用脈沖應(yīng)力重新定義先進(jìn) CMOS 的可靠性測(cè)試

• 本文通過引入脈沖應(yīng)力與電荷泵技術(shù)，解決了傳統(tǒng)直流方法在先進(jìn) CMOS 及高K材料可靠性評(píng)估中的三大盲區(qū)：動(dòng)態(tài)恢復(fù)效應(yīng)、頻率相關(guān)壽命、界面陷阱實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。對(duì)于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為來說，脈沖應(yīng)力對(duì)典型的應(yīng)力測(cè)試是一個(gè)有用的補(bǔ)充。NBTI（負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性）和 TDDB（隨時(shí)間變化的介電擊穿）試驗(yàn)包括應(yīng)力 / 測(cè)量循環(huán)。所施加的應(yīng)力電壓通常是一個(gè)直流信號(hào)，使用它是因?yàn)樗菀子成涞狡骷Ｐ椭?。然而，結(jié)合脈沖應(yīng)力測(cè)試提供了額外的數(shù)據(jù)，允許更好地理解依賴頻率電路的器件性能。 傳統(tǒng)上，直流應(yīng)力和測(cè)量技術(shù)被廣泛
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