè)備支出增長點在于技術(shù)節(jié)點的更新，同時FAB廠建方面的支出會增加6.7%且主要集中在中國。該預(yù)報參考了2013年超過180家機構(gòu)的設(shè)備支出。
  • 關(guān)鍵字： Fab  設(shè)備  

X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
  • 關(guān)鍵字： X-FAB  XT018  MOS  

X-FAB持續(xù)擴張MEMS晶圓代工業(yè)務(wù)

  • 　　X-FAB Silicon Foundries 宣布，已經(jīng)增加在總部位于德國的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股，從25.5%提高到51%，成為后者的最大股東，并將MFI重新命名為X-FAB伊策霍微機電系統(tǒng)晶圓廠(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。 　　上述動向反映了X-FAB對MEMS制造服務(wù)與技術(shù)的重視。伊策霍(Itzehoe)廠補強了X-FAB 微機電系統(tǒng)晶圓廠最近在艾爾福特宣布的MEMS功能與資源，增添微感測器、致動器、微光學(xué)結(jié)構(gòu)與
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X-FAB收購MFI大部分股份

  • 　　X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份，從25.5%提高到51%，成為其大股東，同時將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。 　　此舉表明X-FAB注重于MEMS生產(chǎn)服務(wù)與技術(shù)。Itzehoe工廠補充了最近公布的埃爾福特X-FAB MEMS晶圓廠的MEMS的生產(chǎn)能力及資源，添加了微感應(yīng)器、制動器、微光學(xué)結(jié)構(gòu)與密封晶片級封裝工藝的相關(guān)技術(shù)。 　　X-FAB MEMS Found
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X-FAB收購MFI大部分股份

  • X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份，從25.5%提高到51%，成為其大股東，同時將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。
  • 關(guān)鍵字： X-FAB  MEMS  MFI  

Enea的Polyhedra Lite內(nèi)存關(guān)系數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)免費軟件現(xiàn)已面世

  • 　　瑞典斯德哥爾摩，2012年10月11日–為3G和4G基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)備提供操作系統(tǒng)方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Enea?(NASDAQ OMX Nordic:ENEA)，今日宣布推出內(nèi)存數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)Polyhedra的免費版本Polyhedra Lite。 　　Polyhedra產(chǎn)品特別針對嵌入系統(tǒng)的開發(fā)者而設(shè)計，對該領(lǐng)域而言，容錯系統(tǒng)等功能非常重要。然而，對許多用戶而言，高有效性并非頭等大事，他們只是想要一個迅速而靈活的關(guān)系數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)，用于個人或公司內(nèi)部用途。 　　相較于Polyhedra 的32位模式完整版，
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Enea的Polyhedra Lite內(nèi)存關(guān)系數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)免費軟件現(xiàn)已面世

  • 　　為3G和4G基礎(chǔ)架構(gòu)設(shè)備提供操作系統(tǒng)方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Enea®(NASDAQ OMX Nordic:ENEA)，今日宣布推出內(nèi)存數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)Polyhedra的免費版本Polyhedra Lite。 　　Polyhedra產(chǎn)品特別針對嵌入系統(tǒng)的開發(fā)者而設(shè)計，對該領(lǐng)域而言，容錯系統(tǒng)等功能非常重要。然而，對許多用戶而言，高有效性并非頭等大事，他們只是想要一個迅速而靈活的關(guān)系數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)，用于個人或公司內(nèi)部用途。 　　相較于Polyhedra 的32位模式完整版，Polyhedra Lite是一
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X-FAB投入超過5000萬美金在MEMS的運營上

  • 德國艾爾芙特 – X-FAB Silicon Foundries，日前宣布為了MEMS的營運將在未來的三年投資5000萬美金以上在無塵室、新設(shè)備、研發(fā)與人員，這些投資也反映X-FAB意義深遠地聚焦在MEMS以因應(yīng)預(yù)期中MEMS的成長。
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XFAB 0.18um高壓工藝提供嵌入式閃存

  • X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數(shù)，32層，其中包含數(shù)字、模擬、高壓元件、并閃存，而閃存只要額外2層光罩。對高階片上混合信號系統(tǒng)芯片(SoCs)，此方案具有極高的性價比，其中的45V高壓元件與嵌入式內(nèi)存，EEPROM、非揮發(fā)性隨機內(nèi)存(NVRAM) 、嵌入式閃存(eFlash)，更適用于高速微處理器、數(shù)字電源、和車用電子。
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歐洲晶圓代工廠應(yīng)對亞洲同行挑戰(zhàn)

  • 　　據(jù)iSuppli公司，通過采用有針對性的技術(shù)、靈活的生產(chǎn)擴張戰(zhàn)略和明智的收購行動，歐洲半導(dǎo)體代工廠商X-FAB Semiconductor Foundries AG和LFoundry GmbH已經(jīng)在市場中占有一席之地，成為模擬與混合信號半導(dǎo)體供應(yīng)商。 　　
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