漏電流文章進入漏電流技術(shù)社區(qū)

大容量電池充放電管理模塊MOSFET選型及應(yīng)用

本文闡述了大容量鋰離子電池包內(nèi)部功率MOSFET的配置以及實現(xiàn)二級保護的方案；論述了其實現(xiàn)高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術(shù)和CSP封裝技術(shù)的特點；提出了保證電池包安全可靠工作，功率MOSFET必須具有的技術(shù)參數(shù)，以及如何正確測量MOSFET的工作溫度；最后，給出了輸出端并聯(lián)電阻以及提高控制芯片的輸出檢測電壓2種方案，避免漏電流導(dǎo)致電池包不正常工作的問題。
關(guān)鍵字：電池充放電管理雪崩短路漏電流 MOSFET 202112

KID65783AP顯示IC的失效分析與研究

　　王少輝，項永金（格力電器（合肥）有限公司，安徽?合肥?230088）　　摘?要：柜機空調(diào)顯示板在廠內(nèi)生產(chǎn)過程與售后出現(xiàn)大量失效，故障現(xiàn)象表現(xiàn)為顯示多劃、混亂、LED燈異常點亮等。經(jīng)過分析為KID65783AP顯示IC失效導(dǎo)致，失效模式為1腳對V CC 屬性異?；蚱渌_對V CC 屬性異常。失效芯片經(jīng)分析為部分管腳ESD損傷，以及部分管腳漏電流偏大。本文結(jié)合顯示驅(qū)動IC的失效機理，失效電路，對顯示驅(qū)動IC產(chǎn)品設(shè)計進行優(yōu)化更改，提高顯示驅(qū)動IC的ESD(MM)水平。產(chǎn)品同時導(dǎo)入漏電流的測試，從顯示IC產(chǎn)
關(guān)鍵字： 202005 顯示驅(qū)動IC ESD損傷漏電流晶圓設(shè)計可靠性

超級電容器參數(shù)測試與特性研究

為研究超級電容器的電氣原理，構(gòu)建一種符合其工作特性的精確電路模型。需對超級電容的部分動態(tài)行為參數(shù)進行測試與辨識，一種在蓄電池和超級電容組成的混合儲能實驗裝置下，基于直流內(nèi)阻法、恒壓漏電法以及動態(tài)充電法對超級電容器的內(nèi)阻、漏電流和容量等參數(shù)進行測量的方法。實驗結(jié)果表明，各參數(shù)與理論值匹配度較高，可為超級電容器的動態(tài)特性和狀態(tài)評估提供數(shù)據(jù)支撐。
關(guān)鍵字：超級電容器內(nèi)阻法漏電流容量 201812

光伏組件PID漏電流檢測

　摘要　　6月1日，國家能源局等部門印發(fā)《關(guān)于2018年光伏發(fā)電有關(guān)事項的通知》(因落款日期為5月31日，業(yè)內(nèi)稱為“5·31新政”)，提出暫不安排2018年普通光伏電站建設(shè)規(guī)模，僅安排10GW左右的分布式光伏建設(shè)規(guī)模，進一步降低光伏發(fā)電的補貼強度。這突如其來的新政猶如一盆涼水，讓一度沉浸在瘋狂狀態(tài)的光伏行業(yè)逐漸清醒。　　壓力催生動力，新政的發(fā)布意味著光伏企業(yè)需要轉(zhuǎn)變發(fā)展方向，通過更多的技術(shù)升級降低光伏發(fā)電成本，同時這也是一個契機，企業(yè)也要更加沉下心來去解決之前光伏系統(tǒng)里遇到的問題，本文讓我們
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漏電流的客觀分析

漏電流的客觀分析-電氣設(shè)備在其電磁環(huán)境中必須能正常運行并不對其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁騷擾。這種能力被稱作電磁兼容性。我們將電磁干擾分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。傳導(dǎo)干擾包括對稱和不對稱干擾（也稱作差模干擾和共模干擾）。對稱干擾在相線和中線之間流動，而不對稱干擾在相線、中線對地線之間流動。造成這些干擾的原因包括網(wǎng)絡(luò)交換機、變頻器、處理器、電子產(chǎn)品或電氣設(shè)備中的切換操作、電動機控制等。
關(guān)鍵字： EMC 漏電流

有漏電流時儲能器充電最佳過程及電路圖

我們看看圖3-8給出實際的儲能器充電電路。R代表與儲能電容器并聯(lián)的取樣電阻、峰值電壓表內(nèi)阻、預(yù)然燈內(nèi)阻、電容器本身的漏電等。我們要研究的問題是用什么形式的電流向該電路充電，才能獲得最小的電阻損耗。用變分法...
關(guān)鍵字：漏電流時儲能器充電

基于IEC60990的電源漏電流測試

一位客戶最近詢問，為什么II類電源并沒有接地端子，卻要指定II類電源的漏電流。作為IEC60950測試的一部分，電源的制造商要根據(jù)IEC60990標(biāo)準(zhǔn)來測試漏電流。更加準(zhǔn)確的說，“接觸電流”和“保護導(dǎo)體電
關(guān)鍵字： IEC60990 電源漏電流

高阻器件低頻噪聲測試技術(shù)與應(yīng)用研究文獻匯總,包括技術(shù)理論及解決方案

電子器件或材料按其等效電阻大小可劃分為：高阻器件、中阻器件、低阻器件。根據(jù)傳統(tǒng)噪聲測試原理，改進已有噪聲測試技術(shù)和測試方法還可以繼續(xù)測量一些等效阻值在該范圍之外的器件的噪聲，這些器件被定義為低阻器件或
關(guān)鍵字：高阻器件低頻噪聲測試漏電流聚合物鉭電容

漏電流的客觀分析：最佳衰減效果和最小漏電流之間如何權(quán)衡？

　　EMC的一般特性和濾波器的功能原理　　電氣設(shè)備在其電磁環(huán)境中必須能正常運行并不對其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁騷擾。這種能力被稱作電磁兼容性。我們將電磁干擾分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。傳導(dǎo)干擾包括對稱和不對稱干擾(也稱作差模干擾和共模干擾)。對稱干擾在相線和中線之間流動，而不對稱干擾在相線、中線對地線之間流動。造成這些干擾的原因包括網(wǎng)絡(luò)交換機、變頻器、處理器、電子產(chǎn)品或電氣設(shè)備中的切換操作、電動機控制等。　　采用X電容可降低對稱干擾。就降低不對稱干擾而言，電流補償扼流圈用于低干擾頻率，Y電容
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專用高頻E類功率放大器的研究

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：高頻射頻 E類功率放大器漏電流開關(guān)模式

一款可抑制漏電流的兩級單相非隔離型逆變器設(shè)計

本文針對傳統(tǒng)單相非隔離型全橋光伏并網(wǎng)逆變器的不足，研究并設(shè)計了一種新型、高效率且具備漏電流抑制能力的兩...
關(guān)鍵字：可抑制漏電流逆變器設(shè)計

克服嵌入式CPU性能瓶頸

過去幾年，采用多線程或多內(nèi)核CPU的微處理器架構(gòu)有了長足的發(fā)展?，F(xiàn)在它們已經(jīng)成為臺式電腦的標(biāo)準(zhǔn)配置，并且在 ...
關(guān)鍵字：晶體管功耗時鐘頻率漏電流

漏電流概念

漏電流概念,一、半導(dǎo)體元件漏電流PN結(jié)在截止時流過的很微小的電流。在D-S沒在正向偏置，G-S反向偏置，導(dǎo)電溝道打開后，D到S才會有電流流過。但實際上由于自由電子的存在，自由電子的附
關(guān)鍵字：漏電流

電源線路濾波器中的漏電流

標(biāo)準(zhǔn)中的要求保護接地器在電氣設(shè)備出現(xiàn)故障或發(fā)生短路時，保護用戶不會受到危險接觸電壓的傷害。為確保此基本功能，保護接地線上的電流必須加以限制，這是為什么大多數(shù)產(chǎn)品安全標(biāo)準(zhǔn)中包含漏電流測量和限制條款的原因。辦公室設(shè)備和信息技術(shù)設(shè)備的產(chǎn)品安全標(biāo)準(zhǔn)EN 60950-1進行了相關(guān)說明。盡管都使用漏電流這個術(shù)語進行描述，但是標(biāo)準(zhǔn)在實際上對接觸電流和保護導(dǎo)體電流進行了區(qū)分。接觸電流是人在接觸電氣裝置或設(shè)備時，流過人體的所有電流。另一方面，保護導(dǎo)體電流是在設(shè)備或裝置正常運行時，流過保護接地導(dǎo)體的電流。此電流也稱為
關(guān)鍵字：電源技術(shù) 漏電流濾波器模擬技術(shù) 模擬IC 電源

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漏電流介紹

半導(dǎo)體元件漏電流　　PN結(jié)在截止時流過的很微小的電流。　　電源漏電流　　開關(guān)電源中為了減少干擾，按照國標(biāo)，必須設(shè)有EMI濾波器電路。由于EMI電路的關(guān)系，使得在開關(guān)電源在接上市電后對地有一個微小的電流，這就是漏電流。如果不接地，計算機的外殼會對地帶有110伏電壓，用手摸會有麻的感覺，同時對計算機工作也會造成影響。　　電容漏電流　　電容介質(zhì)不可能絕對不導(dǎo)電，當(dāng)電容加上直流電壓時，電 [ 查看詳細(xì) ]