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cmos-mems 文章 最新資訊

飛思卡爾壓力傳感器為基于位置的服務(wù)簡化系統(tǒng)設(shè)計

  • 飛思卡爾半導體推出用于測量海拔的高精度壓力傳感器，旨在幫助用戶進一步利用高級導航功能和新的基于位置的服...
  • 關(guān)鍵字： 飛思卡爾  FTF  Xtrinsic  壓力傳感器  MPL3115A2  MEMS  

MEMS技術(shù)

  • MEMS技術(shù)基礎(chǔ)MEMS技術(shù)的目標是通過系統(tǒng)的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統(tǒng)。MEMS技術(shù)是一種典型的多學科交叉的前沿性研究領(lǐng)域，幾乎涉及到自然及工程科學的所有領(lǐng)域，如電子技術(shù)、機械技術(shù)、物理
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MEMS加速度傳感器的自動校準平臺

  • 摘要：介紹了一種基于MEMS加速度傳感器的自動校準平臺的設(shè)計方案。從數(shù)學模型入手，推導了傾角測量算法并設(shè)計了調(diào)平控制方案。在電機控制環(huán)節(jié)加入改進后的PID算法，解決了輸出突變導致系統(tǒng)性能下降的問題?？炻龣n的設(shè)
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MEMS壓力傳感器應(yīng)用

  • MEMS壓力傳感器可以用類似集成電路（IC）設(shè)計技術(shù)和制造工藝，進行高精度、低成本的大批量生產(chǎn)，從而為消費電子和工業(yè)過程控制產(chǎn)品用低廉的成本大量使用MEMS傳感器打開方便之門，使壓力控制變得簡單易用和智能化。M
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CMOS振蕩器設(shè)計

  • 1 引言　　　集成電路是采用半導體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)如圖1 所示
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基于ARM-Linux的微慣性單元數(shù)據(jù)采集與處理

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： MEMS  數(shù)據(jù)采集  Linux  

標準有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序

  • 制定行業(yè)公認的標準是研究納米技術(shù)必不可少的先期工作        就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術(shù)的出現(xiàn)也帶來了巨大機遇和極大風險。正如在淘金熱時代出現(xiàn)了很多新技術(shù)、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對納米技術(shù)的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關(guān)鍵技術(shù)，抓住創(chuàng)造巨大財 富的機遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災(zāi)難性影響的可能性。盡管納米技術(shù)將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術(shù)，催生很多新的研究領(lǐng)域，但是也可能對那些不了解
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高k柵介質(zhì)中電荷俘獲行為的脈沖特征分析

  •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術(shù)對俘獲電荷進行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術(shù)，能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應(yīng)（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進行特征分析。 先進CMOS器件高k柵技術(shù)的進展        近年來，高介電常數(shù)（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
  • 關(guān)鍵字： 脈沖  CMOS  

SuVolta全新CMOS平臺有效降低集成電路功耗

  • 　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。 　　
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  CMOS  

傳感器接口標準最新進展

汽車輪胎壓力傳感器芯片與應(yīng)用

  • 前言汽車在高速行駛過程中，輪胎故障是駕駛者最為擔心和最難預防的，也是突發(fā)性交通事故發(fā)生的重要原因。根據(jù)美...
  • 關(guān)鍵字： 輪胎壓力傳感器  單島膜結(jié)構(gòu)  MEMS  

空心軸不帶內(nèi)置軸承的角度編碼器

安森美半導體擴充產(chǎn)品陣容推出緊湊150 mA器件

  • ?????? 6月9日，應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美(ON Semiconductor)半導體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器，強化用于智能手機及其他便攜電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術(shù)，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。 　　NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  CMOS  NCP4682  

PowerShrink平面CMOS平臺有效降低IC功耗

  • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
  • 關(guān)鍵字： SuVolta  CMOS  PowerShrink  

0.18 μm CMOS帶隙基準電壓源的設(shè)計

  • 基準電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機動態(tài)存儲器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準電壓源。
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計  電壓  基準  CMOS  0.18  
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