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消費級SSD退居供應第二線 英特爾將優(yōu)先供應企業(yè)級SSD
- 半導體龍頭英特爾(Intel)正透過管道向合作伙伴發(fā)出通知,由于2017全年SSD 硬盤供貨吃緊,英特爾未來將優(yōu)先以供應數(shù)據(jù)中心級SSD硬盤為主,而其搭低成本的消費級SSD硬盤將暫時退居供應第二線。 供貨吃緊 據(jù)悉,英特爾已向合作伙伴發(fā)出了一份《英特爾SSD硬盤供應健康資訊》的備忘錄,其中說明了SSD硬盤和NAND Flash產(chǎn)業(yè)目前正處于市場需求供貨吃緊的狀態(tài)。 此外,英特爾還在備忘錄中表示,目前公司正積極地將部分業(yè)務轉到3D NAND SSD硬盤的產(chǎn)品上。因此,英特爾鼓勵客戶立即
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英特爾Optane SSD性能各種秒殺NAND?

- 英特爾(Intel)終于發(fā)布了第一款采用3D XPoint內(nèi)存的固態(tài)硬盤(SSD),這款Optane固態(tài)硬盤預期能為此試圖在閃存與DRAM之間開創(chuàng)新市場的新一代內(nèi)存技術,建立雖然小巧但意義重大的灘頭堡。 新款DC P4800X系列固態(tài)硬盤采用NVMe標準接口,一開始將提供375GB容量、零售價1,520美元的版本,約是目前類似NAND快閃記憶卡的三倍價格;該SSD號稱讀寫延遲低于20微秒(microsecond),以及估計一天30次磁盤寫入的耐久度、長達三年的產(chǎn)品壽命。而在今年底之前,英特爾還將
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英特爾7億美金建廠美國 臺積電5000億投資3nm技術

- 晶圓代工龍頭臺積電正式將赴美國設立晶圓廠列入選項,且目標直指最先進且投資金額高達5000億元的3納米制程。臺灣地區(qū)媒體報道稱,臺積電3納米出走將撼動全球半導體江山。 擔憂臺灣代工基地空氣不佳、電力不穩(wěn) 臺媒引述指出,臺積電政策轉向,主因是南科高雄園區(qū)路竹基地,環(huán)評作業(yè)完成時間可能無法配合臺積電需求,加上空氣品質(zhì)及臺灣電力后續(xù)穩(wěn)定不佳,也是干擾設廠的變數(shù)。 臺積電表示,南科高雄園區(qū)路竹基地也未排除在外,持續(xù)觀察,選地尚未決定。至于電力問題,臺積電重申,考慮設廠地點,水、電、土地、人才,
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