3d ic 文章進(jìn)入3d ic技術(shù)社區(qū)

3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過(guò) 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND

IC行業(yè)復(fù)蘇在即，電子產(chǎn)品銷(xiāo)售Q3將環(huán)比增10%

2023 年第三季度，電子產(chǎn)品銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn) 10% 的季度環(huán)比增長(zhǎng)。
關(guān)鍵字： IC 集成電路

3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來(lái)架構(gòu)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l 這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
關(guān)鍵字： 3D DRAM 泛林

被壟斷的NAND閃存技術(shù)

各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
關(guān)鍵字： NAND 3D NAND

3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

迷人的技術(shù)革命。
關(guān)鍵字：晶體管 3D 晶體管 FinFET

基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案

MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達(dá)到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個(gè) Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤(pán)傳輸打印資料給打印機(jī)，支持 5 軸電機(jī)控制，支
關(guān)鍵字： 3D 打印機(jī) NXP LPC5528

Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

中國(guó)上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦的 2023中國(guó)（上海）機(jī)器視覺(jué)展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
關(guān)鍵字： Teledyne Vision China 3D AI成像

愛(ài)芯元智CEO仇肖莘出席2023 IC NANSHA

中國(guó) 上海 2023年6月20日——6月17日-18日，以“南芯聲聚勢(shì)未來(lái)”為主題的2023中國(guó)·南沙國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（IC NANSHA）成功舉辦。開(kāi)幕式上，愛(ài)芯元智創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼CEO仇肖莘博士受邀發(fā)表《普惠智能的星辰大?！分黝}演講，向與會(huì)嘉賓分享了對(duì)邊緣側(cè)、端側(cè)人工智能的看沙法，并解讀愛(ài)芯元智2.0時(shí)代戰(zhàn)略規(guī)劃和業(yè)務(wù)布局。聚焦感知與計(jì)算，布局智慧城市、智能駕駛、AIoT三大賽道 IC NANSHA是為響應(yīng)大灣區(qū)國(guó)家戰(zhàn)略而搭建的集成電路產(chǎn)業(yè)論壇。2022年6月，國(guó)務(wù)院正式
關(guān)鍵字：愛(ài)芯元智 IC NANSHA

格力1.5億元參設(shè)創(chuàng)投基金，重點(diǎn)投資孵化IC等產(chǎn)業(yè)

珠海市招商署消息顯示，5月6日，珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金成立暨項(xiàng)目簽約儀式舉行。據(jù)悉，珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金由珠海賽納科技有限公司聯(lián)合格力集團(tuán)、正方集團(tuán)共同組建，計(jì)劃規(guī)模8億元，重點(diǎn)投資孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成電路及上下游相關(guān)產(chǎn)業(yè)。格力集團(tuán)消息稱(chēng)，格力集團(tuán)旗下格力金投出資1.5億元并參與管理。儀式上，賽納科技、格力集團(tuán)、正方集團(tuán)三方簽約代表簽署“珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金”協(xié)議，基金擬投資企業(yè)珠海諾威達(dá)電機(jī)有限公司、廣州市小篆科技有限公司分別和賽納科技簽署項(xiàng)目落地協(xié)議。
關(guān)鍵字：格力創(chuàng)投基金 IC

DRAM迎來(lái)3D時(shí)代？

3D DRAM 領(lǐng)域的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)升溫。
關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲(chǔ)芯片 NEO 3D X-DRAM

IC 設(shè)計(jì)市況不明

IC 設(shè)計(jì)市場(chǎng)氣氛詭譎難辨，相關(guān)公司只能邊走邊看。
關(guān)鍵字： IC

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

5 月 5 日消息，鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過(guò) 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導(dǎo)側(cè)向
關(guān)鍵字： 3D NAND

基于RT3607HP的 Intel CPU IMVP 8/9 Vcore 電源方案

1. CPU Vcore 簡(jiǎn)介:VCORE轉(zhuǎn)換器（調(diào)節(jié)器）是在臺(tái)式個(gè)人電腦、筆記本式個(gè)人電腦、服務(wù)器、工業(yè)電腦等計(jì)算類(lèi)設(shè)備中為CPU（中央處理器）內(nèi)核或GPU（圖形處理器）內(nèi)核供電的器件，與普通的POL（負(fù)載點(diǎn)）調(diào)節(jié)器相比，它們要滿(mǎn)足完全不同的需要：CPU/GPU都表現(xiàn)為變化超快的負(fù)載，需要以極高的精度實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)電壓定位 (Dynamic Voltage Positioning) ，需要滿(mǎn)足一定的負(fù)載線要求，需要在不同的節(jié)能狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，需要提供不同的參數(shù)測(cè)量和監(jiān)控。在VCORE轉(zhuǎn)換器與CPU之間通常以串列
關(guān)鍵字： Richtek 立锜 Intel IMVP8 RT3607 多相電源 PWM IC

什么是混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)？

在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對(duì)于一些壓電加速度計(jì)，放大器內(nèi)置在傳感器外殼中?，F(xiàn)代 IC 通常由來(lái)自各個(gè)領(lǐng)域的元素組成。還有各種片上系統(tǒng) (SoC) 和系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 技術(shù)，包括單個(gè) IC 上的每個(gè) IC 設(shè)計(jì)域，或包含各種半導(dǎo)體工藝和子 IC 的封裝。本簡(jiǎn)介概述了典型混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)流程中的步驟。在本文中，我們系列文章中短的一篇，我們將給出混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)流程的視圖——同時(shí)具有模擬和數(shù)字電路的 IC 設(shè)計(jì)流程。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器——
關(guān)鍵字：混合信號(hào) IC

德州儀器推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的獨(dú)立式有源 EMI 濾波器 IC，支持高密度電源設(shè)計(jì)

中國(guó)上海（2023 年 3 月 28 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）今日宣布推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的獨(dú)立式有源電磁干擾 (EMI) 濾波器集成電路 (IC)，能夠幫助工程師實(shí)施更小、更輕量的 EMI 濾波器，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能，同時(shí)滿(mǎn)足 EMI 監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)。隨著電氣系統(tǒng)變得愈發(fā)密集，以及互連程度的提高，緩解 EMI 成為工程師的一項(xiàng)關(guān)鍵系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。得益于德州儀器研發(fā)實(shí)驗(yàn)室 Kilby Labs 針對(duì)新概念和突破性想法的創(chuàng)新開(kāi)發(fā)，新的獨(dú)立式有源 EMI 濾波器 I
關(guān)鍵字：德州儀器有源 EMI 濾波器 IC 電源設(shè)計(jì)