在高速信號處理系統(tǒng)中,需要緩存高速、大量的數(shù)據(jù),存儲器的選擇與應(yīng)用已成為系統(tǒng)實現(xiàn)的關(guān)鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動態(tài)隨機訪問存儲器,它采用雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)來完成高速操作。DDR SDRAM一個時鐘周期只能傳輸一個數(shù)據(jù)位寬的數(shù)據(jù),因此在相同的數(shù)據(jù)總線寬度和工作頻率下,DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
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存儲器 DDR SDRAM
嵌入式DSP訪問片外SDRAM的低功耗設(shè)計研究,DSP有限的片內(nèi)存儲器容量往往使得設(shè)計人員感到捉襟見肘,特別是在數(shù)字圖像處理、語音處理等應(yīng)用場合,需要有高速大容量存儲空間的強力支持。因此,需要外接存儲器來擴展DSP的存儲空間。在基于DSP的嵌入式應(yīng)用中,存儲
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設(shè)計 研究 功耗 SDRAM DSP 訪問 嵌入式
在DSP應(yīng)用系統(tǒng)中,需要大量外擴存儲器的情況經(jīng)常遇到。例如,在數(shù)碼相機和攝像機中,為了將現(xiàn)場拍攝的諸多圖...
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FPGA TMS320C54K SDRAM
PDMA在測試SDRAM控制器中的應(yīng)用,我們設(shè)計了一個PDMA(Programmable Direct Mem o ry Access)用于測試SDRAM控制器的性能。在SoC中,SDRAM控制器往往跟多個IP模塊(圖形處理單元,音頻處理單元等)交換數(shù)據(jù),采用多個PDMA通道同時訪問Memory可以真實
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應(yīng)用 控制器 SDRAM 測試 PDMA
CMOS邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后,電源...
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電源設(shè)計 DDR 內(nèi)存電源
CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后,電源電壓也隨之降低,從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度,允許系統(tǒng)時鐘頻
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電源 內(nèi)存 設(shè)計 DDR
基于VHDL的SDRAM接口設(shè)計,RAM通常用于數(shù)據(jù)和程序的緩存,隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展,RAM獲得了飛速的發(fā)展,從RAM、DRAM(Dynamic RAM,即動態(tài)RAM)發(fā)展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM,即同步動態(tài)RAM),RAM的容量越來越大、速度越來越高,可以說存
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設(shè)計 接口 SDRAM VHDL 基于
DDR存儲器的發(fā)展歷程 由于幾乎在所有要求快速處理大量數(shù)據(jù)(可能是計算機、服務(wù)器或游戲系統(tǒng))的應(yīng)用中都要求 ...
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DDR 電源
目前廣泛使用的計算機內(nèi)存芯片是DDR(雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)[1]。它的最新品種DDR3單片容量已經(jīng)可以...
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DDR 測試
使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA系列芯片所提供的MCB,在生成控制模塊時設(shè)置不同參數(shù),可以輕而易舉的實現(xiàn)對不同型號的DDR存儲芯片的測試,數(shù)據(jù)率可高達800Mb/s以上。由于時間利用率比使用計算機主板測試DDR芯片高得多,所以可以極大地節(jié)約測試時間。
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Xilinx FPGA DDR 201109
隨著系統(tǒng)復(fù)雜度的提高,SDRAM的運行速度也越來越快,對PCB布線帶來了影響,僅僅使用一些經(jīng)驗法則來設(shè)計SDRAM走線并不能完全保證系統(tǒng)的穩(wěn)定。不同的芯片有不同的時序要求,對走線的要求也是有差別,需要從理論上分析SDRAM時序和PCB走線長度之間的關(guān)系。
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SDRAM PCB 201109
DSP有限的片內(nèi)存儲器容量往往使得設(shè)計人員感到捉襟見肘,特別是在數(shù)字圖像處理、語音處理等應(yīng)用場合,需要有高...
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SDRAM 低功耗
摘要:為了滿足高速圖像處理系統(tǒng)中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的,采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設(shè)計方法,提出一種基于VHDL語言的DDR2-SDRAM控制器的方案,針對高速圖像處理系統(tǒng)中的具體情況,在Xilinx的ML506開發(fā)
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接口 設(shè)計 DDR2-SDRAM 理系 圖像 處理 高速
爾必達存儲器宣布,開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via,硅貫通孔)技術(shù)積層4個2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達表示采用TSV技術(shù)實現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達介紹,與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現(xiàn)有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比,新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積,因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節(jié)省
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爾必達 SDRAM
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