非晶態(tài)半導體 文章 進入非晶態(tài)半導體技術(shù)社區(qū)
非晶態(tài)半導體的閾值開關(guān)機理

- 非晶態(tài)半導體閾值開關(guān)器件是指往復開關(guān)多次不會破壞的器件。這種器件的I-V曲線如圖1所示,當電壓超過閾值Vei時,器件進行開關(guān)(Switch)。但在“關(guān)態(tài)”(OFF state)與“開態(tài)”(ON state)之間無穩(wěn)定的操作點,電流降至維持電流In以下,器件即轉(zhuǎn)到原始狀態(tài)。 ? 一般觀察的結(jié)果表明,非晶半導體閾值開關(guān)器件受破壞的原因,多半是由于電極與半導體合金化,引起了大量的電子遷移,導致非晶態(tài)半導體分相或部分分相。所以多數(shù)器件失效的原因
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