絕緣柵雙極管(igbt) 文章 最新資訊
IGBT的特點、應用及未來的研究方向

- 近年來,IGBT被廣泛關注,隨著技術的發(fā)展,其應用前景被廣泛看好,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)IGBT,在很多領域應用廣泛。 什么是IGBT? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓
- 關鍵字: IGBT
IGBT掃盲文,IGBT基礎與運用知識學習

- IGBT基礎與運用 IGBT, 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用),頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)?! ±硐氲刃щ娐放c實際等效電路如圖所示: IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到,暫時不用考慮,重點考慮動態(tài)特性(開關特性)。 動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
- 關鍵字: IGBT,MOSFET
絕緣柵雙極管(igbt)介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
