- 1 深UV應用光纖的曝曬風險
用于梯度折射率光纖的純硅芯材料易于受到UV引發(fā)衰減的影響。UV輻射引起玻璃結構中局部缺陷中心的增加,使得衰減增加,這個情況稱為曝曬 (solarization)。大多數衰減發(fā)生在小于275 nm的波長范圍,以及214nm和265 nm的吸收頻帶。損壞程度隨光纖類型而有很大的變化,例如,在常見的梯度折射率光纖中,用作內核材料的合成石英玻璃是極純的材料,卻存在著數種濃度不同的內在雜質缺陷,而且入射的UV輻射會引起某些硅氧結構的缺陷。每種缺陷的濃度取決于數個因素,包括預制
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光纖 UVM FDP UV輻射 曝曬
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