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cmos-ldo 文章 進(jìn)入cmos-ldo技術(shù)社區(qū)
幾乎沒(méi)有紋波的快速穩(wěn)定同步PWM-DAC濾波器

- 一種實(shí)現(xiàn)高分辨率數(shù)模轉(zhuǎn)換的廉價(jià)方法是把微控制器PWM輸出與精確模擬電壓參考、CMOS開關(guān)、模擬濾波結(jié)合起來(lái)(參考文獻(xiàn)1)。然而,PWM-DAC設(shè)計(jì)帶來(lái)了一個(gè)很大的問(wèn)題:如何充分抑制開關(guān)的輸出中不可避免的較大AC紋波分量?當(dāng)人們?yōu)镈AC控制使用典型的16比特微控制器PWM外設(shè)時(shí),紋波問(wèn)題變得特別嚴(yán)重。這類高分辨率PWM功能通常具有很長(zhǎng)的周期,這是因?yàn)?6比特計(jì)時(shí)器和比較器較大的216倒計(jì)數(shù)模。這個(gè)情況導(dǎo)致AC頻率分量?jī)H為100Hz或200Hz,速率低。對(duì)于這類低紋波頻率,如果人們采用普通的模擬低通濾波把
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貝爾實(shí)驗(yàn)室宣布未來(lái)將退出芯片研究業(yè)務(wù)
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,日前,貝爾實(shí)驗(yàn)室正式宣布未來(lái)其將退出芯片研究業(yè)務(wù)。 目前作為阿爾卡特-朗訊的一部分,貝爾實(shí)驗(yàn)室曾經(jīng)培養(yǎng)出了六名諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主。但在過(guò)去的六年時(shí)間里,自貝爾實(shí)驗(yàn)室剝離其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)后,其材料科學(xué)和設(shè)備物理研究分部的力量正逐年減少,所剩下來(lái)的僅僅是一小部分從事量子計(jì)算、高速電子和納米技術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。 阿爾卡特-朗訊貝爾實(shí)驗(yàn)室研究部負(fù)責(zé)人Gee Rittenhouse表示,“貝爾實(shí)驗(yàn)室未來(lái)將退出芯片研究業(yè)務(wù)的報(bào)道屬實(shí),由于我們沒(méi)有了半導(dǎo)體業(yè)務(wù),所以我們決定淡出材料科
- 關(guān)鍵字: 貝爾實(shí)驗(yàn)室 半導(dǎo)體 移動(dòng)通信 CMOS
高速ADC THS1041的鉗位功能

- 引言 TI 推出的THS1041是一款10位、40-MSPS、CMOS高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。該轉(zhuǎn)換器具有諸多優(yōu)異的特性,其中包括:?jiǎn)喂?jié)3-V電源、低功耗、靈活的輸入結(jié)構(gòu)、內(nèi)置可編程增益放大器(PGA)以及內(nèi)置鉗位功能。由于上述這些特性(特別是內(nèi)置的鉗位功能),多年來(lái)THS1041已在各種應(yīng)用中得到廣泛使用。鉗位功能可以使該器件能夠生成并輸出一個(gè)針對(duì)靈活A(yù)DC應(yīng)用的緩沖DC電壓,例如,為ADC提供一個(gè)共模電壓或允許ADC模擬輸入端AC耦合視頻信號(hào)上的DC恢復(fù),這一功能可被啟用或禁用。如圖1所示
- 關(guān)鍵字: ADC TI 鉗位功能 CMOS 轉(zhuǎn)換器
安華高科技在40nm硅芯上取得20 Gbps性能表現(xiàn)
- Avago在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長(zhǎng)久以來(lái)的領(lǐng)導(dǎo)地位,Avago的40nm內(nèi)核為公司第七代高性能SerDes IP,而SerDes的出貨總通道數(shù)也已經(jīng)超過(guò)了六千萬(wàn)。Avago在提供高可靠度且高性能的ASIC產(chǎn)品上擁有輝煌的紀(jì)錄,目前又在TSMC的40nm CMOS工藝上取得達(dá)成高達(dá)20 Gbps的SerDes設(shè)計(jì),進(jìn)一步邁入新的里程碑。安華高是為通信、工業(yè)和消費(fèi)類等應(yīng)用領(lǐng)域提供模擬接口零組件的領(lǐng)導(dǎo)廠商。 非
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安森美擴(kuò)充汽車應(yīng)用極低靜態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器系列

- 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)為了滿足需要極低熄火電流的汽車電子模塊的應(yīng)用需求,擴(kuò)充低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列。新推出的NCV86xx LDO系列通過(guò)了AEC-Q100規(guī)范認(rèn)證,且工作溫度范圍極寬,并且高度結(jié)合板載功能,典型靜態(tài)電流(Iq)低至22 ?A。 安森美半導(dǎo)體的這些新的極低Iq LDO可以連接電池,提供精確的3.3 V和5.0 V輸出電壓和高達(dá) 350 mA的輸出電流,具有板載保護(hù)功能,并具有上電復(fù)位和延遲時(shí)間選擇功
- 關(guān)鍵字: 安森美 半導(dǎo)體 汽車電子 穩(wěn)壓器 LDO
低壓差線性穩(wěn)壓器在開關(guān)電源中的應(yīng)用

- 1 引言 電源是各種電子設(shè)備必不可缺少的組成部分,其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩(wěn)壓電源分線性電源和開關(guān)電源兩大類,由于開關(guān)電源內(nèi)部關(guān)鍵元器件工作在高頻開關(guān)狀態(tài),本身消耗的能量很低,開關(guān)電源效率可達(dá)80%~90%,比普通線性穩(wěn)壓電源提高近一倍,目前已成為穩(wěn)壓電源的主流產(chǎn)品。 2 開關(guān)穩(wěn)壓電源的結(jié)構(gòu) 圖(1)畫出了開關(guān)穩(wěn)壓電源的原理圖及等效原理框圖,它是由全波整流器,開關(guān)管Vi,激勵(lì)信號(hào),續(xù)流二極管VD,儲(chǔ)能電感和濾波電容C
- 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源 整流器 晶體管 濾波 LDO 穩(wěn)壓器
傳AMD三季度將恢復(fù)盈利 出售設(shè)備是主因
- 業(yè)內(nèi)人士稱,AMD曾許諾要在今年第三季度恢復(fù)贏利。人們也許對(duì)在過(guò)去7個(gè)季度里一直虧損(包括在今年第二季度虧損2.69億美元)而且與英特爾的競(jìng)爭(zhēng)沒(méi)有重大進(jìn)展的AMD恢復(fù)盈利的可能性表示懷疑。但是,業(yè)內(nèi)人士肯定地說(shuō),AMD第三季度肯定會(huì)報(bào)告利潤(rùn)大幅度增長(zhǎng)。不過(guò),這個(gè)利潤(rùn)主要不是來(lái)自于產(chǎn)品銷售。這個(gè)利潤(rùn)將創(chuàng)建人們期待的宣布AMD的“Asset Smart”資產(chǎn)活化)戰(zhàn)略的基礎(chǔ)。 在過(guò)去的7個(gè)季度里,人們一直在談?wù)撚嘘P(guān)AMD恢復(fù)贏利的事情。AMD在過(guò)去的7個(gè)季度一共虧損了51.4
- 關(guān)鍵字: AMD 芯片設(shè)計(jì) CMOS 設(shè)備
麥克雷爾推出新型低輸入電壓雙LDO系列產(chǎn)品
- 麥克雷爾公司 (Micrel Inc.) 推出具有低輸入電壓性能的低壓差線性穩(wěn)壓器 (LDO) 的最新系列產(chǎn)品 MIC5313/4/5/6。MIC5313/4/5/6 系列產(chǎn)品整合了兩個(gè)能夠以低至1.7伏的輸入電壓運(yùn)行且僅需消耗37微安總靜態(tài)電流的 LDO。MIC5313/4/5/6 系列產(chǎn)品目前均已批量銷售,每1000件的起定價(jià)為每件1.29美元。 麥克雷爾便攜式電源產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān) Andy Khayat 指出:“無(wú)論哪種應(yīng)用,功效是設(shè)計(jì)人員一貫的重點(diǎn)。降低 LDO 使用的輸入電壓可
- 關(guān)鍵字: 麥克雷爾 穩(wěn)壓器 Micrel LDO
首款滿足商業(yè)對(duì)講機(jī)高品質(zhì)需求的全集成walkie-talkie芯片量產(chǎn)
- 在很多國(guó)家,具有 walkie-talkie 對(duì)講功能的手持產(chǎn)品已經(jīng)相當(dāng)成熟,廣泛應(yīng)用于公共安全、運(yùn)輸、鐵路、服務(wù)和制造等行業(yè),F(xiàn)RS(family radio service)、GMRS(General Mobile Radio Service) 和 PWR(private mobile radios) 的客戶群也逐年增大。而在國(guó)內(nèi),盡管前景普遍看好,但由于核心芯片特別是高品質(zhì)射頻收發(fā)器芯片的缺乏限制了終端產(chǎn)品性能的提升及其應(yīng)用。 近日,銳迪科微電子 (RDA) 宣布,采用全集成 CMOS 射
- 關(guān)鍵字: 射頻 對(duì)講機(jī) CMOS 銳迪科
運(yùn)算放大器的發(fā)展體現(xiàn)了電子技術(shù)的進(jìn)步

- 運(yùn)算放大器是模擬電路設(shè)計(jì)中的基本功能單元,小尺寸、高性能始終是設(shè)計(jì)人員的追求目標(biāo)。本文重點(diǎn)介紹了運(yùn)算放大器的發(fā)展方向以及設(shè)計(jì)中的折中考慮。
- 關(guān)鍵字: 運(yùn)算放大器 電路設(shè)計(jì) IC設(shè)計(jì) 半導(dǎo)體 CMOS 200808
集成光電智能探測(cè)器SOC研究

- 1 序言 本文所討論的智能探測(cè)器,是一種集成的半導(dǎo)體光電探測(cè)器。它與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體光敏器件相比,最為明顯的特點(diǎn)是系統(tǒng)集成,即將硅光電二極管與信號(hào)的放大、處理電路及輸出電路集成在一個(gè)芯片上,使得整個(gè)系統(tǒng)的可靠性明顯提高,體積大大減小,功耗和噪聲也大幅度減小,在批量生產(chǎn)的前提下,成本也較為低廉。它的另一個(gè)特點(diǎn)是技術(shù)含量較高,表現(xiàn)在:第一,需要設(shè)計(jì)一套CMOS兼容集成工藝流程,使它既能制造出合乎要求的光電二極管又能制造出CMOS模擬和數(shù)字電路。第二,工藝要求高。因?yàn)楣怆姸O管陣列和外圍讀
- 關(guān)鍵字: SOC CMOS 光電智能 探測(cè)器
EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

- 對(duì)于極紫外(EUV)光刻技術(shù)而言,掩膜版相關(guān)的一系列問(wèn)題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝,而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問(wèn)題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對(duì)于EUV光線具有極強(qiáng)的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預(yù)處理和清洗會(huì)議上,針對(duì)EUV掩膜版清洗方面遇到的問(wèn)題和挑戰(zhàn),Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內(nèi)部討論,并在會(huì)上向與會(huì)的同仁報(bào)告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
- 關(guān)鍵字: 光刻 EUV 掩膜 CMOS
中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)現(xiàn)狀與趨勢(shì)

- 近5年來(lái)市場(chǎng)增速首次跌至20%以下 幾乎所有的電子產(chǎn)品都會(huì)涉及到電源管理,而電源管理市場(chǎng)也直接受到電子整機(jī)產(chǎn)品產(chǎn)量的影響。近5年來(lái),在下游電子產(chǎn)品整機(jī)產(chǎn)量高速增長(zhǎng)的帶動(dòng)下,中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)保持了快速的增長(zhǎng),從2003到2007年,市場(chǎng)復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到25%,然而2007年市場(chǎng)增長(zhǎng)率僅為15%,5年來(lái)首次跌至20%之下,在經(jīng)歷了多年的高速發(fā)展之后,其市場(chǎng)增長(zhǎng)開始明顯放緩,賽迪顧問(wèn)認(rèn)為,直接的原因就是下游整機(jī)產(chǎn)量的增長(zhǎng)率相對(duì)前幾年有所減緩,在中國(guó)市場(chǎng)上,隨著國(guó)際電子產(chǎn)品制造業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)的減緩
- 關(guān)鍵字: 電源管理 芯片 LDO DC-DC
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