- 交叉 級 聯(lián) 正激式變換器,電路組成稍微復雜,但能平坦分配各級損耗達到整體功耗最小,從而可在更高的環(huán)境溫度下工作。較低的功耗,意味著更高的效率;工作環(huán)境溫度高,意味著散熱處理能力強和輸出電流大。而可用輸出電流成本的降低,預示著系統(tǒng)長期可靠性會更好。我們的實踐表明交叉級聯(lián)正激式同步整流拓樸確實是一種非常有前景的功率變換結構。各項指標優(yōu)于相同的單級變換器。
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結構 整流 同步 實現(xiàn) 如何
- 超高亮度紅A1GaAsled與GaAsPGaPLED相比,具有更高的發(fā)光效率,透明襯(TS)A1GaAsLED(640nm)的流明效率已接近10lm/W...
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超高亮度 LED 結構 性能
- NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結構分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片,設計了一種在NFTL上實現(xiàn)壞塊管理并且實現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
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結構 分析 系統(tǒng) 存儲 Flash 嵌入式 NAND
- Diameter協(xié)議介紹 ● 簡介 Diameter系列協(xié)議是IETF開發(fā)的新一代AAA協(xié)議。AAA即Authentication(認證)、Authorization(授權)、Accounting(計費)。Authentication(認證)用以對用戶身份進行確認;Authorization(授權
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研究 特點 結構 協(xié)議 Diameter
- 雙管形式——達林頓管。電流倍數(shù):100-1000。飽和壓降大,速度慢。下圖虛線部分即是達林頓管。圖1-1:達林頓管應用
實際比較常用的是達林頓模塊,它把GTR、續(xù)流二極管、輔助電路做到一個模塊內。在較早期
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典型 結構 電路 模塊 應用 林頓 林頓管
- 摘要:采用高度集成的低功耗、雙極型放大器和連續(xù)波多普勒(CWD)混頻器/波束成型電路能夠使下一代結構緊湊的超聲設備達到“高端”CWD的指標。
超聲系統(tǒng)中要求最苛刻的臨床診斷工具是連續(xù)波多普勒(CWD)接
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多普勒 CWD 設計 連續(xù) 系統(tǒng) 緊湊 超聲 成像 結構
- 混頻器作為收發(fā)機中的關鍵模塊之一,對通信設備的上述性能產(chǎn)生直接的影響。隨著微電子工藝的發(fā)展, CMOS器件的柵長進一步縮小,MOS器件的過驅動電壓也進一步降低,這就為設計低壓低功耗的射頻電路提供了可能,但是依
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設計 結構 折疊 線性 新型
- 0 引言 隨著國民經(jīng)濟的發(fā)展和用電設備的不斷增加,對UPS容量的要求越來越大。大容量的UPS有兩種構成方式:一種是采用單臺大容量UPS;另一種是在UPS單機內部采用功率模塊N+m冗余并聯(lián)結構。前者的缺點是成本高
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余并聯(lián) 結構 Nm 模塊 逆變 UPS
- 0 引言 多電平變換器的概念自從A.Nabael在1980年的IAS年會上提出以后,以其獨特的優(yōu)點受到廣泛的關注和研究。首先,對于n電平的變換器,每個功率器件承受的電壓僅為母線電壓的1/(n-1),這就使得能夠用低壓
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控制 策略 結構 拓撲 變換器 電平
- 現(xiàn)場可編程門陣列的結構與設計,摘要:現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA——Field Programmable Gate Array)是上世紀80年代末發(fā)展起來的新型大規(guī)模集成邏輯器件。它采用高級計算機輔助設計技術進行器件的開發(fā)與設計,其優(yōu)越性大大超過普通TTL集成門
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設計 結構 陣列 可編程 現(xiàn)場
- 摘要:通過對電力半導體模塊結構的介紹,以及對其主要原材料性能的分析,進一步闡述了各主要結構材料對電力半導體模塊性能的影響。 關鍵詞:電力半導體;模塊;質量差異 1 引言 電力半導體模塊是分立半導體
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設計 要求 特殊 特點 模塊 結構 半導體
- 摘要:首先闡述了三電平DC/DC變換器拓撲的推導過程,給出了6種非隔離三電平DC/DC變換器和5種隔離三電平DC/DC變換器拓撲結構;分析了三電平DC/DC變換器中,如何設計濾波電路的參數(shù)以提高其動態(tài)品質;最后以Buck三電平
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滑模 控制 方法 及其 結構 DC/DC 變換器 拓撲 電平
- 摘要:多電平變換器作為一種應用于高壓大功率變換場合的新型變換器,其電路拓撲結構和PWM控制方法是當前的一個研究熱點?;陔娖襟槲环绞綄Χ嚯娖阶儞Q電路進行了分類,比較了“二極管或電容箝位”和ldqu
- 關鍵字:
控制 方法研究 結構 拓撲 變換器 電平
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