- 4 月 8 日消息，德國鐵電存儲器公司（FMC）宣布與半導體企業(yè) Neumonda 達成戰(zhàn)略合作，將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片（FeRAM）生產線。這是繼 2009 年英飛凌、奇夢達德國DRAM 工廠破產關停后，歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產?！?圖源：Neumonda雙方此次合作的核心是
FMC 研發(fā)的 "DRAM+" 技術。該技術采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層，替代傳統鋯鈦酸鉛 PZT
材料，存儲容量從傳統 FeRAM 的 4-
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非易失性內存介紹
非易失性內存
NVM: non-volatile memory
也稱作：非易失性存儲器。
PCM（PRAM）: Phase-change Random Access memory,相變存儲器。
非易失性內存的一種，利用存儲單元的可逆的相變來存儲信息?？刹翆懙腃D/DVD一直在用這種技術。目前主流技術是采用硫族元素（元素周期表上“氧”那一列）做的合金，一般采用的是鍺、銻、 [
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