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電壓不足期間支持電信電源的小電容

- 本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹如何在短暫電壓不足期間使電信設(shè)備保持正常工作。首先必須了解電信設(shè)備專(zhuān)用電源的幾個(gè)細(xì)節(jié)。向電信設(shè)備饋電的電源的共模電壓為-48V,盡管實(shí)際電壓范圍可能是-42.5V ~ -56V、-40V ~ -60V,甚至超出這些范圍。公共電源——“磚塊”DC/DC轉(zhuǎn)換器工作于-36V ~ -75V范圍。當(dāng)-48V源降至0V并持續(xù)10ms時(shí),就會(huì)出現(xiàn)電壓不足。 利用連至“磚塊”輸入端的電容存儲(chǔ)裝置,是一條克服此問(wèn)題的路徑,但當(dāng)
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高隔離度X波段RF MEMS電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān)

- 0 引 言 RF MEMS開(kāi)關(guān)在隔離度、插入損耗、功耗以及線(xiàn)性度等方面,具有比FET或pin二極管傳統(tǒng)微波固態(tài)開(kāi)關(guān)無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì),從而獲得了廣泛的關(guān)注,并顯示出在微波應(yīng)用領(lǐng)域的巨大潛力。自1979年K.E.Petersen第一次報(bào)道RF MEMS開(kāi)關(guān)的應(yīng)用以來(lái),業(yè)界已研制出很多不同結(jié)構(gòu)的RF MEMS開(kāi)關(guān)。無(wú)論是在隔離度還是在插入損耗上,RFMEMS電容式并聯(lián)開(kāi)關(guān)在Ka到W波段都表現(xiàn)出了良好的性能。但是,RF MEMS電容式開(kāi)關(guān)在低頻段的較低隔離度限制了其在X波段的應(yīng)用。為克服以上不足,J.B.
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太陽(yáng)誘電:無(wú)懼行業(yè)風(fēng)云變幻,關(guān)注電容獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷

- 我認(rèn)為隨著終端產(chǎn)品性能的不斷提高會(huì)加大電容等無(wú)源器件的需求,今后的市場(chǎng)中還是以手機(jī)和PC為中心的產(chǎn)品發(fā)展。在此之外有可能推動(dòng)電容產(chǎn)品的市場(chǎng)需求量的應(yīng)用設(shè)備是PDP/液晶電視等超薄電視產(chǎn)品,特別是大屏幕液晶電視等產(chǎn)品中每臺(tái)設(shè)備會(huì)使用到2000顆以上的陶瓷電容,這么大的用量將可以與手機(jī)的用量市場(chǎng)相匹敵。(一臺(tái)手機(jī)中通常會(huì)用到200顆MLCC產(chǎn)品)另外,用于手機(jī)中的模塊產(chǎn)品也將進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)小型化,目前的趨勢(shì)是由1005→0603→0402(mm)變化。面對(duì)這樣的市場(chǎng)動(dòng)態(tài),我們?cè)诓粩嗤苿?dòng)產(chǎn)
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電壓不足期間支持電信電源的小電容

- 本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹如何在短暫電壓不足期間使電信設(shè)備保持正常工作。首先必須了解電信設(shè)備專(zhuān)用電源的幾個(gè)細(xì)節(jié)。向電信設(shè)備饋電的電源的共模電壓為-48V,盡管實(shí)際電壓范圍可能是-42.5V ~ -56V、-40V ~ -60V,甚至超出這些范圍。公共電源——“磚塊”DC/DC轉(zhuǎn)換器工作于-36V ~ -75V范圍。當(dāng)-48V源降至0V并持續(xù)10ms時(shí),就會(huì)出現(xiàn)電壓不足。 利用連至“磚塊”輸入端的電容存儲(chǔ)裝置,是一條克服此問(wèn)題的?徑,但當(dāng)
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KEMET推出新系列航空級(jí)電容

- KEMET日前推出新系列航空級(jí)電容,為軍事/航空高可靠性航空應(yīng)用的客戶(hù)所設(shè)計(jì)。新系列滿(mǎn)足MIL-PRF-55365和MIL-STD-1580的要求,這一系列電容集合了精密測(cè)試與審查協(xié)議,可以根據(jù)客戶(hù)特殊需求定制。? 器件型號(hào)的設(shè)計(jì)考慮了Weibull級(jí)(evel C - 0.01%/k hours),浪涌電流級(jí)(10 cycles at 25?C,10 cycles -55?C以及+85?C 之前/之后 Weibull級(jí)),性能測(cè)試級(jí)(可供選擇的詳細(xì)目錄),ESR(低和標(biāo)準(zhǔn))。可提
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MicroTCA 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中必備的要素:性能,成本和可靠性

- 這篇技術(shù)文章可作為對(duì)于MicroTCA電源系統(tǒng)的通用指南,適合那些對(duì)于電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)有全面了解但初次接觸MicroTCA系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的工程師。它也適合那些已開(kāi)始設(shè)計(jì)MicroTCA系統(tǒng)但想要詳細(xì)了解電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)和如何選擇電源模塊設(shè)計(jì)的工程師。 目錄 1. 介紹 2. 歷史回顧 3. 架構(gòu)分析 3.1 AdvancedTCA 3.2 MicroTCA 4. MicroTCA電源模塊概覽 5. MicroTCA電源模塊設(shè)計(jì)要素 5.1 保持電容 5.2
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功率開(kāi)關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測(cè)(04-100)

- 引言 在工作于自激振蕩模式的SMPS中,需要檢測(cè)磁芯的完全去磁狀態(tài)。去磁檢測(cè)的最新技術(shù)基于對(duì)與變壓器主繞組耦合的輔助繞組的使用。此繞組可對(duì)磁芯實(shí)際去磁后出現(xiàn)的零電壓進(jìn)行檢測(cè)(ZCD)。在準(zhǔn)諧振工作中,重新啟動(dòng)新一輪導(dǎo)通周期的最佳時(shí)機(jī)位于功率MOSFET漏極電壓的“谷點(diǎn)”處。電壓ZCD和漏極電壓谷點(diǎn)之間的時(shí)間間隔取決于漏極振鈴周期。 本文描述了一種被稱(chēng)為SOXYLESS的新技術(shù),它無(wú)需采用輔助繞組和時(shí)間補(bǔ)償元件就能進(jìn)行“谷點(diǎn)”檢測(cè)。 So
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臺(tái)達(dá)變頻器在粗紗機(jī)多電機(jī)掉電同步制動(dòng)中的應(yīng)用
- 摘要:為了實(shí)現(xiàn)變頻器驅(qū)動(dòng)的粗紗機(jī)事故掉電時(shí)不斷線(xiàn),要求傳動(dòng)控制系統(tǒng)具有同步制動(dòng)功能。根據(jù)上例計(jì)算結(jié)果,如...
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使高性能電容式感應(yīng)在計(jì)算機(jī)和外圍部件中實(shí)現(xiàn)應(yīng)用
- 電容式感應(yīng)按鈕和滑條控制器正迅速成為許多計(jì)算機(jī)和外圍器件上無(wú)處不在的設(shè)計(jì)和特色裝置。賽普拉斯半導(dǎo)體的CapSense多媒體系列產(chǎn)品(CY8C20×24)可有效滿(mǎn)足空間應(yīng)用的需要。 本文將簡(jiǎn)要介紹賽普拉斯半導(dǎo)體多媒體系列產(chǎn)品,討論其關(guān)鍵特征,并概述一下典型的設(shè)計(jì)應(yīng)用。 賽普拉斯CapSense多媒體系列(CY8C20×24)基于賽普拉斯獨(dú)特的可編程片上系統(tǒng)(PSoC),具備優(yōu)化的電容式感應(yīng)性能,適用于筆記本電腦、計(jì)算機(jī)和PC外圍部件市場(chǎng)領(lǐng)域。這一產(chǎn)品系列能滿(mǎn)足具體應(yīng)用
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超級(jí)電容集成優(yōu)化混合動(dòng)力公交車(chē)動(dòng)力總成
- 天然資源的枯竭、空氣污染、交通堵塞和礦物燃料價(jià)格的上漲等等問(wèn)題,迫使社會(huì)和個(gè)人尋求替代運(yùn)輸工具。這當(dāng)中就有用于公交車(chē)和卡車(chē)的混合電力、氫氣和基于燃料電池的動(dòng)力系統(tǒng),例如ISE(San Diego, CA)從1996年以來(lái)所生產(chǎn)的那些。 這些動(dòng)力系統(tǒng)在整個(gè)汽車(chē)工業(yè)之所以受到歡迎,是因?yàn)樗鼈兲岣吡巳加托剩档土擞泻ε欧?。ISE公司專(zhuān)長(zhǎng)于生產(chǎn)串聯(lián)混合電力動(dòng)力系統(tǒng),其中的引擎完全與動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)脫離,且僅僅被用于產(chǎn)生電力。 該類(lèi)型混合架構(gòu)對(duì)于執(zhí)行大量“停走”驅(qū)動(dòng)的大型車(chē)輛特別有吸
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電容介紹
電容是表征電容器容納電荷的本領(lǐng)的物理量。我們把電容器的兩極板間的電勢(shì)差增加1伏所需的電量,叫做電容器的電容。
電容的符號(hào)是C。在國(guó)際單位制里,電容的單位是法拉,簡(jiǎn)稱(chēng)法,符號(hào)是F。一個(gè)電容器,如果帶1庫(kù)的電量時(shí)兩級(jí)間的電勢(shì)差是1伏,這個(gè)電容器的電容就是1法。
電容的公式是:C=Q/U 但電容的大小不是由Q或U決定的,即:C=εS/4πkd 。ε是一個(gè)常數(shù),與電介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān)。k [ 查看詳細(xì) ]
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