- 臺積電昨(12)日宣布，完成16納米主流制程FinFET+(鰭式場效晶體管強化版)全球首顆網(wǎng)通芯片及手機應用處理器試產，預定本月完成所有可靠性試驗，明年7
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16納米 臺積 海思處理器
- 臺積電于上周五宣布，期待已久的16nm工藝正式開始量產，并且終于縮小了與三星、英特爾在半導體工藝上的差距。預計，蘋果A9處理器將成為首批臺積電16nm工藝的產品，Nvdia、聯(lián)發(fā)科和華為的產品可能要今年晚些時候才能問世。
臺積電還公布了其最新工藝的客戶名單，例如，NVIDIA、LG、聯(lián)發(fā)科、飛思卡爾、Avago等產品，不過令人驚訝的是，蘋果并沒有出現(xiàn)在這份名單中。因為，日前蘋果要求三星和臺積電給A9處理器降價，三星已經(jīng)妥協(xié)，而臺積電則堅持不做讓步，這可能導致蘋果進一步削減其訂單量，二者的關系也會
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臺積電，16納米
- 臺積電共同執(zhí)行長劉德音昨(16)日表示，物聯(lián)網(wǎng)及云端大數(shù)據(jù)運算相關晶片，是驅動臺積電下波成長動能。
臺積電去年拿下全球晶圓代工過半市占，伴隨16奈米下季開始量產，市占率將再向上提升，明年即使只列計16奈米產能，也將穩(wěn)居全球晶圓代工龍頭。
劉德音強調，臺積電的16奈米制程，因電晶體的架構，遠比競爭對手的14奈米效能還快10%，臺積電非常有信心16奈米會贏得客戶采用，預估今年第3季開始量產，單季營收占比會比去年量產20奈米時增幅還快，明年是臺積電穩(wěn)坐全球晶圓龍頭的主力制程。
至于10奈米
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臺積電 16納米
- 臺積電內部全力醞釀在16納米制程搶回蘋果(Apple)處理器芯片訂單，決定將規(guī)劃許久的InFO(Integrated Fan-out)封測計劃全面延后一年上線，寄望2016年搭配16納米制程，全面拿回蘋果下世代A10處理器芯片訂單。然部分IC設計客戶認為，InFO成本仍過高，恐難與傳統(tǒng)芯片尺寸覆晶封裝(FC CSP)技術匹敵，力促臺積電再度端出Cost-down版本，避免市場叫好不叫座。不過，相關消息仍有待臺積電進一步證實。
臺積電封測計劃原本布局3D IC技術，先嘗試推出2.5D封測技術CoW
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臺積電 16納米
- 臺積電宣布斥資8500萬美元(相當26億臺幣)買下高通龍?zhí)稄S、擬跨足高階封測域。對此，港系外資出具報告指出，臺積應會將這座新廠做為發(fā)展InFO(Integrated fan-out)晶圓級尺寸封裝(Wafer-level packaging)的基地。
且若良率改善順暢，臺積預計最快2016年就可望提供16納米制程的InFO封裝服務。臺積股價因短線漲多壓抑，今小跌0.5元。
該港系外資分析，相較于其它先進封裝解決方案，InFO可提供更佳的效能表現(xiàn)，以及更低的價格與功耗。因此格外適用于行動裝置
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臺積電 高通 16納米
- 臺積電宣告完成16納米手機芯片，16納米制程處理器將會在明年正式應用，華為已經(jīng)成為首批客戶之一。
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臺積電完成16納米手機芯片 能耗降低50%(圖片來自Bing)
據(jù)悉，16FF+的制造工藝本月經(jīng)歷了質量與可靠性測試，可支持ARM Cortex-A57核心運行至2.3GHz主頻，在運行日常任務時A57核心與A53核心功耗僅為75mW。與前代20納米產品相比，速度提升40%，能耗降低50%。
臺積電聯(lián)席CEO魏哲家(音譯)透露，將于2015年第二季度或第三季度
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臺積電 16納米
- 臺積電甫于今年第2季完成20納米量產，依臺積電昨(12)日宣布16納米FinFET+制程明年7月量產的時間進程推算，創(chuàng)下全球晶圓代工業(yè)在一年內就完成一項新制程量產的新紀錄，也增強臺積電在未來二年內在10納米超越英特爾的信心。
臺積電能締造這項驚人的成績，除了董事長張忠謀親自率領「夜鷹計畫」成員，日以繼夜拚進度之外，先前臺積電甘愿冒先切入20納米制程、再導入16納米，可能落后三星直接導入14納米制程的風險，等到獲得20納米量產經(jīng)驗之后，大量復制至16納米制程、縮短學習曲線，更是關鍵。
臺積電
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臺積電 16納米
- 日前，全球首顆以16納米鰭式場效晶體管(FinFET)的ARM架構網(wǎng)絡芯片成果產出，這是由臺積電幫助海思半導體雙方合作后的成果。根據(jù)設備廠透露，這個成果表明了臺積電的16納米技術在面對英特爾以及三星的強力壓力下，已取得壓倒性的勝利。
此外，臺積電也正式向英特爾宣戰(zhàn)，目標是二年內在10納米晶體管技術追平英特爾，屆時在芯片閘密度及金屬層連結等二要項都超越英特爾，將讓臺積電稱冠全球，并奠定全球晶圓代工不可撼動的地位。
臺積電的這項成就，是昨天出席臺積電高雄氣爆感恩與祝福餐會的半導體設備廠
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16納米.海思
- 行動裝置如智慧型手機、平板電腦等應用領域，對于半導體晶片的需求走到超低功耗，制程技術從28奈米制程，到20奈米制程，將于2015年進入第一代3D設計架構的FinFET制程，也就是14/16奈米世代。
臺積電2015年下半即將量產16奈米世代，英特爾、三星電子(Samsung Electronics)、GlobalFoundries將是14奈米制程世代，英特爾早一些量產，之后是三星，GlobalFoundries制程技術將屬于三星陣營。
臺積電因為為大客戶蘋果生產20奈米制程晶片，因此16奈
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16納米 FinFET
- 臺積電最近助海思半導體成功產出全球首顆以16納米鰭式場效晶體管(FinFET)的安謀(ARM)架構網(wǎng)通處理器，設備廠透露，這項成就宣告臺積電16納米在面臨三星及英特爾進逼下，已取得壓倒性勝利。
此外，臺積電也正式向英特爾宣戰(zhàn)，目標是二年內在10納米晶體管技術追平英特爾，屆時在芯片閘密度及金屬層連結等二要項都超越英特爾，將讓臺積電稱冠全球，并奠定全球晶圓代工不可撼動的地位。
臺積電的這項成就，是昨天出席臺積電高雄氣爆感恩與祝福餐會的半導體設備廠所透露，針對臺積電宣布全球首顆16納米產
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臺積電 16納米
- 臺積電沖刺20/16納米先進制程，同時建置先進封測并提升多種特殊制程產能，昨(12)日董事會大手筆核準910.3億元資本支出預算，加速搶食智能行動裝置以及物網(wǎng)聯(lián)商機。
臺積電表示，今年資本支出預估約95億到100億美元(約新臺幣2,850億至3,000億元)，昨天董事會核準的910.3億元，主要用于擴充先進程所需的潔凈室、廠房、設備，以及第4季研發(fā)預算與經(jīng)常性資本支出預算，并轉置部分邏輯制程產能作為多種特殊制程產能。
臺積電稍早于法說會表示，明年資本支出仍將高于今年的95億到100
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臺積電 16納米
- 臺積電16納米制程遭遇強敵三星以14納米搶下大客戶高通部分訂單，讓臺積電明年在16納米市占恐低于勁敵;臺積電內部承認，這只是小亂流，預估2016年將搶回市占，重拾主導權，并于2017年拉開差距。
張忠謀對自家技術維持領先非常有信心，他說，28納米制程是驅動臺積電過去三年來業(yè)績成長主要動能;20納米及16納米制程技術，將是帶動公司未來三年業(yè)績成長的主要動力。
臺積電昨天法說會中，法人大多聚焦，臺積電16納米市占未來是否如20納米，維持全球領先趨勢。
面對法人追問，明年16納
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三星 16納米
- 據(jù)臺灣經(jīng)濟日報消息，晶圓雙雄臺積電、聯(lián)電，以及封測雙雄日月光、矽品近期都大動作加碼調高資本支出，并擴編人力，透露景氣強勁復蘇之余，也代表臺灣半導體業(yè)者在全球產業(yè)地位重要性愈來愈高。
據(jù)，在臺積電大幅提高資本支出、研發(fā)能量且擴大產能建置下，已掀起全球半導體業(yè)一股強大的虹吸效應。除了既有的無晶圓廠IC設計公司提高對臺制造及后段封測依賴，連英特爾、德儀、瑞薩、富士通、英飛凌等歐美整合元件大廠(IDM)也加速釋單到臺灣。
半導體設備廠指出，臺灣半導體業(yè)在火車頭臺積電的帶動之下，已經(jīng)建構成為
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半導體 16納米
- 晶圓雙雄臺積電、聯(lián)電，以及封測雙雄日月光、矽品近期都大動作加碼調高資本支出，并擴編人力，透露景氣強勁復蘇之余，也代表臺灣半導體業(yè)者在全球產業(yè)地位重要性愈來愈高，已筑起同業(yè)難以跨越的高墻。
在臺積電大幅提高資本支出、研發(fā)能量且擴大產能建置下，已掀起全球半導體業(yè)一股強大的虹吸效應。除了既有的無晶圓廠IC設計公司提高對臺制造及后段封測依賴，連英特爾、德儀、瑞薩、富士通、英飛凌等歐美整合元件大廠(IDM)也加速釋單到臺灣。
半導體設備廠指出，臺灣半導體業(yè)在火車頭臺積電的帶動之下，已經(jīng)建構成為完整的
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半導體 16納米
- 制程技術又上新臺階。16nm！各種高速網(wǎng)路架構與伺服器或將首先受益。
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臺積電 16納米
16納米介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條16納米!
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