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EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos digital image sensor

中國MEMS傳感器市場分析

  • 　　傳感技術(shù)是獲取信息的技術(shù)，是信息技術(shù)的基石。通過傳感技術(shù)如信息識(shí)別、信息提取、信息監(jiān)測等來取得信息，然后通過通信技術(shù)來實(shí)現(xiàn)信息的快速、可靠、安全的轉(zhuǎn)移即傳遞信息，進(jìn)而通過計(jì)算機(jī)技術(shù)來對(duì)信息進(jìn)行編碼、壓縮、加密、存儲(chǔ)等處理，最后通過控制技術(shù)來利用所獲得的信息。 　　信息技術(shù)的發(fā)展對(duì)MEMS傳感技術(shù)提出更高的要求，也指引未來發(fā)展的方向：1.向高精度發(fā)展例如精確制導(dǎo);2.向高可靠性、寬溫度范圍發(fā)展;3.向微型化發(fā)展，如各種便攜設(shè)備應(yīng)用;4.向微功耗及無源化發(fā)展;5.向網(wǎng)絡(luò)化發(fā)展，與無線技術(shù)結(jié)合;6.向智能
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基于協(xié)處理器和CMOS傳感器的數(shù)碼相機(jī)方案

  • 什么是CMOS數(shù)碼相機(jī)?對(duì)于最終用戶而言，采用CMOS技術(shù)的數(shù)碼相機(jī)與傳統(tǒng)相機(jī)沒有太大不同。大多數(shù)拍照操作方法以及在取景器內(nèi)給被拍對(duì)象安排正確位置的方法都完全相同。那么不同之處在哪里?傳統(tǒng)相機(jī)需要使用一個(gè)35毫米
  • 關(guān)鍵字： 數(shù)碼相機(jī)  方案  傳感器  CMOS  處理器  基于  

基于MC34152和CMOS的軟開關(guān)變換器驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

  • 引言　　模擬電路中廣泛地包含電壓基準(zhǔn)(reference voltage)和電流基準(zhǔn)(current reference)。在數(shù)/模轉(zhuǎn)換器 ...
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意法與奧迪攜手共同推進(jìn)汽車半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新

  • 全球知名汽車廠商奧迪(Audi)與橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，共同開發(fā)先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案，推進(jìn)汽車電子技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展。意法半導(dǎo)體自1987年成立以來始終專注于汽車電子技術(shù)的研發(fā)和創(chuàng)新。
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基于CMOS振蕩器技術(shù)的硅頻率控制

  • 摘要：高精度、低噪聲和低功耗的無晶體固態(tài)振蕩器技術(shù)讓頻率控制器件可以通過常見的 CMOS 技術(shù)被移植到最低成本的架構(gòu)中。盡管其固有的 Q LC tank 較低，但創(chuàng)新的設(shè)計(jì)達(dá)到了與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)晶體或MEMS振蕩器相媲美的性能。該白皮書詳細(xì)地描述了創(chuàng)新的技術(shù)打破石英占領(lǐng)多年市場的局面。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  振蕩器  201210  

MAX1471 低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器

  • MAX1471是一款低功耗、CMOS、超外差、RF雙通道接收器，用于接收幅移鍵控(ASK)與頻移鍵控(FSK)數(shù)據(jù)，而不需要重 ...
  • 關(guān)鍵字： MAX1471  低功耗  CMOS  超外差  RF雙通道  

CMOS集成電路瞬態(tài)電流片外電流傳感器電路

  • 隨著芯片特征尺寸的縮小和電路復(fù)雜程度的增加，有阻開路和有阻橋接缺陷的數(shù)目也在增加。同時(shí)，隨著器件密度、復(fù)雜性和時(shí)鐘速度的增加，邏輯測試技術(shù)已不能提供足夠的故障覆蓋率。為了彌補(bǔ)傳統(tǒng)測試方法的不足，基于靜
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一種新穎啟動(dòng)方式的CMOS低功耗電流源

  • 1引言電流源是模擬、數(shù)字集成電路中重要的單元[1][2]。電流源的性能直接影響電路及系統(tǒng)的性能。...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  低功耗  電流源  

高線性度CMOS調(diào)幅電路技術(shù)介紹

  • 引言本文采用plusmn;5V電源，設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線性度的電路，并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動(dòng)增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的
  • 關(guān)鍵字： CMOS  高線性度  調(diào)幅  電路技術(shù)    

富士通半導(dǎo)體展示超高速短距離數(shù)據(jù)傳輸

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，富士通半導(dǎo)體歐洲(FSEU)已經(jīng)證明可以通過CEI-28G-VSR接口進(jìn)行單信道大于100Gbps的數(shù)據(jù)傳輸，從而將光互聯(lián)論壇(OIF)定義的芯片間電接口數(shù)據(jù)傳輸速率提高到4倍。這項(xiàng)研究成果驗(yàn)證了在利用為長距離光傳輸系統(tǒng)所開發(fā)的CMOS ADC/DAC轉(zhuǎn)換器技術(shù)后，短距離電信號(hào)傳輸所能達(dá)到的數(shù)據(jù)速率。
  • 關(guān)鍵字： 富士通  CMOS  ADC/DAC  

用CMOS集成電路制作一個(gè)感應(yīng)驗(yàn)電器

  • 利用CMOS集成電路具有極高的輸入阻抗這一特點(diǎn)，可以自制一個(gè)感應(yīng)式驗(yàn)電器?！　　　、電路原 ...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  集成電路  感應(yīng)  驗(yàn)電器  

亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)二

  • 3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果　　3.1 仿真分析　　在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測 ...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  VDD  VSSESD  

亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)一

  • 1 引言　　ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一，其E ...
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基于linlog技術(shù)擴(kuò)展傳感器動(dòng)態(tài)范圍的高速相機(jī)

  • 在photonfocuslinlog技術(shù)誕生之前，市面上常規(guī)工業(yè)相機(jī)的感光芯片（CCDorCMOS）的量子積分時(shí)間響應(yīng)都是線性的，...
  • 關(guān)鍵字： Linlog技術(shù)  CMOS  高速相機(jī)  
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cmos digital image sensor介紹

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