系統(tǒng)級封裝（System in Package，SiP）設計理念是實現電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開關MOSFET的集成封裝方案對電源性能影響大。本文討論同步開關電源拓撲中的半橋MOSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設計、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復雜度、組裝維修等方面，對比了不同方案的優(yōu)缺點，為電源SiP的設計提供參考。
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系統(tǒng)級封裝 腔體 3D堆疊 鍵合 銅片夾扣 202112 MOSFET
對于10Gbps及以上數據速率的SerDes，每個數據位的單位間隔是隨著近 20～30ps的信號上升/下降時間而縮短的。選擇合適的封裝互連結構，有效地傳輸這些信號已成為最大限度減少信號完整性問題的重要考慮因素，如串擾、阻
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SerDes 封裝 鍵合 封裝規(guī)范
0 引 言對人體的生理功能進行計算機模擬，借助于計算機仿真技術研究人體的生理特性和病理機制，是 目前 國內外生物醫(yī)學工程領域的一個研究方向。對人體血液循環(huán)系統(tǒng)（ human blood circulation system ，簡稱 bcs ）
關鍵字：
鍵合 計算機仿真 循環(huán) 系統(tǒng)
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