電路設(shè)計(jì) 文章最新資訊

PCB設(shè)計(jì)實(shí)例

今天給大家分享的是電源PCB設(shè)計(jì)。一、典型的同步降壓控制器典型的同步降壓控制器上圖為典型的示意圖。與大很多原理圖一樣，顯示的引腳注釋并不代表實(shí)際的 IC，它是一個(gè) TSSOP-20。所以在看Datasheet的時(shí)候，還是要多注意一點(diǎn)，不能只看這一個(gè)示意圖。二、實(shí)際同步降壓控制器示意圖實(shí)際同步降壓控制器示意圖這里可以明顯看到和上面的不一樣了。元件在PCB上的電氣連接方式有許多名稱(chēng)，不存在標(biāo)準(zhǔn)的一個(gè)命名。我一般會(huì)先放置開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)，通常是電感或者變壓器繞組以及1-2個(gè)電源開(kāi)關(guān)，大電阻 RCS 用于檢測(cè)電流，它與
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PCB板上各元器件損壞后都有哪些表現(xiàn)?

電子元件是有壽命的，除了與它本身的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)有關(guān)，也和它的使用環(huán)境和在電路中所起作用密切相關(guān)。在電路中電子元件有強(qiáng)弱之分，電子元器件抵抗能力排行榜如下：電阻、電感，電容、半導(dǎo)體器件(包括二極管、三極管、場(chǎng)管、集成電路)，也就是說(shuō)，在同樣的工作條件下，半導(dǎo)體器件損壞概率最大。在查找故障元件時(shí)要優(yōu)先檢查二極管、三極管、場(chǎng)管、集成電路等，一般半導(dǎo)體器件損壞時(shí)以擊穿為多見(jiàn)，萬(wàn)用表二極管蜂鳴檔測(cè)這些器件的任意兩腳最低也應(yīng)有一個(gè)PN結(jié)的阻值500左右，若是蜂鳴八成是壞了，可拆下再測(cè)以確認(rèn)。在電路中，工作在高電壓、大電
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開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)的10個(gè)經(jīng)驗(yàn)

整流橋并聯(lián)在小功率設(shè)計(jì)中，一般很少用到整流橋的并聯(lián)，但在某些大功率輸出的情況下，不想增添新的器件單個(gè)整流橋電流又不滿(mǎn)足輸入功率要求，就需要用到整流橋的并聯(lián)了，整流橋的并聯(lián)不能采用兩個(gè)整流橋各自整流后直流并聯(lián)的方式，也就是不能采用圖1的方式，因?yàn)檎鳂驔](méi)有配對(duì)，單純靠自身的V-I特性，一般是無(wú)法均流的，這樣就會(huì)造成兩個(gè)整流橋發(fā)熱不一致。而采用圖2的方式，通常認(rèn)為在一個(gè)封裝內(nèi)的兩個(gè)二極管是非常匹配的，是可以均分電流的，所以采用圖2的方式就可以實(shí)現(xiàn)整流橋的并聯(lián)了。浮地驅(qū)動(dòng)在驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會(huì)提到MOS管需要
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6種常見(jiàn)的DC-DC升壓電路

萬(wàn)用表是從事電工、電子技術(shù)工作者的必備工具，它的高阻擋通常使用一塊9V、15A或22.5V的疊層電池。這種電池不但價(jià)格較高，而且壽命短，經(jīng)常更換很不經(jīng)濟(jì)。這里介紹幾款適合萬(wàn)用表使用的小型直流升壓器電路，這些電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、元件少，改裝后可將電路板直接置于萬(wàn)用表中疊層電池的位置替代使用。一、直流升壓電路如圖所示是一種輸出電壓可達(dá)22.5 V的直流升壓器電路，可用來(lái)代替22.5 V的疊層電池。它利用萬(wàn)用表中的一節(jié)1.5V電池供電，工作電流為25mA，輸出電流約為0.5mA，用于萬(wàn)用表的高阻擋足夠富裕。電路中VT
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盲埋孔是msap工藝嗎？了解一下！

在電子制造領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，各種先進(jìn)的工藝層出不窮。其中，盲埋孔技術(shù)和MSAP（改進(jìn)型半加成工藝）工藝都是近年來(lái)備受關(guān)注的熱點(diǎn)。然而，這兩者之間是否存在直接的等同關(guān)系呢？本文將從定義、工藝流程及應(yīng)用等方面對(duì)盲埋孔和MSAP工藝進(jìn)行探討，以期為讀者厘清概念，明確二者之間的聯(lián)系與區(qū)別。一、盲埋孔技術(shù)盲埋孔是指在多層印制電路板（PCB）中，通過(guò)特殊的加工方法在內(nèi)層走線與表層走線之間進(jìn)行連接的一種過(guò)孔技術(shù)。它包括盲孔和埋孔兩種類(lèi)型，盲孔連接內(nèi)層走線和表層走線，而埋孔則只連接內(nèi)層之間的走線。盲埋孔技術(shù)的應(yīng)用
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Flyback原理分析（含電路圖、波形、計(jì)算、PCB布局）

1、Flyback變換器工作模態(tài)分析；2、Flyback關(guān)鍵波形分析；3、RCD吸收電路設(shè)計(jì)及開(kāi)關(guān)管應(yīng)力；4、從噪音回路看布線要點(diǎn)。5、基于實(shí)際項(xiàng)目，原創(chuàng)反激開(kāi)關(guān)電源視頻教程曝光Flyback 變換器模態(tài)分析ON：開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通，變壓器原邊充電，二極管關(guān)斷，負(fù)載由輸出濾波電容供電。OFF：開(kāi)關(guān)管關(guān)斷，二極管導(dǎo)通，變壓器儲(chǔ)存能量通過(guò)二極管向負(fù)載側(cè)傳送?；据斎胼敵鲫P(guān)系：理想情況下開(kāi)關(guān)波形Flyback 變換器關(guān)鍵波形分析DCM工作模式下MOS DS電壓波形分析CCM工作模式下MOS DS電壓波形分析CCM工作模
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PCB的可生產(chǎn)性設(shè)計(jì)（DFM）

關(guān)于什么是DFx——DFX，“X”為什么包括這么多鬼！DFx硬件教案免費(fèi)分享成熟工程師與初級(jí)工程師的差異：DFx的素養(yǎng)通過(guò)DFX設(shè)計(jì)提高電子產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性·DFM：Design for Manufacture 可生產(chǎn)性設(shè)計(jì)DFM的意思是面向制造的設(shè)計(jì)，Design for manufacturability，即從提高零件的可制造性入手，使得零件和各種工藝容易制造，制造成本低，效率高，并且成本比例低。就是在設(shè)計(jì)階段充分考慮到生產(chǎn)環(huán)節(jié)可能碰到的困難，而為了減少生產(chǎn)問(wèn)題，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本而進(jìn)行的
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值得收藏｜分享幾款免費(fèi)的電路設(shè)計(jì)軟件

摘要：工程軟件和在線資源往往比較昂貴，但是對(duì)于專(zhuān)業(yè)人員、學(xué)生和愛(ài)好者來(lái)說(shuō)非常有益。用戶(hù)開(kāi)展項(xiàng)目或者僅進(jìn)行工程驗(yàn)證時(shí)，這些資源往往是必要的，但是相關(guān)成本卻令許多人望而卻步。下面這幾款高質(zhì)量的免費(fèi)軟件你肯定喜歡。一、電路仿真PartSim網(wǎng)址：https://www.partsim.com/PartSim是一款基于瀏覽器的電路仿真器，用戶(hù)可以通過(guò)該軟件進(jìn)行電路實(shí)驗(yàn)。該仿真器布局簡(jiǎn)單，從而確保易用性，同時(shí)提供完整的SPICE仿真引擎、基于Web的原理圖捕獲工具和圖形示波器，可以監(jiān)視電路的模擬/數(shù)字信號(hào)電平。該工
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一個(gè)BUCK電源電路設(shè)計(jì)測(cè)試過(guò)程（下）

3 輸入電壓測(cè)試本次測(cè)試使用的設(shè)備有：0~30V/0~2A可調(diào)數(shù)字電源、鼎陽(yáng)牌SDS1000X-C數(shù)字示波器以及萬(wàn)用表。如圖14所示為可調(diào)的數(shù)字電源，圖15為SDS1000X-C數(shù)字示波器,圖16為MP4420H的電源模塊。圖14 可調(diào)電源圖15 SDS1000X-C數(shù)字示波器圖16 MP4420H電源模塊如圖17所示為12V輸入電壓的測(cè)試波形，從示波器上可以看出，輸出電壓為12V直流電壓。圖17 輸入電壓測(cè)試圖圖18為輸入電壓的紋波測(cè)試圖，是通過(guò)把示波器的耦合方式選擇交流耦
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一個(gè)BUCK電源電路設(shè)計(jì)測(cè)試過(guò)程（上）

1 芯片選型如下圖1所示為本模塊的電路原理圖，具體可以簡(jiǎn)化為輸入部分、控制部分、輸出部分以及反饋部分。輸入部分：電容C1、C2、C3以及R1；控制部分:MP4420H芯片以及自舉電路C5、R5；輸出部分：電感L1、電容C6、C7以及C8。反饋部分：電阻R3、R4以及R2。圖1 電源模塊原理圖本模塊需要實(shí)現(xiàn)一個(gè)DC-DC的電源轉(zhuǎn)換功能，其輸入為12V，輸出為3.3V/2A。選擇MP4420H這款芯片，MP4420H的輸入范圍為4V-36V之間，輸出電壓范圍為0.8V-32.4V，最大輸出
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分享一個(gè)電源自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)

分享一個(gè)經(jīng)典的切換電路。用一個(gè)MOS管作為電池電源的開(kāi)關(guān)，原本的5V電源可以是USB，也可以是外接適配器的5V。它的工作原理是這樣的，當(dāng)VUSB通電，PMOS截止，雖然這里有體二極管電流流過(guò)，但是VUSB會(huì)比Vbat 電壓高，PMOS的Vgs>0，PMOS體二極管截止，負(fù)載由 VUSB 供電，當(dāng)VUSB沒(méi)電，PMOS導(dǎo)通，負(fù)載由 VBat 供電。這里要注意，PMOS管的方向沒(méi)有畫(huà)反，這是因?yàn)殡姵仉妷和ㄟ^(guò)體二極管到達(dá) S 極，在沒(méi)有 VUSB 的時(shí)候使得 Vgs<0，MOS管導(dǎo)通，給Vout 供
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畫(huà)好原理圖的幾個(gè)技巧

很多時(shí)候原理圖不僅僅是給自己看的，也會(huì)給其它人看，如果可讀性差，會(huì)帶來(lái)一系列溝通問(wèn)題。所以，要養(yǎng)成良好習(xí)慣，做個(gè)規(guī)范的原理圖。此外，一個(gè)優(yōu)秀的原理圖，還會(huì)考慮可測(cè)試性、可維修性、BOM表歸一化等。1分模塊如上圖所示，用線把整張?jiān)韴D劃分好區(qū)域，和各個(gè)區(qū)域?qū)懮瞎δ苷f(shuō)明，如：電源、STM32等。這樣讓人更清晰、更快速地理解整個(gè)原理圖，調(diào)試、維修的時(shí)候也很容易根據(jù)問(wèn)題來(lái)查找電路。2標(biāo)注關(guān)鍵參數(shù)如上圖，標(biāo)注了最大輸出電流，這樣可以方便別人修改電路的時(shí)候，知道電源能不能帶得起負(fù)載。也可以寫(xiě)其它參數(shù)，如：輸入電壓范圍
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幾年的原理圖沒(méi)白干，總結(jié)了這么多晶體管的應(yīng)用知識(shí)~

晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類(lèi)似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇?lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
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半橋LLC空載電壓尖峰的電路設(shè)計(jì)改善方案

半橋LLC空載電壓尖峰問(wèn)題可通過(guò)改善電路設(shè)計(jì)解決。采用小漏源電容和良好恢復(fù)特性的功率管，減少導(dǎo)通死區(qū)時(shí)間，可消除直通電流，降低電壓尖峰。死區(qū)時(shí)間變化可能影響ZVS狀態(tài)和DC/DC輸出二極管電壓應(yīng)力。摘要由作者通過(guò)智能技術(shù)生成有用半橋LLC空載電壓尖峰的電路設(shè)計(jì)改善方案半橋電路在空載時(shí)，由于上管的占空比很小（可能為0），電路下面的諧振電容電壓會(huì)很低，這就容易導(dǎo)致了下管在導(dǎo)通時(shí)，流過(guò)諧振電感的電流不能反向。今天分享在網(wǎng)上看到的干貨。在半橋電路中，當(dāng)下管關(guān)斷后下管的體二極管進(jìn)行續(xù)流時(shí)，上管被開(kāi)通了，導(dǎo)致了“瞬時(shí)
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經(jīng)典電源電子電路設(shè)計(jì)

電源電子電路設(shè)計(jì)中存在一些不穩(wěn)定因素，而設(shè)計(jì)用來(lái)防止此類(lèi)不穩(wěn)定因素影響電路效果的回路稱(chēng)作保護(hù)電路。比如有過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、空載保護(hù)、短路保護(hù)等。鋰電池保護(hù)電路由兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管和專(zhuān)用保護(hù)集成塊S8232組成，過(guò)充電控制管FET2和過(guò)放電控制管FET1串聯(lián)于電路，由保護(hù)IC監(jiān)視電池電壓并進(jìn)行控制，當(dāng)電池電壓上升至4.2V時(shí)，過(guò)充電保護(hù)管FET2截止，停止充電。電容在中低頻或直流情況下，就是一個(gè)儲(chǔ)能組件，只表現(xiàn)為一個(gè)電容的特性，但在高頻情況下，它就不僅僅是個(gè)電容了，它有一個(gè)理想電容的特性，有漏電流（在
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