43納米文章進(jìn)入43納米技術(shù)社區(qū)

飛索澄清“暫停與武漢新芯的合作”純屬誤解

　　針對(duì)先前有媒體報(bào)導(dǎo)飛索暫停了與武漢新芯的合作，飛索公司企業(yè)營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)John Nation昨日駁斥上述說(shuō)法，并指出這是一場(chǎng)誤解。事實(shí)上，飛索與中芯國(guó)際和武漢新芯的合作，都還在持續(xù)進(jìn)行中，包括盡快移轉(zhuǎn)43納米的技術(shù)，還有一個(gè)大型工作團(tuán)隊(duì)正在努力進(jìn)行65納米的生產(chǎn)產(chǎn)能驗(yàn)證資格，為明年2010年第二季的合作量產(chǎn)做好準(zhǔn)備。　　飛索指出，該公司受到金融風(fēng)暴和破產(chǎn)重整的影響，打亂了原先2008年的規(guī)劃，65納米的生產(chǎn)提早于2010年第二季前實(shí)現(xiàn)的計(jì)劃已經(jīng)落空，所以現(xiàn)階段飛索只能自行利用內(nèi)部已有設(shè)備生產(chǎn)?？墒牵A(yù)
關(guān)鍵字：飛索晶圓代工 43納米 65納米 90納米

　　雖然其合作伙伴飛索半導(dǎo)體申請(qǐng)破產(chǎn)，武漢新芯與飛索65納米，43納米的技術(shù)研發(fā)及專(zhuān)利授權(quán)方面，仍在持續(xù)進(jìn)行當(dāng)中。　　武漢新芯于2006年6月28日開(kāi)工建設(shè)，為中國(guó)中部地區(qū)第一條12英寸集成電路生產(chǎn)線，由湖北省、武漢市、東湖高新區(qū)三級(jí)財(cái)政共同投資，并委托中芯國(guó)際經(jīng)營(yíng)管理。　　據(jù)中國(guó)經(jīng)濟(jì)網(wǎng)記者了解，武漢新芯的12英寸晶圓廠有能力供應(yīng)多種先進(jìn)制程的產(chǎn)品，產(chǎn)品線包括90納米至43納米制程的存儲(chǔ)芯片和閃存產(chǎn)品。武漢生產(chǎn)線產(chǎn)能可以加工客戶訂單的需求，預(yù)期還有多筆訂單會(huì)陸續(xù)進(jìn)來(lái)。目前90納米的產(chǎn)品線，月產(chǎn)能3
關(guān)鍵字：飛索晶圓代工 65納米 43納米 90納米

　　全球NAND Flash需求仍相當(dāng)疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場(chǎng)信心，然存儲(chǔ)器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程N(yùn)AND Flash芯片日前打入蘋(píng)果(Apple)iPhone供應(yīng)鏈，推測(cè)其增產(chǎn)系為蘋(píng)果供貨做準(zhǔn)備，近期更需關(guān)注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應(yīng)戰(zhàn)，亦開(kāi)始準(zhǔn)備最新版35納米制程N(yùn)AND Flash芯片，且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠，這不僅將對(duì)東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場(chǎng)
關(guān)鍵字：三星 NAND 30納米 43納米

據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞4月21日?qǐng)?bào)道，東芝最快將在本會(huì)計(jì)年度開(kāi)始采用43納米制程生產(chǎn)閃存芯片，以降低生產(chǎn)成本。東芝為全球第二大閃存芯片制造商，僅次于韓國(guó)三星電子。報(bào)道指出，由于芯片價(jià)格料在2007/08年度挫跌50%，因此該公司急于提高晶片生產(chǎn)效率。日經(jīng)新聞稱(chēng)，使用43納米制程，將可使東芝生產(chǎn)成本降低40%。報(bào)道稱(chēng)，三星電子計(jì)劃今年開(kāi)始采用50納米制程。
關(guān)鍵字： 43納米東芝閃存芯片消費(fèi)電子 IC 制造制程消費(fèi)電子

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