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可存儲10萬年的新型納米內(nèi)存器件
- 你是否想像過這種情景：在一個(gè)很小的內(nèi)存器件中存儲數(shù)百部高分辨率電影，并且不用等待數(shù)據(jù)緩沖就可以下載并播放它們；或者在無需將操作系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到有源內(nèi)存的情況下，你的筆記本電腦在短短幾秒鐘內(nèi)就可以啟動？ 美國賓夕法尼亞大學(xué)研究人員已開發(fā)出的一種新型納米器件，也許能將這些想象變成現(xiàn)實(shí)。這種納米器件能存儲10萬年的電腦數(shù)據(jù)，檢索數(shù)據(jù)的速度比現(xiàn)有的快1000倍，而且比目前的內(nèi)存技術(shù)更省電、存儲空間更小。 &nb
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迎接納米級IC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn) DFM應(yīng)成為普及化概念
- 有鑒于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正試圖解決可制造性設(shè)計(jì)(DFM)問題，參與月前在美國舉行之SemiconWest展會上的一場小組座談的EDA產(chǎn)業(yè)專家表示，可以從可測試性設(shè)計(jì)(design-for-test，DFT)的技術(shù)發(fā)展歷程中取經(jīng)。 該場小組座談會的主持人、市場研究公司GarySmithEDA總裁GarySmith表示：「真正的DFM是個(gè)大問號，如果它跟隨DFT的腳步，得花上幾年時(shí)間才能在設(shè)計(jì)社群中扎根?！顾赋觯雽?dǎo)體公司基本上是把DFT強(qiáng)迫推銷給設(shè)計(jì)工程師
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納米測量：探索未知的微觀世界
- 納米技術(shù)概述 納米科技的到來，為人們對傳統(tǒng)客觀世界的認(rèn)知帶來了一場革命?？茖W(xué)家們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)單元(如晶?；蚩紫?小到納米量級(范圍為0.l納米至100納米)時(shí)，物質(zhì)的性質(zhì)發(fā)生了重大變化，不僅大大改善了原有材料的性能，甚至?xí)哂行碌牧钊朔艘乃嫉男阅芑蛐?yīng)。如果能在100nm以下空間尺度內(nèi)對這些原子分子進(jìn)行觀察、移動和測量，那就能更近距離地理解這些系統(tǒng)是如何工作的，從而對材料進(jìn)行加工、制造出具有特定功能的產(chǎn)品，或用各種方法來改進(jìn)這些系統(tǒng)，使它們更加安全、保密、健康。而這種研究100nm以下的技術(shù)
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我國納米科技論文總數(shù)已位居世界前列
- 毫無疑義，納米科技是當(dāng)今世界科技發(fā)展的一個(gè)熱門領(lǐng)域，也是科學(xué)家和百姓眾說紛紜的一個(gè)前沿科學(xué)話題。在剛剛創(chuàng)刊的《前沿科學(xué)》雜志上，刊載了中國科學(xué)院院士白春禮和中國國家納米科學(xué)中心研究員裘曉輝撰寫的《中國納米科技研究的進(jìn)展》一文。在這篇論文中，作者總結(jié)了過去十年中國在納米科技的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究中取得的重要進(jìn)展，概述了中國科技人員近期在納米科技的部分研究領(lǐng)域中所取得的突出成就，并且就我國納米科技發(fā)展過程中存在的一些問題進(jìn)行了分析。 近日，記者采訪了裘曉輝研究員，請他向本報(bào)讀者介紹中國納
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納米技術(shù)與生物傳感器
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP
- ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個(gè)通過TSMC IP質(zhì)量安全測試的9
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專家稱納米公司前景黯淡 人才技術(shù)不足
- 據(jù)某分析師指出，雖然中國半導(dǎo)體制造商納米技術(shù)公司(Nanotech Corp.)在得到Intel的鼎力相助之后得以順利成立，但其前景不被看好。 2004年，Intel和納米技術(shù)公司達(dá)成了協(xié)議，通過納米技術(shù)公司將Intel的CPU制造工藝和設(shè)備首次引入中國。 Intel授權(quán)納米技術(shù)公司使用Intel 0.35微米和0.25微米的CMOS技術(shù)和工藝。Intel還將幫助納米技術(shù)公司培訓(xùn)員工并售賣充足的200mm晶元設(shè)備給該公司以幫助其月產(chǎn)量達(dá)
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英飛凌與中芯國際合作擴(kuò)展至90納米生產(chǎn)領(lǐng)域
- 英飛凌和中芯國際近日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議，進(jìn)一步擴(kuò)展在標(biāo)準(zhǔn)記憶芯片（DRAM）產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域中的現(xiàn)有合作，開始90納米標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。 根據(jù)新協(xié)議的內(nèi)容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術(shù)和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)轉(zhuǎn)讓于中芯國際，并可以在未來期間靈活進(jìn)行其70納米技術(shù)的進(jìn)一步轉(zhuǎn)讓。因此，中芯國際將為英飛凌獨(dú)家生產(chǎn)屬于此技術(shù)范圍之內(nèi)
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歐盟對抗功率難題納米級芯片欲破瓶頸
- 近日，研發(fā)人員在開發(fā)納米級芯片時(shí)遇到的重大難題——功率泄漏（power leakage），看起來有了福音。為了解決這一瓶頸問題，歐盟向某一研發(fā)團(tuán)體協(xié)會資助550萬美元以解決這一難題。 該協(xié)會的主要成員STMicroelectronics在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二（北京時(shí)間周三）發(fā)布的一份聲明中稱，該協(xié)會的研發(fā)項(xiàng)目旨在改進(jìn)下一代芯片系統(tǒng)半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)，解決65納米及其以下納米CMOS出現(xiàn)功率泄漏的問題。 據(jù)悉，該項(xiàng)稱為CLEAN的計(jì)劃將得到歐盟第六次框架項(xiàng)目下納米電子計(jì)劃的資助。功率泄漏
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全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將由硅技術(shù)向納米過渡
- 日前，最新發(fā)布的一份名為《全球半導(dǎo)體技術(shù)路線圖》的報(bào)告顯示，全球主要的半導(dǎo)體廠商正在規(guī)劃“后硅晶體管”時(shí)代的藍(lán)圖。據(jù)悉，該報(bào)告是由歐洲、日本、韓國、中國臺灣和美國的主要半導(dǎo)體廠商聯(lián)合發(fā)布的，主要致力于尋求未來的半導(dǎo)體制造技術(shù)。 雖然當(dāng)前的傳統(tǒng)硅技術(shù)仍擁有眾多優(yōu)勢，但無法長期適應(yīng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“摩爾定律”。據(jù)最新報(bào)告顯示，目前一種新的“納米轉(zhuǎn)換”技術(shù)比較可行，而且制造成本也相對低廉。研究人員預(yù)計(jì)到2015年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將從當(dāng)前的“硅技術(shù)”向“納米技術(shù)”過渡，因?yàn)楫?dāng)前的硅技術(shù)也只能維持到2015年。
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新一代45納米制程量產(chǎn)技術(shù)在京都正式發(fā)布
- Crolles2聯(lián)盟日前在京都舉辦的VLSI會議(VLSI Symposium)中發(fā)布的文件中，描述了針對新一代低成本、低功耗、高密度消費(fèi)性電路的超小型制程選項(xiàng)－使用傳統(tǒng)大量CMOS制程技術(shù)與45納米設(shè)計(jì)規(guī)則，在量產(chǎn)條件下建構(gòu)面積小于0.25平方微米的6晶體管結(jié)構(gòu)SRAM單元。 Crolles2是由飛思卡爾半導(dǎo)體、飛利浦、意法半導(dǎo)體共同組成的聯(lián)盟。其位于法國Crolles的300毫米試產(chǎn)線曾制造出1.5Mbit陣列。此次合作發(fā)布的文件再次展示
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