3d-nand 文章 最新資訊
2011年全球數(shù)字銀幕超過6萬塊
- 據(jù)IHS公司的最終數(shù)據(jù)，2011年全球數(shù)字影院屏幕大增到接近6.4萬塊，比2010年底時(shí)的35070塊猛增82%。2011年全球凈增數(shù)字銀幕創(chuàng)下迄今為止的最高水平，達(dá)到28756塊，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了2010年創(chuàng)下的紀(jì)錄18698塊。 北美數(shù)字銀幕最多，達(dá)27469塊，其次是歐洲有18521塊，亞太地區(qū)略多于15000塊。 2011年底，全球有63825塊有效銀幕，其中35979塊或占56%支持3D，該比例明顯低于前一年的64%，如圖所示。盡管增加了3D功能的銀幕占數(shù)字銀幕的比例下降，但2011年
- 關(guān)鍵字： 數(shù)字銀幕 3D
TDK開發(fā)eSSD系列 NAND閃存和閃存控制器一體化
- TDK株式會社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。 該產(chǎn)品在尺寸僅為17mm×17mm的208-ball BGA封裝(球柵陣列封裝)面積上實(shí)現(xiàn)了1GByte~4GByte的閃存容量，與將閃存和SSD控制器分別進(jìn)行安裝的情況相比，不僅可以縮小基板的尺寸，而且還可以降低安裝成本。因此，
- 關(guān)鍵字： TDK NAND
NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊
- 日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。 受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
- 關(guān)鍵字： NAND 晶圓
NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊
- 日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。 受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%
- 據(jù)IHS iSuppli公司的移動市場存儲報(bào)告，由于經(jīng)濟(jì)形勢糟糕和泰國洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%。 2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營業(yè)收入略有增長，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。 第四季度NOR營業(yè)收入下降的主要原因，是10月泰國發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠，造成硬盤短缺，導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營業(yè)收入減少的其它原因包括：在全球經(jīng)濟(jì)黯
- 關(guān)鍵字： NOR NAND
蘋果轉(zhuǎn)單海力士 三星NAND營收比重略減
- 市場研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營收較前季約減少5%，DRAM營收則微增，使NANDFlash佔(zhàn)該公司記憶體營收比重降至38%，佔(zhàn)全球NANDFlash營收比重亦續(xù)降至34.6%。 反觀海力士，其NANDFlash佔(zhàn)公司營收比重則維持在30%，佔(zhàn)全球NANDFlash營
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
固態(tài)硬盤每GB容量價(jià)格將跌破1美元
- 1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報(bào)告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會進(jìn)一步降低，每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計(jì)，在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。 隨著Intel Ivy Bridge處
- 關(guān)鍵字： 固態(tài)硬盤 NAND
Android 3D游戲?qū)崿F(xiàn)入門
- Android 3D游戲?qū)崿F(xiàn)入門, 此示例展示了一個(gè)立方體的具體實(shí)現(xiàn)過程，與之前的純Opengl es實(shí)現(xiàn)相比，它采用了JPCT-AE來實(shí)現(xiàn)，因?yàn)閭€(gè)人認(rèn)為這個(gè)框架很方便，于是從今天開始通過其網(wǎng)站上的Wiki來介紹JPCT-AE的實(shí)現(xiàn)。通過這個(gè)示例能讓你快速了解JP
- 關(guān)鍵字： 入門 實(shí)現(xiàn) 游戲 3D Android
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