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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 飛兆

飛兆推出最新一代點(diǎn)火IGBT器件

  • 為了滿足現(xiàn)今和新興點(diǎn)火系統(tǒng)對(duì)排放和高燃油效率的嚴(yán)苛要求，汽車(chē)設(shè)計(jì)人員需要更高性能的點(diǎn)火線圈驅(qū)動(dòng)器技術(shù)。為幫助設(shè)計(jì)人員滿足這些要求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出了在較小的占位面積下具有更低功耗的最新一代點(diǎn)火IGBT器件。EcoSPARK? 2、FGD3040G2和FDG3440G2點(diǎn)火線圈驅(qū)動(dòng)器可將VSAT降低多達(dá)20%，而不會(huì)顯著降低自箝位感性負(fù)載開(kāi)關(guān)(Self Clamping Inductive Switching, SCIS) 的能量。這項(xiàng)優(yōu)化特性減低了功耗和
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飛兆在中國(guó)榮獲聲名卓著的電源產(chǎn)品創(chuàng)新大獎(jiǎng)

  • 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 在中國(guó)主要的電子設(shè)計(jì)媒體《電子產(chǎn)品世界》雜志主辦的電源技術(shù)及產(chǎn)品獎(jiǎng)中，贏得年度創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  電源  FL7701  

飛兆新近擴(kuò)展重啟定時(shí)器產(chǎn)品系列

  • 隨著技術(shù)的發(fā)展，消費(fèi)者越來(lái)越多地利用便攜設(shè)備處理業(yè)務(wù)和私人事務(wù)。由于這些便攜設(shè)備中構(gòu)建了眾多的基礎(chǔ)架構(gòu)系統(tǒng)，擁有能夠快速解決系統(tǒng)鎖死的簡(jiǎn)單方案是至關(guān)重要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)新近擴(kuò)展重啟定時(shí)器產(chǎn)品系列，能夠?yàn)楸銛y設(shè)備鎖死問(wèn)題提供更好的解決方案。
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飛兆開(kāi)發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET

  • 便攜設(shè)備的設(shè)計(jì)人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對(duì)散熱問(wèn)題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢(shì)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  P溝道  

飛兆推出一款低側(cè)高雙功率芯片非對(duì)稱(chēng)N溝道模塊

  • 隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高雙功率芯片非對(duì)稱(chēng)N溝道模塊 FDPC8011S，幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一系統(tǒng)挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  FDPC8011S  N溝道  

飛兆推出一款電流柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器產(chǎn)品

  • 太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)以及馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等大功率工業(yè)應(yīng)用需要能夠處理690VAC以上電網(wǎng)電壓和高于1000 VDC恒定直流電壓的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，爬電距離和間隙距離至少要達(dá)到10mm。同樣地，惡劣環(huán)境逆變器(Harsh Environment Inverter, HEI)等應(yīng)用在690VAC電網(wǎng)條件下甚至要求更大的爬電距離和間隙距離。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)了一款先進(jìn)的2.5A輸出電流柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器產(chǎn)品FOD8320。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  封裝  FOD8320  

Power Integrations被裁定侵犯飛兆專(zhuān)利權(quán)其提出新專(zhuān)利訴訟

  • 在美國(guó)地區(qū)法院陪審團(tuán)裁定關(guān)于Power Integrations侵犯飛兆半導(dǎo)體有關(guān)初級(jí)端調(diào)節(jié)技術(shù)的美國(guó)專(zhuān)利的指控成立后數(shù)天，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor，簡(jiǎn)稱(chēng)“飛兆半導(dǎo)體”) 在美國(guó)時(shí)間5月1 日提出新的針對(duì)Power Integrations公司的美國(guó)專(zhuān)利侵權(quán)訴訟。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  半導(dǎo)體  

飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出一款智能高側(cè)開(kāi)關(guān)系列

  • 在現(xiàn)今的汽車(chē)應(yīng)用中，設(shè)計(jì)人員需要把大電流可靠和安全地引流到接地的阻性或感性負(fù)載，這類(lèi)應(yīng)用包括：白熾燈、電機(jī)控制和加熱器件等?，F(xiàn)在要實(shí)現(xiàn)這一目的，設(shè)計(jì)人員不得不依賴(lài)分立式或機(jī)電式解決方案，或是受制于市場(chǎng)上數(shù)量有限的解決方案。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  MOSFET  F085A  

飛兆與包爾英特的專(zhuān)利之爭(zhēng)：初步裁定結(jié)果

  • 　　飛兆半導(dǎo)體周五宣布，一個(gè)聯(lián)邦陪審團(tuán)裁定包爾英特侵犯了其一項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利，而飛兆半導(dǎo)體則侵犯了包爾英特的兩項(xiàng)專(zhuān)利權(quán)。 　　美國(guó)特拉華州地方法院的聯(lián)邦陪審團(tuán)裁定包爾英特的LinkSwitch II和LinkSwitch-CV系列產(chǎn)品侵犯了專(zhuān)利號(hào)為7259972的專(zhuān)利權(quán)，而飛兆的相關(guān)控訴都屬實(shí);同時(shí)飛兆的脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制器也侵犯了包爾英特的兩項(xiàng)專(zhuān)利權(quán)，但有關(guān)包爾英特指控的另外兩項(xiàng)專(zhuān)利侵犯并不屬實(shí)。 　　飛兆半導(dǎo)體表示已經(jīng)引進(jìn)了下一代技術(shù)來(lái)代替PWM控制器，對(duì)于那些與PWM技術(shù)相關(guān)的產(chǎn)品，公司也會(huì)與
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  PWM  

飛兆榮獲王氏港建科技頒發(fā)供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)

  • 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布榮獲王氏港建科技有限公司(WKK Technology Limited, WKKT) 頒發(fā)供應(yīng)商獎(jiǎng)。王氏港建科技是總部位于香港的全球性電子制造服務(wù)(EMS)企業(yè)，而飛兆半導(dǎo)體一直為該公司提供品種繁多的產(chǎn)品。這個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)是對(duì)飛兆半導(dǎo)體包括在交付時(shí)間表、客戶服務(wù)和設(shè)計(jì)支持方面等各項(xiàng)出色服務(wù)的認(rèn)可。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  半導(dǎo)體  

飛兆為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)最佳功率密度并節(jié)省線路板空間

  • 在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)之下，電源設(shè)計(jì)人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供業(yè)界最佳功率密度和低傳導(dǎo)損耗，能夠滿足這些需求。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  線路板  FDMC8010  

飛兆開(kāi)發(fā)出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊系列

  • 新能源標(biāo)準(zhǔn)以及針對(duì)刀片式服務(wù)器、高性能筆記本電腦、游戲主機(jī)和負(fù)載點(diǎn)(point-of-load)模塊的新系統(tǒng)規(guī)范，正在推動(dòng)業(yè)界對(duì)更高效率、更大電流、更高開(kāi)關(guān)頻率以及更大功率密度的需求。為了配合行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊(MCM)系列。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  芯片  FDMF68xx  

飛兆開(kāi)發(fā)出FAB2210音頻子系統(tǒng)

  • 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)出帶有立體聲Class-G耳機(jī)放大器和Class-D揚(yáng)聲器放大器的FAB2210音頻子系統(tǒng)，助力智能手機(jī)和便攜媒體播放器等移動(dòng)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更好音質(zhì)。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  揚(yáng)聲器  FAB2210  

飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出增強(qiáng)型CLASS-D音頻放大器

  • 消費(fèi)者對(duì)響亮清晰的揚(yáng)聲器音頻的要求，推動(dòng)了對(duì)于更長(zhǎng)電池使用時(shí)間和高效率的需求，這成為設(shè)計(jì)人員在便攜產(chǎn)品設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)“讓小型揚(yáng)聲器更響亮清晰”的目標(biāo)時(shí)所面對(duì)的兩項(xiàng)挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  音頻放大器  FAB3103  

飛兆與英飛凌就創(chuàng)新型汽車(chē)無(wú)鉛封裝技術(shù)達(dá)成協(xié)議

  • 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飛凌的H-PSOF (帶散熱片的小外形扁平引腳塑料封裝) 先進(jìn)汽車(chē)MOSFET封裝技術(shù)達(dá)成許可協(xié)議。H-PSOF是符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的TO無(wú)鉛(TO-LL) 封裝 (MO-299)。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  英飛凌  MOSFET  
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飛兆介紹

Fairchild Semiconductor is a leading global provider of semiconductor technology that powers the products we use and makes them more energy efficient. Fairchild continues to build on its rich history [ 查看詳細(xì) ]

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