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ACM8816 300W大功率單聲道數(shù)字功放IC:國產(chǎn)GaN音頻功放

  • D類音頻功率放大器以其高效性得到廣泛使用,主導(dǎo)了現(xiàn)代音頻領(lǐng)域。然而也有其局限性,當(dāng)前的D類音頻系統(tǒng)雖然效率很高,但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的D類功放芯片是功率管采用于硅基晶體管(特別是MOSFET)。它們?cè)趯?shí)現(xiàn)D類放大器所需的快速開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻方面存在困難。隨著對(duì)更高頻率和電壓的需求增加,這些基于硅的設(shè)計(jì)會(huì)引入更多失真、更長的死區(qū)時(shí)間以及更高的功率損耗——所有這些因素都會(huì)降低放大器的整體音質(zhì)和效率。硅基MOSFET的關(guān)鍵局限性之一是其體二極管的恢復(fù)速度較慢,這導(dǎo)致開關(guān)波形中出現(xiàn)過量的振鈴和過沖。這些
  • 關(guān)鍵字: GaN音頻功放  音頻功放  永阜康  

HTN865B 150W大功率內(nèi)置MOS升壓芯片方案

  • 在很多鋰電池供電的電子產(chǎn)品應(yīng)用設(shè)計(jì)中經(jīng)常會(huì)涉及到升壓電路的設(shè)計(jì),對(duì)于較大的功率輸出、如70W以上的DC-DC升壓電路,基本上都是采用控制器外接開關(guān)管的Boost升壓結(jié)構(gòu)。但是這種升壓電路也有很多弊端:外圍電路復(fù)雜、PCB空間大、布局布線要求高,調(diào)試過程繁瑣,成本高。
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