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designware ddr 文章 最新資訊

新思科技28納米DesignWare IP贏得第100項設(shè)計

  • 　　全球領(lǐng)先的電子器件和系統(tǒng)設(shè)計、驗證和制造軟件及知識產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達克股票市場代碼：SNPS)日前宣布： 該公司針對多家領(lǐng)先的晶圓代工廠優(yōu)化的28納米工藝DesignWare IP已贏得第100項設(shè)計。其經(jīng)過芯片生產(chǎn)驗證的28納米產(chǎn)品組合由多種廣泛使用的IP組成，包括用于USB、PCI Express、SATA、HDMI、DDR、MIPI的數(shù)模混合模塊，以及數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、音頻編解碼器、嵌入式存儲器和邏輯庫，其中已有數(shù)千萬芯片單元在客戶產(chǎn)品中使用。Syn
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DDR測試系列之一――力科DDR2測試解決方案

  • DDR2簡介從1998年的PC100到今天的DDR3，內(nèi)存技術(shù)同CPU前端總線一道經(jīng)歷著速度的提升及帶寬的擴展。雖然DDR3在當(dāng)今已經(jīng)量產(chǎn)與使用，DDR2在實際上還擔(dān)任著內(nèi)存業(yè)界應(yīng)用最廣泛最成熟的中流砥柱的角色。DDR2在DDR的基礎(chǔ)上
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DDR測試技術(shù)介紹與工具分析

  • DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計算機系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國
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工程師經(jīng)驗：78%的硬件失效罪魁禍?zhǔn)住附訂栴}

  • 你是否長時間糾纏于線路板的失效分析？你是否花費大量精力在樣板調(diào)試過程中？你是否懷疑過自己的原本正確的...
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Cyclone II實現(xiàn)DDR SDRAM接口的方法

  • Cyclone II實現(xiàn)DDR SDRAM接口的方法,在不增加電路板復(fù)雜度的情況下要想增強系統(tǒng)性能，改善數(shù)據(jù)位寬是一個有效的手段。通常來說，可以把系統(tǒng)頻率擴大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來實現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的，因為它們會增加
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DDR-1500/DSC-2200在高性能測試測量中的應(yīng)用

  • GE智能平臺的DDR-1500高性能測試測量采集分析系統(tǒng)就是利用高精度的AD及DA卡和功能強大的在線配制、分析、存貯、回放軟件來實現(xiàn)高性能測試測量。在測試測量過程中及時進行數(shù)據(jù)采集或波形輸出。在持續(xù)在線動態(tài)監(jiān)測情況
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Enpirion最新轉(zhuǎn)換器突破傳統(tǒng)DDR電源解決方案

  • 　　業(yè)界最小負載點直流—直流轉(zhuǎn)換器領(lǐng)先創(chuàng)新者Enpirion 公司發(fā)布了其 DDR 存儲器終端電源的電源集成電路 (IC) 產(chǎn)品組合的新成員。Enpirion EV1320 是 2A (sink/source) DDR 終端轉(zhuǎn)換器，最高效率達到 96%——比傳統(tǒng) LDO(低壓差)穩(wěn)壓器解決方案省電 1.4 瓦，同時擁有低成本、小尺寸的優(yōu)點。早在產(chǎn)品的官方版本發(fā)布之前，客戶就開始享受 EV1320 帶來的好處了——許多應(yīng)用都配置了該裝置，包括 ul
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汽車音響導(dǎo)航系統(tǒng)中DDR高速信號的PCB設(shè)計

  • 在以往汽車音響的系統(tǒng)設(shè)計當(dāng)中， 一塊PCB上的最高時鐘頻率在30~50MHz已經(jīng)算是很高了，而現(xiàn)在多數(shù)PCB的時鐘頻率超過100MHz,有的甚至達到了GHz數(shù)量級。為此，傳統(tǒng)的以網(wǎng)表驅(qū)動的串行式設(shè)計方法已經(jīng)不能滿足今天的設(shè)計要
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基于Xilinx ISE的DDR SDRAM控制器的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 在高速信號處理系統(tǒng)中，需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù)，存儲器的選擇與應(yīng)用已成為系統(tǒng)實現(xiàn)的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動態(tài)隨機訪問存儲器，它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)來完成高速操作。DDR SDRAM一個時鐘周期只能傳輸一個數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù)，因此在相同的數(shù)據(jù)總線寬度和工作頻率下，DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
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賽靈思Kintex-7 FPGA DDR3接口性能演示

電源設(shè)計技巧：DDR內(nèi)存電源

  • CMOS邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源...
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電源設(shè)計小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源

  • CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度，允許系統(tǒng)時鐘頻
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深入研究DDR電源

  • DDR存儲器的發(fā)展歷程 由于幾乎在所有要求快速處理大量數(shù)據(jù)(可能是計算機、服務(wù)器或游戲系統(tǒng))的應(yīng)用中都要求 ...
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使用Xilinx的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測試

  • 目前廣泛使用的計算機內(nèi)存芯片是DDR(雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)[1]。它的最新品種DDR3單片容量已經(jīng)可以...
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使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測試

  • 使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA系列芯片所提供的MCB，在生成控制模塊時設(shè)置不同參數(shù)，可以輕而易舉的實現(xiàn)對不同型號的DDR存儲芯片的測試，數(shù)據(jù)率可高達800Mb/s以上。由于時間利用率比使用計算機主板測試DDR芯片高得多，所以可以極大地節(jié)約測試時間。
  • 關(guān)鍵字： Xilinx  FPGA  DDR  201109  
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