- 寬動態(tài)監(jiān)控攝像機CCD/CMOS-DSP解析,寬動態(tài)攝像機到現在為止，究竟經歷了幾代，沒能講得清楚。就技術而言，不算背光補償技術，寬動態(tài)現有二種重要實現方式：CCD+DSP技術和CMOS+DPS技術。CCD+DSP技術：DSP芯片是一種特殊的微處理器，根據數字信號處理理論
- 關鍵字：
解析 CCD/CMOS-DSP 攝像機 監(jiān)控 動態(tài)
- GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 納米(nm) 低功耗強化型 (LPe)制程技術平臺進行了最新技術強化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲器和邏輯IP解決方案的 55nm LPe 1V ?！?5nm LPe 1V”是業(yè)內首個且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫的強化型制程節(jié)點，使芯片設計人員能夠在單一系統(tǒng)級芯片(SoC)中使用單一制程同時支持兩個工作電壓。
GLOBALFOUNDRIES產品營銷副總裁Bruce Kleinman表示：&ldqu
- 關鍵字：
GLOBALFOUNDRIES CMOS 55nm
- 摘要：本文介紹了CMOS圖像傳感器器件的原理、性能、優(yōu)點、問題及應對措施，以及CMOS圖像傳感器的市場狀況和一些...
- 關鍵字：
CMOS 圖像傳感器 電信號
- 過去，由于缺乏低成本系統(tǒng)部件，或因全息多路技術過于復雜以及找不到合適的記錄材料，使全息數據存儲產品的開...
- 關鍵字：
CMOS 成像器 全息數據檢索
- 擁有模擬和數字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標準兼容封裝尺寸內的可配置輸出，從而節(jié)省通信、網絡、存儲、工業(yè)和FPGA等應用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
- 關鍵字：
IDT MEMS振蕩器 CMOS
- 全球無線通訊及數字多媒體IC設計領導廠商聯發(fā)科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) ，日前宣布與CMOS影像傳感器領先品牌美國豪威科技股份有限公司(OmniVision Technologies, Inc.)合作，于其最新雙核及四核智能手機解決方案打造帶有畫中畫、影中影 (Video-in-Video ; ViV?) 相機功能的手機參考設計。
- 關鍵字：
聯發(fā) 豪威 智能手機 CMOS
- 最新一代CMOS和CCD圖像傳感器具有更大的頻譜寬度、更高的靈敏度、更低的工作噪聲和更小的外形尺寸。更先進的制造工藝還實現了更低的成本。此外，創(chuàng)新架構也正在給電路設計帶來更大的靈活性和通用性?！ ∑浣Y果是，
- 關鍵字：
圖像 傳感器 CCD CMOS 新一 最新
- 所有MOS集成電路（包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補MOS—CMOS集成電路）都有一層絕緣柵，以防止電壓...
- 關鍵字：
MOS集成電路 CMOS NMOS
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
- 關鍵字：
羅姆 RF-CMOS HEMS 特定小功率無線模塊
- 中芯國際宣布在背照式CMOS成像傳感技術研發(fā)領域取得突破性進展，首款背照式CMOS成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質量的清晰圖像。這標志著中芯國際自主開發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶圓工藝核心技術接近成熟，步入產業(yè)化階段，更好地滿足高端智能移動終端的需要。該技術將于2013年與客戶伙伴進行試產。
背照式CMOS成像傳感芯片工藝技術開發(fā)的成功，有助于中芯國際進一步拓展晶圓代工業(yè)務，支持國內外客戶500萬像素以上高分辨率智能手機用圖像傳感芯片、以及高性能視頻影像傳感芯片
- 關鍵字：
中芯國際 傳感芯片 CMOS
- 中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際"，紐約證交所代碼：SMI，香港聯交所代碼：981)，中國規(guī)模最大、技術最先進的集成電路代工廠，日前宣布在背照式 CMOS 成像傳感技術研發(fā)領域取得突破性進展，首款背照式 CMOS 成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質量的清晰圖像。
- 關鍵字：
中芯國際 CMOS
- 摘要：給出了一種結構簡單的低功耗振蕩器電路的設計方法，該電路由RC充放電回路、偏置電路組成。與傳統(tǒng)振蕩器電路相比，該電路具有精度高、電路結構簡單以及輸出占空比可調等優(yōu)點。采用0．35 mu;m BCD工藝并利用Cad
- 關鍵字：
振蕩器電路 低功耗 RC振蕩器 CMOS
- 摘要：為了應對低功耗電路設計要求，提出了一個在低功耗要求下CMOS低噪聲放大器的設計方法。使用該方法在0.18μm CMOS集成工藝下，設計一款低噪聲放大器，并在ADS中進行前仿真。
- 關鍵字：
CMOS 放大器 LNA 201212
cmos“介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos“!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos“的理解，并與今后在此搜索cmos“的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
