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cmos-ldo 文章 最新資訊

兩大戰(zhàn)略 護航羅姆LDO發(fā)力

  • 　　日前，日本半導體制造商ROHM第一次在中國發(fā)布用于汽車車身系統(tǒng)/動力傳動系統(tǒng)微控制器電源的LDO系列“BD4xxMx”，欲借此在汽車市場發(fā)力。　　此次發(fā)布的“BD4xxMx系列”共16個機型，適用于車身、動力傳動系統(tǒng)MCU電源?！　×_姆此時發(fā)布新品，是有著兩大背景因素：一是汽車電裝化和多功能化的發(fā)展，要求電源IC產(chǎn)品擴充種類，更大范圍覆蓋所需特性的產(chǎn)品系列;二是，經(jīng)歷了日本地震和泰國洪水這樣的自然災害，汽車行業(yè)正在全球推進這樣一種策略，即多家公司聯(lián)合采購或所用零部件標準化，以規(guī)避自然災害風險。　　羅姆
  • 關鍵字： LDO  車載  BD4xxMx  MCU電源  

英飛凌推出最小的天線調諧專用開關

  • 　　英飛凌科技股份公司針對射頻前端擴大高效集成電路解決方案產(chǎn)品組合，推出一款天線調諧專用開關。新款天線調諧開關(Aperture tuning)對提升4G智能手機和平板電腦的終端用戶體驗助益匪淺。該新產(chǎn)品從根本上優(yōu)化天線特性，在相關的LTE頻帶上可讓運行中的數(shù)據(jù)率達到最高水平。BGS1xGN10系列開關采用市面上最小封裝，這對新一代智能手機和其他便攜式設備等空間受限的應用而言至關重要。此外，該系列進一步降低電流消耗，延長此類設備的待機和工作時間?！　〔捎糜w凌射頻CMOS開關技術的天線調諧專用開關有利于開
  • 關鍵字： 英飛凌  BGSA14GN10  CMOS  

英飛凌面向智能電話和平板電腦的射頻開關出貨量突破10億大關 Bulk RF CMOS技術實現(xiàn)最快增速

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布，其用于智能電話和平板電腦的射頻開關的出貨量已經(jīng)突破10億大關。這凸顯了英飛凌作為發(fā)展速度最快的射頻開關領先供應商之一的地位。預計，今后數(shù)年，隨著新一代智能電話和平板電腦集成越來越多的LTE頻段，射頻開關需求將呈兩位數(shù)增長?！　‰S著4G/LTE手機可支持的工作頻段和運行模式越來越多，其射頻前端部件設計日益復雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應用之外，天線開關也是射頻前端至關重要的主要組件。這些天線開關要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線的發(fā)射(TX)/接收(RX)通道，要
  • 關鍵字： 英飛凌  LTE  CMOS  

RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器

  • 　　專注于為無線連接和蜂窩移動市場開發(fā)創(chuàng)新型下一代射頻(RF)解決方案的領先無晶圓半導體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，該公司用于無線局域網(wǎng)絡(WLAN)應用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產(chǎn)?！　FX241最新加入RFaxis瞄準快速增長的無線接入點(AP)、路由器(Router)、機頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(HGW)、熱點(Hotspot)等無線基礎設施市場的純CMOS大功率CMOS PA產(chǎn)品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內的目前市場上
  • 關鍵字： RFaxis  RF  CMOS  

德國開發(fā)出可耐高溫的新型微芯片

  • 　　在地熱生產(chǎn)和石油生產(chǎn)過程中溫度通常會超過200℃，高于設備所用的傳統(tǒng)微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統(tǒng)研究所(IMS)的研究人員近日開發(fā)出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達300℃的溫度下也能正常工作。 　　傳統(tǒng)的CMOS芯片有時能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實施持續(xù)冷卻，但是很難實現(xiàn)。此外，市場上也存在專門的高溫芯片，但是尺寸過大(最小尺寸也達1微米)。 　　IMS開發(fā)的微芯片尺寸僅有0
  • 關鍵字： 微芯片  CMOS  

一種低電壓、低功耗模擬電路設計簡介

  • 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設備。由于未來CMOS技術的閾值電壓并不會遠低于現(xiàn)有標準，于是采用襯底驅動技術進行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動技術的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅動MOS晶體管的原理類似于結型場效應晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
  • 關鍵字： MOS  CMOS  

研究表明新三維封裝技術將提高智能移動設備性能

  • 當平面工藝已經(jīng)無法滿足對于性能提升的需求時，3D架構是業(yè)界首先能想到的提升方式。
  • 關鍵字： CMOS  納米  

卓勝微電子向三星累積出貨已超2000萬顆

  • 　　作為專注在WiFi、藍牙、GPS連接性射頻芯片技術供應商，卓勝微電子今日宣布，公司GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。 　　“卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機市場的領先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力?！? 　　卓勝微電子的GPS
  • 關鍵字： 卓勝微電子  CMOS  

卓勝微電子宣布MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆

  • 　　2014年5月5日，作為專注在WiFi，藍牙，GPS連接性射頻芯片技術供應商，卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產(chǎn)品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。 　　“卓勝微電子的GPSLNA產(chǎn)品能夠給三星大批量供貨體現(xiàn)了我們產(chǎn)品的卓越性能。”卓勝微電子總經(jīng)理許志翰表示：“作為全球智能手機市場的領先者，三星對產(chǎn)品的創(chuàng)新和品質有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質和供貨能力的要求。這么大批量的穩(wěn)定出貨證明了我們的能力。” 　　卓勝微電子的G
  • 關鍵字： GPSLNA  卓勝  RF CMOS  

分析師預測2019年MRAM市場可達21億美元

  • 　　市場研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 　　CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場營收規(guī)?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復合年平均成長率(CAGR)估計為50%。
  • 關鍵字： MRAM  CMOS  

Diodes雙門邏輯系列有效延長電池壽命

  • 　　Diodes公司?(Diodes?Incorporated)?推出先進的74AUP2G雙門超低功率?CMOS微型邏輯器件系列，為低壓和低功耗模式設計，可延長手機、電子書閱讀器及平板電腦等多種掌上消費性電子產(chǎn)品的電池壽命?！　∵@款邏輯器件的漏電流少于0.9?μA，達到低靜態(tài)功耗的效果。其功耗電容在3.6V供電下一般為6pF，可將動態(tài)功耗降到最低。74AUP2G系列提供從0.8V到3.6V的供電電壓范圍，使電路供電降到最低等級?！　∪鲁凸β?4AUP2
  • 關鍵字： Diodes  電池  CMOS  

先進封裝技術：可穿戴電子設備成功的關鍵

  • 　　最近以來智能手表、體征監(jiān)測等穿戴式電子設備受到業(yè)界的極大關注，但市場一直處于“雷聲大，雨點小”的狀態(tài)。究其原因，有以下幾個因素制約了穿戴式電子設備實現(xiàn)突破：小型化低功耗技術還滿足不了需求、“殺手級”應用服務缺失、外觀工藝粗糙、用戶使用習慣仍需培養(yǎng)?！　募夹g層面上看，先進封裝將是穿戴式電子取得成功的關鍵技術之一，特別是系統(tǒng)級封裝(SiP)以及3D封裝等。據(jù)深圳市半導體行業(yè)協(xié)會秘書長蔡錦江介紹，2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內鏡就采用SiP技術將光學鏡頭、應用處理器、
  • 關鍵字： 穿戴式  SiP  3D  CMOS  

東芝為監(jiān)控攝像頭和行車記錄儀推出VGA CMOS圖像傳感器

  • 　　支持在低光條件下捕獲高靈敏度視頻　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)今天宣布，該公司將在4月底開始批量生產(chǎn)用于監(jiān)控攝像頭和行車記錄器的1/4英寸VGA?CMOS圖像傳感器“TCM3211PB”?！　∵@款新傳感器采用5.6?μm大像素，提高了低光敏感度。即使在月光[1]，也可以捕獲明亮的圖像?！　≡搨鞲衅鬟€整合了基于東芝算法的單幀HDR(高動態(tài)范圍)功能[2]?。它可以減少假色[3]?，并能夠真實再現(xiàn)高對比度圖像的黑暗和明亮區(qū)域?！　≡摦a(chǎn)品的60?
  • 關鍵字： 東芝  CMOS  傳感器  

具備 60V 瞬態(tài)保護的 40V、400mA (IOUT)、2.2MHz 三輸出降壓型 DC/DC 轉換器

  • 　　凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出?400mA、40V?降壓型開關穩(wěn)壓器?LT3667，該器件具備雙?LDO?輸出，采用?3mm?x?5mm?QFN?或?MSOP-16E?封裝。LT3667?為汽車和工業(yè)應用提供了高度緊湊的三輸出解決方案。LT3667?在?4.3V&
  • 關鍵字： Linear  LT3667  LDO    

數(shù)字鐘設計與制作

  • 　　本文采用CMOS數(shù)字集成電路實現(xiàn)了一種數(shù)字鐘電路，該電路設計包括了時序邏輯電路、組合邏輯電路、數(shù)碼管顯示電路和脈沖信號產(chǎn)生電路等內容，內容涉及面寬、綜合性強，是電子技術自主性實驗教學的典型案例
  • 關鍵字： 數(shù)字鐘  CMOS  CD4518  BCD-7  
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