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PoE接口如何抵御差分模式瞬態(tài)電壓

- 在PoE應用增長的同時,以太網(wǎng)PHY的尺寸也在迅速縮小。目前,以太網(wǎng)PHY大多使用90nm技術(shù)制造,但芯片制造商即將推出采用65nm工藝技術(shù)制造的尺寸更小的產(chǎn)品。事實表明,采用這些先進的制造工藝時,在CMOS上實現(xiàn)有效的芯片級ESD保護是不切實際的,因為芯片面積太小無法提供系統(tǒng)級魯棒性,另外要實現(xiàn)有效的芯片級保護成本也過高。為滿足全球標準的要求、并保證系統(tǒng)的可靠性,時下基于以太網(wǎng)的系統(tǒng)設計越來越強烈地要求使用更好的片外電路保護。
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使用TinySwitch-III的12 W寬電壓輸入的恒壓適配器
- 該電源為12 V、1 A輸出的寬電壓輸入反激式轉(zhuǎn)換器,采用了TinySwitch-III系列中的TNY278PN器件。由于很多功能已經(jīng)集成在器件內(nèi)部,因此僅需要31個直插式元件(無表面貼焊元件),進而可以實現(xiàn)簡單的單面PCB板布局。由
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電壓介紹
不同類型的閃存卡具有不同的規(guī)范,其所能正常工作的電壓是不同的。不過不同的閃存卡接口也各不相同,不存在插錯接口的可能。因此不會出現(xiàn)因插錯接口,工作電壓不同而損壞閃存卡的情況。SD卡數(shù)據(jù)傳送和物理規(guī)范是由MMC發(fā)展而來,尺寸大小和MMC差不多。SD卡與MMC卡保持著向上兼容,也就是說,MMC可以被新的SD設備存取,兼容性則取決于應用軟件,但SD卡卻不可以被MMC設備存取。即便如此仍舊建議,什么類型的閃 [ 查看詳細 ]
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