cmos-mems 文章 最新資訊
基于MEMS的閃耀光柵數(shù)字微鏡顯示技術(shù)
- 技術(shù)背景 在pmp個人媒體播放器等便攜式應(yīng)用中,tft液晶顯示器已成為主流配置。雖然tft液晶顯示器具有圖像清晰、對比度高等優(yōu)點(diǎn),但其耗電占了pmp系統(tǒng)耗電的70%以上。隨著分辨率不斷提高,屏幕加大,顯示器的功耗也同步增長。由于液晶顯示器的光源利用率不足10%,降低亮度并不能有效地節(jié)省電力,迫不得已的辦法是盡可能減少顯示屏的工作時(shí)間,或者是采用盡可能小的顯示屏,結(jié)果使觀賞舒適性降低,導(dǎo)致pmp的實(shí)用價(jià)值大打折扣。 理想的適合于便攜用途的顯示技術(shù)應(yīng)在電池供電環(huán)境下有盡可能長的工作時(shí)間、盡可能小的體積、盡可
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32段CMOS LCD驅(qū)動器AY0438及其與單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)
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CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計(jì)
- 本設(shè)計(jì)中的并行式多頻段LNA為單個LNA,但能同時(shí)工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號。
- 關(guān)鍵字: CMOS 多頻 低噪聲 放大器設(shè)計(jì)
ST為在意大利的200mm MEMS生產(chǎn)線舉行落成典禮
- 意法半導(dǎo)體(ST)為在意大利新建的最先進(jìn)的200mm MEMS生產(chǎn)線舉行落成典禮 意法半導(dǎo)體為在意大利米蘭近郊的Agrate工廠新建的一條200mm (8英寸) MEMS半導(dǎo)體晶片生產(chǎn)線舉行落成典禮。ST是世界第一個采用200mm晶片制造微機(jī)電系統(tǒng)產(chǎn)品的主要MEMS廠商,新的生產(chǎn)線將會降低產(chǎn)品的單位成本,同時(shí)還會加快現(xiàn)有應(yīng)用的普及,以及新MEMS市場的開發(fā)。 在計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中,能夠測量或監(jiān)測物體的運(yùn)動和傾斜有助于
- 關(guān)鍵字: 200mm MEMS ST 單片機(jī) 落成 嵌入式系統(tǒng) 生產(chǎn)線 意大利 意法半導(dǎo)體
基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計(jì)
- 引言 隨著移動通信技術(shù)的發(fā)展,射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO),是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件,然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí),會發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小,這將影響到電路的性能。于是,人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來代替一般的變?nèi)荻O管,MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏,源和襯底短接便可成為一個簡單的MOS電容,其電容值隨柵極與襯底之間
- 關(guān)鍵字: CMOS RF專題 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 射頻 振蕩器
集成多路模擬開關(guān)的應(yīng)用技巧
- 集成多路模擬開關(guān)(以下簡稱多路開關(guān))是自動數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件,其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。 關(guān)于多路開關(guān)的應(yīng)用技術(shù),些文獻(xiàn)上介紹有兩點(diǎn)不足:一是對器件自身介紹較多,而對器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少;二是原則性的東西介紹較多,而操作性的東西介紹較少。研究表明:只有正確選擇多路開關(guān)的種類,注意多路開關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào),保證各電路單元有合適的工作狀態(tài),才能充分發(fā)揮多路開關(guān)的性能,甚至彌補(bǔ)某性能指標(biāo)的欠缺,收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
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手機(jī)多頻帶切換力推RF MEMS 開關(guān)發(fā)展
- 手機(jī)的發(fā)展要求在以低插入損耗進(jìn)行多頻帶和多模頻帶切換的同時(shí)仍保持優(yōu)良的線性特性,這推動了RF MEMS開關(guān)的應(yīng)用和發(fā)展。隨著新的復(fù)雜波形如WiMAX添加到混合信號上,多頻帶的切換問題變得更加突出。目前在全球大規(guī)模興建的3G網(wǎng)絡(luò)可提供包括數(shù)據(jù)和點(diǎn)播視頻在內(nèi)的多種業(yè)務(wù),網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展對手機(jī)設(shè)計(jì)師提出了新的挑戰(zhàn)。無線技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)使得手機(jī)可以使用7種不同的無線標(biāo)準(zhǔn)(頻帶),包括DCS、PCS、GSM、EGSM、CDMA、WCDMA、GPS 和 Wi-Fi(見表1)。每種標(biāo)準(zhǔn)自身均具有獨(dú)特的特性和限制,并因此產(chǎn)生了自
- 關(guān)鍵字: 0609_A MEMS RF RF專題 消費(fèi)電子 雜志_專題 消費(fèi)電子
ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC
- ——全新高性能ADF7021可滿足AMR、無線家庭自動化和多種無線連接應(yīng)用要求, 提供比同類產(chǎn)品提高7dB靈敏度,最低發(fā)射器功耗電流和最少外部元件。 美國模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市(Norwood, Mass.)發(fā)布推出ADF7021窄帶收發(fā)器集成電路(IC)擴(kuò)展了其業(yè)界領(lǐng)先的射頻(RF)IC產(chǎn)品種類。ADF7021適合于工作在80 MHz~650 MHz和862 MHz~940 MHz多個頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
- 關(guān)鍵字: ADI CMOS IC 單片機(jī) 電源技術(shù) 工業(yè)控制 接收器 靈敏度 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 收發(fā)器 亞吉赫茲窄帶 工業(yè)控制
集成CMOS對稱式收/發(fā)開關(guān)的設(shè)計(jì)
- 本文分析了影響對稱式射頻收/發(fā)開關(guān)性能的因素,包括柵寬、導(dǎo)通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC 0.35m CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)。
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 開關(guān) 對稱 CMOS 集成
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