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cmos-ldo 文章 最新資訊

聯(lián)發(fā)科技與OmniVision攜手推出手機參考設(shè)計

  • 全球無線通訊及數(shù)字多媒體IC設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) ,日前宣布與CMOS影像傳感器領(lǐng)先品牌美國豪威科技股份有限公司(OmniVision Technologies, Inc.)合作,于其最新雙核及四核智能手機解決方案打造帶有畫中畫、影中影 (Video-in-Video ; ViV?) 相機功能的手機參考設(shè)計。
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)發(fā)  豪威  智能手機  CMOS  

最新一代CMOS和CCD圖像傳感器

  •  最新一代CMOS和CCD圖像傳感器具有更大的頻譜寬度、更高的靈敏度、更低的工作噪聲和更小的外形尺寸。更先進的制造工藝還實現(xiàn)了更低的成本。此外,創(chuàng)新架構(gòu)也正在給電路設(shè)計帶來更大的靈活性和通用性?! ∑浣Y(jié)果是,
  • 關(guān)鍵字: 圖像  傳感器  CCD  CMOS  新一  最新  

正確使用MOS集成電路的注意事項

  • 所有MOS集成電路(包括P溝道MOS,N溝道MOS,互補MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵,以防止電壓...
  • 關(guān)鍵字: MOS集成電路  CMOS  NMOS  

超低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器最佳選型詳解

  • 靜態(tài)電流差異及其對電池使用時間的影響  下面將更密切地審視數(shù)據(jù)表中的靜態(tài)電流規(guī)格與實際測量結(jié)果的比 ...
  • 關(guān)鍵字: 超低  靜態(tài)電流  LDO  穩(wěn)壓器  

超低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器最佳選型詳解(一)

  • 電子應(yīng)用設(shè)計人員現(xiàn)今面臨的一項極重要挑戰(zhàn)是將電子系統(tǒng)能耗降至最低。為了達到此目的,大多數(shù)系統(tǒng)利用不同的 ...
  • 關(guān)鍵字: 超低  靜態(tài)電流  LDO  穩(wěn)壓器  

圣邦推出IQ低至1.7μA的高壓LDO-SGM2200/SGM2300

  • 圣邦微電子(SG MICRO)于2012年推出極限耐壓高達32V的高壓LDO SGM2200系列。該系列產(chǎn)品可正常工作在26.4V輸入電壓范圍內(nèi),靜態(tài)功耗低至1.7μA,額定輸出電流為50mA,可廣泛用于各種電池供電或需要極低待機電流的電子產(chǎn)品中。
  • 關(guān)鍵字: 圣邦  封裝  SGM2200  LDO  

基于CPLD的服務(wù)機器人視覺系統(tǒng)軟硬件設(shè)計

  •   隨著計算機科學(xué)和自動控制技術(shù)的發(fā)展,越來越多的不同種類的智能機器人出現(xiàn)在工廠、生活當中,機器人視覺系 ...
  • 關(guān)鍵字: CMOS  智能機器人  視覺系統(tǒng)  

羅姆高頻元器件和模塊技術(shù)系列一

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: 羅姆  RF-CMOS  HEMS  特定小功率無線模塊  

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的噪音問題解析(二)

  • 典型電路中參考噪聲的控制  放大參考噪聲  TI TPS74401 LDO 用于測試和測量。表 1 列出了常見配置參 ...
  • 關(guān)鍵字: 低壓差  線性穩(wěn)壓器  LDO  

低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的噪音問題解析(一)

  • 引言  隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加,人們對于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高 ...
  • 關(guān)鍵字: 低壓  差線性  穩(wěn)壓器  LDO  

中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

  •   中芯國際宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進展,首款背照式CMOS成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功,在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標志著中芯國際自主開發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶圓工藝核心技術(shù)接近成熟,步入產(chǎn)業(yè)化階段,更好地滿足高端智能移動終端的需要。該技術(shù)將于2013年與客戶伙伴進行試產(chǎn)。   背照式CMOS成像傳感芯片工藝技術(shù)開發(fā)的成功,有助于中芯國際進一步拓展晶圓代工業(yè)務(wù),支持國內(nèi)外客戶500萬像素以上高分辨率智能手機用圖像傳感芯片、以及高性能視頻影像傳感芯片
  • 關(guān)鍵字: 中芯國際  傳感芯片  CMOS  

LDO 噪聲詳解

  • LDO 噪聲詳解,引言隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加,人們對于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高度依賴于高性能、高時鐘頻率和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器件,而這些器件的性能又非
  • 關(guān)鍵字: ldo  噪聲  線性穩(wěn)壓器  

LDO噪聲詳解

  • 引言隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加,人們對于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高度依賴于高性能、高時鐘頻率和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器件,而這些器件的性能又非常依賴于系統(tǒng)電源軌的質(zhì)量。當使用一個高噪
  • 關(guān)鍵字: LDO  詳解    

中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

  • 中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際",紐約證交所代碼:SMI,香港聯(lián)交所代碼:981),中國規(guī)模最大、技術(shù)最先進的集成電路代工廠,日前宣布在背照式 CMOS 成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進展,首款背照式 CMOS 成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功,在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。
  • 關(guān)鍵字: 中芯國際  CMOS  

羅姆全新突破車載半導(dǎo)體領(lǐng)域的電源IC技術(shù)

  • 如今,全球主要的汽車制造商為了應(yīng)對環(huán)境問題,都在規(guī)劃HEV和EV的開發(fā)與擴大投入。然而,由于EV以電池和電機為主動力,在現(xiàn)階段,與燃油動力車相比,行駛距離較短,要實現(xiàn)普及還存在諸多課題。因此,以歐洲已普及的高效低油耗柴油發(fā)動機為基礎(chǔ),在其上附加混合動力系統(tǒng)的柴油混合動力的開發(fā)日益進步。
  • 關(guān)鍵字: 羅姆  電源IC  LDO  
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