科學家開創(chuàng)了在電子產(chǎn)品上生長超薄半導體的無轉移方法

• 萊斯大學的一個材料科學家團隊開發(fā)了一種將超薄半導體直接生長到電子元件上的新方法。發(fā)表在《ACS Applied Electronic Materials》上的一項研究中描述了該方法，可以幫助簡化二維材料與下一代電子、神經(jīng)形態(tài)計算和其他需要超薄高速半導體的技術的集成。研究人員使用化學氣相沉積 （CVD） 將二硒化鎢（一種二維半導體）直接生長到圖案化金電極上。接下來，他們通過構建一個功能性、概念驗證的晶體管來演示這種方法。與需要將易碎的 2D 薄膜從一個表面轉移到另一個表面的傳統(tǒng)技術不同，Rice 團隊的方法
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